材料科学基础考试复习题.docx

1、材料科学基础考试复习题单项选择题： 1.高分子材料中的C-H化学键属于。A氢键 B离子键 C共价键2.属于物理键的是。A共价键 B德华力 C离子键3.化学键过共用电子对形成的是。A共价键 B离子键 C金属键4.面心立方晶体的致密度为。A100% B68% C74%5.体心立方晶体的致密度为。A100% B68% C74%6.密排六方晶体的致密度为。A100% B68% C74%7.以下不具有多晶型性的金属是。A铜 B锰 C铁8.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是。Afcc Bbcc Chcp9.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。A氮 B碳 C硼10.面心立

2、方晶体的孪晶面是。A112 B110 C11111.以下属于正常价化合物的是。AMg2Pb BCu5Sn CFe3C12.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为。A肖特基缺陷 B弗仑克尔缺陷 C线缺陷13.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。A肖脱基缺陷 BFrank缺陷 C堆垛层错14.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？A垂直 B平行 C穿插15.能进展攀移的位错必然是。A刃型位错 B螺型位错 C混合位错16.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是A孪晶铜 B中碳钢 C亚共晶铝硅合金17.大角度晶界具有_个自由度。A3 B4 C518.菲克第一定律描述了稳态扩

3、散的特征，即浓度不随变化。A距离 B时间 C温度19.在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为。A原子互换机制 B间隙机制 C空位机制20.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是A间隙机制 B空位机制 C交换机制21.原子扩散的驱动力是。 4.2非授课容A组元的浓度梯度 B组元的化学势梯度 C温度梯度22.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，那么。AA组元的扩散速率大于B组元 BB组元的扩散速率大于A组元 CA、B两组元的扩散速率一样23.下述有关自扩散的描述中正确的为。A自扩散系数由浓度梯度引起 B自扩散又称为化学扩散 C自扩散系数随温度升高而增

4、加24.在弹性极限 e围，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为A包申格效应 B弹性后效 C弹性滞后25.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是A晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向B晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向C晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向26.bcc、fcc、hcp三种典型晶体构造中，_具有最少的滑移系，因此具有这种晶体构造的材料塑性最差。Abcc Bfcc Chcp27.，位错滑移的派-纳力越小。A位错宽度越大 B滑移方向上的原子间距越大 C相邻位错的距离越大28.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：A溶质原子再扩散到位错周围 B位错增殖的结果 C

5、位错密度降低的结果29.Cu的Tm=1083 C，那么Cu的最低再结晶温度约为。A200 C B270 C C350 C30.Fe的Tm=1538 C，那么Fe的最低再结晶温度约为。A350 C B450 C C550 C31.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的_阶段。A回复 B再结晶 C晶粒长大32.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，那么点缺陷浓度下降明显发生在。A回复阶段 B再结晶阶段 C晶粒长大阶段33.形变后的材料在低温回复阶段时其部组织发生显著变化的是。A点缺陷的明显下降 B形成亚晶界 C位错重新运动和分布34.由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在_部位不易形核。A大角度晶

6、界和孪晶界 B相界面 C外外表35.纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核A小角度晶界 B孪晶界 C外外表36.对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为。A晶界合并 B晶界迁移 C晶界弓出37.再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着_方向移动A曲率中心 B曲率中心相反 C曲率中心垂直38.开场发生再结晶的标志是：A产生多变化 B新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 C晶粒尺寸显著增大39.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。A复合强化 B析出强化 C固溶强化40.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。A复合强化 B析出强化

7、 C固溶强化41.在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。A复合强化 B晶粒细化 C固溶强化42.凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成的核胚半径等于临界半径时，体系的自由能变化。A大于零 B等于零 C小于零43.以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是。A金属锗 B透明环己烷 C氧化硅44.以下材料中，结晶过程中以小平面方式生长的是。A金属锗 B铜镍合金 C金属铅45.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿外表能的。A1/3 B2/3 C1/446.铸锭凝固时如大局部结晶潜热可通过液相散失时，那么固态显微组织主要为。A树枝晶 B柱状晶 C胞状

