×（聚焦）
1.47超声波入射到C1>C2的凸曲面时，其透过波集聚。
√
1.48以有机玻璃作声透镜的水浸聚焦探头，有机玻璃／水界面为凹曲面。
×（水浸聚焦探头就是利用平面波入射到C1>C2的凸曲面上）
1.49介质的声阻抗愈大，引起的超声波的衰减愈严重。
×（成反比）
1.50聚焦探头辐射的声波，在材质中的衰减小。
×（衰减大，因为聚焦探头有涉及发散波）
1.51超声波探伤中所指的衰减仅为材料对声波的吸收作用。
×
1.52超声平面波不存在材质衰减。
×（不存在扩散衰减）
2.1超声波频率越高，近场区的长度也就越大。
√（个人感觉答案有错，没有前提无法对比）
2.2对同一个直探头来说，在钢中的近场长度比在水中的近场长度大。
×
2.3聚焦探头的焦距应小于近场长度。
√
2.4探头频率越高，声束扩散角越小。
√
2.5超声波探伤的实际声场中的声束轴线上不存在声压为零的点。
√
2.6声束指向性不仅与频率有关，而且与波型有关。
√
2.7超声波的波长越长，声束扩散角就越大，发现小缺陷的能力也就越强。
×
2.8因为超声波会扩散衰减，所以检测应尽可能在其近场区进行。
×
2.9因为近场区内有多个声压变为零的点，所以探伤时近场区缺陷往往会漏检。
×
2.10如超声波频率不变，晶片面积越大，超声波的近场长度越短。
×
2.11面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片，超声场的近场长度一样长。
√
2.12面积相同，频率相同的到晶片和方晶片，其声束指向角亦相同。
×
2.13超声场的近场长度愈短，声束指向性愈好。
×
2.14声波辐射的超声波的能量主要集中在主声束内。
√
2.15声波辐射的超声波，总是在声束中心轴线上的声压为最高。
×（近场区内轴线上的声压不一定最高）
2.16探伤采用低频是为了改善声束指向性，提高探伤灵敏度。
×（应是提高频率）
2.17超声场中不同横截面上的声压分布规律是一致的。
×（近场区与远场区各横截面上声压分布不同）
2.18在超声场的未扩散区，可将声源辐射的超声波看成平面波，平均声压不随距离增加而改变。
√
2.19斜角探伤横波声场中假想声源的面积大于实际声源面积。
×
2.20频率和晶片尺寸相同时，横波声束指向性比纵波好。
√
2.21圆晶片斜探头的上指向角小于下指向角。
×
2.22如斜探头入射点到晶片的距离不变，入射点到假想声源的距离随入射角的增加而减小。
√
2.23200mm处Φ4长横孔的回波声压比100mm处Φ2长横孔的回波声压低。
√
2.24球孔的回波声压随距离的变化规律与平底孔相同。
√
2.25同声程理想大平面与平底孔回波声压的比值随频率的提高而减小。
√
2.26轴类工件外圆径向探伤时，曲底面回波声压与同声程理想大平面相同。
√
2.27对空心圆柱体在内孔探伤时，曲底面回波声压比同声程大平面低。
×
3.l超声波探伤中，发射超声波是利用正压电效应，接收超声波是利用逆压电效应。
×
3.2增益l00dB就是信号强度放大100倍。
×（调节增益作用是改变接收放大器的放大倍数）
3.3与锆钛酸铅相比，石英作为压电材料性能稳定、机电耦合系数高、压电转换能量损失小等优点。
×
3.4与普通探头相比，聚焦探头的分辨力较高。
√
3.5使用聚焦透镜能提高灵敏度和分辨力，但减小了探测范围。
√
3.6点聚焦探头比线聚焦探头灵敏度高。
√
3.7双晶探头只能用于纵波检测。
