电子元器件.docx
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电子元器件
第一章:
元件認識
開關電源(SPS)是由眾多的元器件構成,因此,要了解開關電源的原理,學會看電路圖.首先必須掌握元器件的主要性能,結構,工作原理,電路符號,參數標準方法和質量檢測方法,本章將作逐一介紹.
1.電阻器
電阻器簡稱電阻,英文Resistor
1.電路符號和外形.
(a)(b)(c)
(a)國外電阻器電路符號.(b)國內符號.(c)色環電阻外形
2.電阻概念:
電阻具有阻礙電流的作用.公式R=U/I常用單位為歐姆(Ω),千歐(KΩ)
和兆歐(MΩ).
1MΩ=10KΩ=10Ω
3.種類
電阻器的種類有:
碳膜電阻,金屬氧化膜電阻,繞線電阻,貼片電阻,可調電阻,水泥電阻.
4.性能參數
(1)標稱阻值與允許誤差
(2)額定功率:
指在特定(如溫度等)條件下電阻器所能承受的最大功率,當超過此功率,電阻器會過熱而燒壞.
(3)電阻溫度系數
5.標注方法:
(1)直標法
(2)色標法
色標法是用色環或色點來表示電阻的標稱阻值,誤差.色環有四道環和五道環兩種.讀色環時從電阻器離色環最進的一端讀起,在色標法中,色標顏色表示數字如下:
顏色
黑
棕
紅
橙
黃
綠
藍
紫
灰
白
金
銀
數字
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-1
-2
四色環中,第一,二道色環表示標稱阻值的有效值,第三道色環表示倍
數,第四道色環表示允許偏差,五色環中,前三道表示有效值,第四到為倍數,第五道為允許誤差.精密電阻常用此法.
例1:
有一電阻器,色環顏順序為:
棕,黑,橙,銀,則阻值為:
10X10±10%(Ω)
二:
電容器英文Capacitor
┼
1.電路符號
(a)(b)
(a),(b)分別表示為無極性,有極性的電容器的電路符號.
2.電容慨念
電容器是儲存電荷的容器.電容器的容量C由下式決定:
C=Q/U=ΣS/4πd,單位法拉(F).
3.種類
電容器可分為:
陶瓷電容,電解電容,安規電容,貼片電容,塑膠電容.
4.主要性能參數
(1)標準容量及允許偏差
(2)額定電壓
(3)損耗系數DF值
DF=P耗/P總
P耗為充放電損耗功率,P總為充放電總能量.
(4)溫度系數
5.標注方法
(1)直標法
(2)色標法:
類似電阻器之色標法,三色環無偏差表示,單位PF
三.電感器(英文Choke即線圈)
1.電路符號
(普通電感無極性)
2.主要參數
(1)電感量及允許偏差
(2)品質因數(Q值)
感抗xL=WL=2πfLQ=2πfL/RQ即為品質因數
3.種類
可分為固定電感器,帶磁心電感線圈,可變電感器
四.半導体二極管(英文Diode)
DIODE
Test#
Description
1
VF
Forwardvoltage
2
IR
Reversecurrentleakage
3
BVR
Breakdownvoltage
1.電路符號
▔
┼
2.單向導電性
二極管只能一個方向流過電流,即電能只能從它正極流向負極.在正常情況下,硅管的正向壓降為0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V,即二極管正向壓降基本保持不變,當外加正向電壓達到一定程度,二極管正向電流會很大,將燒壞二極管.當加在二極管上的反向電壓小于一個臨界值時,二極管的反向電流很小,即反向時二極管的內阻很大,相當于二極管截止.當二極管的反向電壓大于臨界值時,二極管會反向擊穿.
3.結構
是由一個P型半導体和一個N型半導体構成,組成一個PN結,PN結具有單向導電性.
4.種類
(1)普通二極管
(2)發光二極管(3)穩壓二極管(4)變容二極管
5.主要參數
(1)最大平均整流電流IF:
表征二極管所能流過的最大正向電流.在一
個周期內的平均電流值不能超過IF,否則二極管將會燒壞.
(2)最大反向工作電壓VR
(3)反向電流IR:
是在最大反向工作電壓下的二極管反向電流值
(4)工作頻率:
表示二極管在高頻下的單向導電性能.