8、晶47.凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？A参加形核剂 B减小液相过冷度 C对液相实施搅拌48.对离异共晶和伪共晶的形成原因，下述说确的是。A离异共晶只能经非平衡凝固获得 B伪共晶只能经非平衡凝固获得 C形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分49.在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法那么用于。A单相区中 B两相区中 C三相平平线上50.二元系合金中两组元局部互溶时，不可能发生。A共晶转变 B匀晶转变 C包晶转变51.任一合金的有序构造形成温度无序构造形成温度。A低于 B高于 C可能低于或高于多项选择题： 1.以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是。A共价键 B离子键 C氢键 D

9、金属键 E德华力2.晶体区别于其它固体构造的根本特征有。A原子呈周期性重复排列 B长程有序 C具有固定的熔点D各向同性 E各向异性3.具有一样配位数和致密度的晶体构造是。A面心立方 B体心立方 C简单立方 D底心立方 E密排六方4.以下具有多晶型性的金属是。A铜 B铁 C锰 D钛 E钴5.以下等金属元素在常温下具有密排六方晶体构造。A镁 B锌 C镉 D铬 E铍6.铁具有多晶型性，在不同温度下会形成等晶体构造。A面心立方 B体心立方 C简单立方 D底心立方 E密排六方7.晶体中点缺陷的形成原因有。A B C D E 温度起伏， 高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照8.晶体缺陷中属于面缺陷的有。A层

10、错 B外外表 C孪晶界 D相界 E空位9.影响扩散的主要因素有。A温度 B固溶体类型 C晶体构造 D晶体缺陷 E化学成分10.关于均匀形核，以下说确的是。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核外表所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C构造起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度T越大，那么临界半径越大11.以下说法中，说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核12.晶体的长大

11、方式有。A连续长大 B不连续长大 C平面生长 D二维形核生长 E螺型位错生长13.控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有。A参加形核剂 B减小液相过冷度 C增大液相过冷度D增加保温时间E施加机械振动14.二元相图中，属于共晶方式的相转变有。A共晶转变 B共析转变 C偏晶转变 D熔晶转变 E合晶转变15.二元相图中，属于包晶方式的相转变有。A包晶转变 B包析转变 C合晶转变 D偏晶转变 E熔晶转变16.二元相图必须遵循以下几何规律：。A相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分B两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开，而不能以一条线接界C两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开

12、D二元相图中的三相平衡必为一条水平线E两相区与单相区的分界限与等温线相交时，其延长线应进入另一两相区17.构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件：。A具有一样的晶体构造，晶格常数相近B具有一样的熔点C具有一样的原子价D具有相似的电负性E原子半径差小于15%18.固溶体的平衡凝固包括等几个阶段。A液相的扩散过程 B固相的扩散过程 C液相的长大 D固相的继续长大 E液固界面的运动判断题：第一章1.离子键的正负离子相间排列，具有方向性，无饱和性。 错2.共价键通过共用电子对而成，具有方向性和饱和性。 对3.同位素的原子具有一样的质子数和中子数。 错第二章4.复杂晶胞与简单晶胞的区别是，除在顶角外，在体心、面心或底心上有阵点。 对5.晶体构造的原子呈周期性重复排列，即存在短程有序。 错6.立方晶系中，晶面族111表示正八面体的面。 对7.立方晶系中，晶面族110表示正十二面体的面。 对8.晶向指数和晶面指数 ( h k l )中的数字一样时，对应的晶向和晶面相互垂直。 对9.晶向所指方向相反，那么晶向指数的数字一样，但符号相反。 对10.bcc的间隙不是正多面体，四面体间隙包含于八面体间隙之中。 对11.溶质与溶剂晶体构造一样是置换固溶体