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材料科学基础考试复习题

单项选择题:

1.高分子材料中的C-H化学键属于。

〔A〕氢键〔B〕离子键〔C〕共价键

2.属于物理键的是。

〔A〕共价键〔B〕德华力〔C〕离子键

3.化学键过共用电子对形成的是。

〔A〕共价键〔B〕离子键〔C〕金属键

4.面心立方晶体的致密度为。

〔A〕100%〔B〕68%〔C〕74%

5.体心立方晶体的致密度为。

〔A〕100%〔B〕68%〔C〕74%

6.密排六方晶体的致密度为。

〔A〕100%〔B〕68%〔C〕74%

7.以下不具有多晶型性的金属是。

〔A〕铜〔B〕锰〔C〕铁

8.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。

〔A〕fcc〔B〕bcc〔C〕hcp

9.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。

〔A〕氮〔B〕碳〔C〕硼

10.面心立方晶体的孪晶面是。

〔A〕{112}〔B〕{110}〔C〕{111}

11.以下属于正常价化合物的是。

〔A〕Mg2Pb〔B〕Cu5Sn〔C〕Fe3C

12.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。

〔A〕肖特基缺陷〔B〕弗仑克尔缺陷〔C〕线缺陷

13.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。

〔A〕肖脱基缺陷〔B〕Frank缺陷〔C〕堆垛层错

14.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是?

〔A〕垂直〔B〕平行〔C〕穿插

15.能进展攀移的位错必然是。

〔A〕刃型位错〔B〕螺型位错〔C〕混合位错

16.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是

〔A〕孪晶铜〔B〕中碳钢〔C〕亚共晶铝硅合金

17.大角度晶界具有____________个自由度。

〔A〕3〔B〕4〔C〕5

18.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。

〔A〕距离〔B〕时间〔C〕温度

19.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。

〔A〕原子互换机制〔B〕间隙机制〔C〕空位机制

20.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是

〔A〕间隙机制〔B〕空位机制〔C〕交换机制

21.原子扩散的驱动力是。

〔4.2非授课容〕

〔A〕组元的浓度梯度〔B〕组元的化学势梯度〔C〕温度梯度

22.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,那么。

〔A〕A组元的扩散速率大于B组元

〔B〕B组元的扩散速率大于A组元

〔C〕A、B两组元的扩散速率一样

23.下述有关自扩散的描述中正确的为。

〔A〕自扩散系数由浓度梯度引起

〔B〕自扩散又称为化学扩散

〔C〕自扩散系数随温度升高而增加

24.在弹性极限e围,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为

〔A〕包申格效应〔B〕弹性后效〔C〕弹性滞后

25.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是

〔A〕晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向

〔B〕晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向

〔C〕晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向

26.bcc、fcc、hcp三种典型晶体构造中,_________具有最少的滑移系,因此具有这种晶体构造的材料塑性最差。

〔A〕bcc〔B〕fcc〔C〕hcp

27.,位错滑移的派-纳力越小。

〔A〕位错宽度越大〔B〕滑移方向上的原子间距越大〔C〕相邻位错的距离越大

28.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:

〔A〕溶质原子再扩散到位错周围〔B〕位错增殖的结果〔C〕位错密度降低的结果

29.Cu的Tm=1083C,那么Cu的最低再结晶温度约为。

〔A〕200C〔B〕270C〔C〕350C

30.Fe的Tm=1538C,那么Fe的最低再结晶温度约为。

〔A〕350C〔B〕450C〔C〕550C

31.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。

〔A〕回复〔B〕再结晶〔C〕晶粒长大

32.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,那么点缺陷浓度下降明显发生在。

〔A〕回复阶段〔B〕再结晶阶段〔C〕晶粒长大阶段

33.形变后的材料在低温回复阶段时其部组织发生显著变化的是。

〔A〕点缺陷的明显下降

〔B〕形成亚晶界

〔C〕位错重新运动和分布

34.由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在___________部位不易形核。

〔A〕大角度晶界和孪晶界〔B〕相界面〔C〕外外表

35.纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核

〔A〕小角度晶界〔B〕孪晶界〔C〕外外表

36.对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为。

〔A〕晶界合并〔B〕晶界迁移〔C〕晶界弓出

37.再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着______________方向移动

〔A〕曲率中心〔B〕曲率中心相反〔C〕曲率中心垂直

38.开场发生再结晶的标志是:

〔A〕产生多变化

〔B〕新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织

〔C〕晶粒尺寸显著增大

39.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。

〔A〕复合强化〔B〕析出强化〔C〕固溶强化

40.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。

〔A〕复合强化〔B〕析出强化〔C〕固溶强化

41.在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。

〔A〕复合强化〔B〕晶粒细化〔C〕固溶强化

42.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,体系的自由能变化。

〔A〕大于零〔B〕等于零〔C〕小于零

43.以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是。

〔A〕金属锗〔B〕透明环己烷〔C〕氧化硅

44.以下材料中,结晶过程中以小平面方式生长的是。

〔A〕金属锗〔B〕铜镍合金〔C〕金属铅

45.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿外表能的。

〔A〕1/3〔B〕2/3〔C〕1/4

46.铸锭凝固时如大局部结晶潜热可通过液相散失时,那么固态显微组织主要为。

〔A〕树枝晶〔B〕柱状晶〔C〕胞状晶

47.凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法?