五.穩壓二極管
Test#
Description
1
VF
Forwardvoltage
2
BVZ
MinimumZenervoltage.(Usetest#5)
3
BVZ
MaximumZenervoltage.(Usetest#5)
4
IR
Reversecurrentleakage
5
BVZ
BVzwithprogrammablesoak
6
ZZ
1KHzZenerImpedance(requiresZZ-1000orModel5310)
I
i
U
1.電路符號
(圖一)(圖二)
2.穩壓原理
從(圖二)穩壓特性曲線可以看出,當穩壓管反向擊穿後,流過二極管的工作電流發生很大變化時,穩壓二極管的電壓降壓V2基本不變,所以穩壓管穩壓就是利用二極管兩端的電壓能穩定不變的特性.若加在穩壓管上的反向電壓小于反向擊穿電壓值,那麼穩壓管處于截止狀態,即開路.
3.主要參數
(1)穩定電壓
(2)穩定電流:
穩壓管工作對參考電流值,電流小于該值,穩壓效果會略差
(3)額定功率損耗
(4)電壓溫度系數
(5)動態電阻
六.半導体三極管(又稱晶体三極管)
TRANSISTOR
Test#
Description
1
hFE
Forward-currenttransferratio
2
VBE
Baseemittervoltage(seealsoAppendixF)
3
IEBO
Emittertobasecutoffcurrent
4
VCESAT
Saturationvoltage
5
ICBO
Collectortobasecutoffcurrent
6
ICEO
Collectortoemitercutoffcurrent
ICER,
withbasetoemiterload,
ICEX,
reversebias,or
ICES
short(seealsoAppendixF)
7
BVCEO
Breakdownvoltage,collectortoemitter,
BVCER
withbasetoemiterload,
BVCEX
reversebias,or
BVCES
short(seealsoAppendixF)
8
BVCBO
Breakdownvoltage,collectortobase
9
BVEBO
Breakdownvoltage,emittertobase
10
VBESAT
Baseemittersaturationvoltage
1.電路符號
IC
c
(a)NPN(b)PNP
cccc
cccc
2.結構集電極
Ic
bccc
Ib
bccc
P=
N
bccc
Ib
bccc
N
eccc
P=
N
eccc
cccc
Ie
(a)NPN
eccc
Iee
P=
(b)PNP
Ie
結構如上圖.三極管是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,管子中工作電流有集電極電流Ic,基極電流Ib,發射極電流Ie,Ie=Ib+IcIc=βIb,β為三極管電流放大倍數.
3.工作原理
icc
E1
E1
Uc
Uc
Ub
Ub
E2
E2
uce
Ue
Ue
(1)NPN
(2)PNP(3)共發射極輸出特性曲線
(1)放大區發射結正偏,集電結反偏,E1>E2,即NPN型三極管Vc>Vb>Ve,
PNP型三極管Vc(2)截止
Ib≦0的區域稱截止區,UBE<0.5V時,三極開始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發射結零偏或反偏,截止時,集電結也反向偏置.
(3)飽和區
當VCE飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,鍺管UCE(sat)≒0.1V
4.主要參數
(1)共發射極直流電流放大系數β,即Hfe,β=IC/IB
(2)共發射極交流電流放大系數β.β=ΔIC/ΔIB
(3)集電極,基極反向飽和電流ICBO
(4)集電極,發射極反向飽和電流ICEO,即穿透電流
(5)集電極最大允許功耗PCM
(6)集電極最大允許電流ICM
(7)集電極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO
(8)發射極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO
(9)集電極,發射極反向擊穿電壓U(BR)CBO
七.可控硅(英文簡稱SCR,也叫晶閘管)
SCR
Test#
Description
1
IGT
Gate-triggercurrent
2
IGKO
Reversegatecurrent
5
VGT
Gate-triggervoltage
6
BVGKO
Reversegaetbreakdownvoltage
7
IDRM
ForwardBlockingcurrent
8
IRRM
ReverseBlockingcurrent
9
IL
Latchingcurrent
11
IH
Holdingcurrent(seealsoAppendixF)
13
VTM
Forwardonvoltage
15
VDRM
Forwardblockingvoltage
16
VRRM
Reverseblockingvoltage
1.電路符號
AK
陽極G控制極陰極
2.工作原理
(1)在陽,陰極間加上一個正電壓,再在控制極和陰極之間加上正電壓,可控硅導通.
(2)可控硅導通後,去掉控制極上的電壓,可控硅仍然導通,所以控制極上的電壓稱為觸發電壓.
(3)導通後,UAK=0.6~1.2V
(4)要使導通的可控硅截止,得降低UAK,同時陽極電流也下降,當陽極電流小于最小維持電流IH時,可控硅仍能截止.
3.主要參數
(1)正向轉折電壓UB0,指在控制極開路,使可控硅導通所對應的峰值電壓
(2)通態平均電壓UF,約為0.6~1.2V
(3)擎住電流Ica—由斷態至通態的臨界電流.
(4)維持電流IH:
從通態至斷態的臨界電流
(5)控