〔A〕参加形核剂〔B〕减小液相过冷度〔C〕对液相实施搅拌

48.对离异共晶和伪共晶的形成原因,下述说确的是。

〔A〕离异共晶只能经非平衡凝固获得

〔B〕伪共晶只能经非平衡凝固获得

〔C〕形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分

49.在二元系合金相图中,计算两相相对量的杠杆法那么用于。

〔A〕单相区中〔B〕两相区中〔C〕三相平平线上

50.二元系合金中两组元局部互溶时,不可能发生。

〔A〕共晶转变〔B〕匀晶转变〔C〕包晶转变

51.任一合金的有序构造形成温度无序构造形成温度。

〔A〕低于〔B〕高于〔C〕可能低于或高于

多项选择题:

1.以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是。

〔A〕共价键〔B〕离子键〔C〕氢键〔D〕金属键〔E〕德华力

2.晶体区别于其它固体构造的根本特征有。

〔A〕原子呈周期性重复排列〔B〕长程有序〔C〕具有固定的熔点〔D〕各向同性〔E〕各向异性

3.具有一样配位数和致密度的晶体构造是。

〔A〕面心立方〔B〕体心立方〔C〕简单立方〔D〕底心立方〔E〕密排六方

4.以下具有多晶型性的金属是。

〔A〕铜〔B〕铁〔C〕锰〔D〕钛〔E〕钴

5.以下等金属元素在常温下具有密排六方晶体构造。

〔A〕镁〔B〕锌〔C〕镉〔D〕铬〔E〕铍

6.铁具有多晶型性,在不同温度下会形成等晶体构造。

〔A〕面心立方〔B〕体心立方〔C〕简单立方〔D〕底心立方〔E〕密排六方

7.晶体中点缺陷的形成原因有。

〔A〕〔B〕〔C〕〔D〕〔E〕

温度起伏,高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照

8.晶体缺陷中属于面缺陷的有。

〔A〕层错〔B〕外外表〔C〕孪晶界〔D〕相界〔E〕空位

9.影响扩散的主要因素有。

〔A〕温度〔B〕固溶体类型〔C〕晶体构造〔D〕晶体缺陷〔E〕化学成分

10.关于均匀形核,以下说确的是。

〔A〕体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核外表所需能量的三分之二

〔B〕非均匀形核比均匀形核难度更大

〔C〕构造起伏是促成均匀形核的必要因素

〔D〕能量起伏是促成均匀形核的必要因素

〔E〕过冷度△T越大,那么临界半径越大

11.以下说法中,说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。

〔A〕非均匀形核所需过冷度更小

〔B〕均匀形核比非均匀形核难度更大

〔C〕一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大

〔D〕均匀形核试非均匀形核的一种特例

〔E〕实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

12.晶体的长大方式有。

〔A〕连续长大〔B〕不连续长大〔C〕平面生长〔D〕二维形核生长〔E〕螺型位错生长

13.控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有。

〔A〕参加形核剂〔B〕减小液相过冷度〔C〕增大液相过冷度〔D〕增加保温时间〔E〕施加机械振动

14.二元相图中,属于共晶方式的相转变有。

〔A〕共晶转变〔B〕共析转变〔C〕偏晶转变〔D〕熔晶转变〔E〕合晶转变

15.二元相图中,属于包晶方式的相转变有。

〔A〕包晶转变〔B〕包析转变〔C〕合晶转变〔D〕偏晶转变〔E〕熔晶转变

16.二元相图必须遵循以下几何规律:

〔A〕相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分

〔B〕两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开,而不能以一条线接界

〔C〕两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开

〔D〕二元相图中的三相平衡必为一条水平线

〔E〕两相区与单相区的分界限与等温线相交时,其延长线应进入另一两相区

17.构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件:

〔A〕具有一样的晶体构造,晶格常数相近

〔B〕具有一样的熔点

〔C〕具有一样的原子价

〔D〕具有相似的电负性

〔E〕原子半径差小于15%

18.固溶体的平衡凝固包括等几个阶段。

〔A〕液相的扩散过程〔B〕固相的扩散过程〔C〕液相的长大〔D〕固相的继续长大〔E〕液固界面的运动

判断题:

第一章

1.离子键的正负离子相间排列,具有方向性,无饱和性。

〔错〕

2.共价键通过共用电子对而成,具有方向性和饱和性。

〔对〕

3.同位素的原子具有一样的质子数和中子数。

〔错〕

第二章

4.复杂晶胞与简单晶胞的区别是,除在顶角外,在体心、面心或底心上有阵点。

〔对〕

5.晶体构造的原子呈周期性重复排列,即存在短程有序。

〔错〕

6.立方晶系中,晶面族{111}表示正八面体的面。

〔对〕

7.立方晶系中,晶面族{110}表示正十二面体的面。

〔对〕

8.晶向指数和晶面指数(hkl)中的数字一样时,对应的晶向和晶面相互垂直。

〔对〕

9.晶向所指方向相反,那么晶向指数的数字一样,但符号相反。

〔对〕

10.bcc的间隙不是正多面体,四面体间隙包含于八面体间隙之中。

〔对〕

11.溶质与溶剂晶体构造一样是置换固溶体

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