×
3.8B型显示能够展现工件内缺陷的埋藏深度。
√
3.9C型显示能展现工件中缺陷的长度和宽度，但不能展现深度。
√
3.10通用AVG曲线采用的距离是以近场长度为单位的归一化距离，适用于不同规格的探头。
√
3.11在通用AVG曲线上，可直接查得缺陷的实际声程和当量尺寸。
×
3.12A型显示探伤仪，利用DGS曲线板可直观显示缺陷的当量大小和缺陷深度。
√
3.13电磁超声波探头的优点之一是换能效率高，灵敏度高。
×
3.14多通道探伤仪是由多个或多对探头同时工作的探伤仪。
×（应是交替工作）
3.15探伤仪中的发射电路亦称为触发电路。
×（同步电路又称触发电路）
3.16探伤仪中的发射电路亦可产生几百伏到上千伏的电脉冲去激励探头晶片振动。
√
3.17探伤仪的扫描电路即为控制探头在工件探伤面上扫查的电路。
×（扫描电路又称时基电路，用来产生锯齿波电压施加到示波管水平偏转板上，产生一条水平扫描时基线）
3.18探伤仪发射电路中的阻尼电阻的阻值愈大，发射强度愈弱。
×（改变阻尼是调节发射脉冲的电压幅度和脉冲宽度，阻值越大，发射强度越强，发射声能越多，分辨力越小。
）
3.19调节探伤仪“深度细调”旋钮时，可连续改变扫描线扫描速度。
√（从而使荧光屏上回波间距大幅度地压缩或扩展）
3.20调节探伤仪“抑制”旋钮时，抑制越大，仪器动态范围越大。
×
3.21调节探伤仪“延迟”旋钮时，扫描线上回波信号间的距离也将随之改变。
×
3.22不同压电晶体材料中声速不一样，因此不同压电材料的频率常数也不相同。
√
3.23不同压电材料的频率常数不一样，因此用不同压电材料制作的探头其标称频率才能相同。
×
3.24压电晶片的压电应变常数（d33）大，则说明该晶片接收性能好。
×（压电应变常数d33大，发射性能好，发射灵敏度高）
3.25压电晶片的压电电压常数（g33）大，刚说明该晶片接收性能好。
√（则接收灵敏度就高）
3.26探头中压电晶片背面加吸收块是为了提高机械品质因素Qm，减少机械能损耗。
×（加吸收块是为了减小机械品质因素，Qm小就表示损耗大，脉冲宽度小，分辨率高）
3.27工件表面比较租糙时，为防止探头磨损和保护晶片，宜选用硬保护膜。
×
3.28斜探头楔块前部和上部开消声槽的目的是使声波反射回晶片处，减少声能损失。
×（目的是为了减少杂波）
3.29由于水中只能传插纵波，所以水浸探头只能进行纵波探伤。
×
3.30双晶直探头倾角越大，交点离探测面距离愈远复盖区愈大。
×
3.31有机玻璃声透镜水浸聚焦探头，透镜曲率半径愈大，焦距愈大。
√
3.32利用IIW试块上Φ50mm孔与两侧面的距离，仅能测定直探头盲区的大致范围。
√
3.33当斜探头对准IIW2试块上R5曲面时，荧光屏上的多次反射回波是等距离的。
×
3.34中心切槽的半圆试块，其反射特点是多次回波总是等距离出现。
√
3.35与IIW试块相比CSK-IA试块的优点之一是可以测定斜探头分辨力。
√
3.36调节探伤仪的“水平”旋钮，将会改变仪器的水平线性。
×（调节水平旋钮只是使扫描线连扫描线上的回波一起左右移动一段距离，但不改变回波间距，故也不会改变水平线性）
3.37测定仪器的“动态范圈”时，应将仪器的“抑制”、“深度补偿”旋钮置于“关”的位置。
√
3.38盲区与始波宽度是同一概念。
×（盲区是指从检测面到能够发现缺陷的最小距离，盲区的大小与仪器的阻塞时间和始脉冲宽度有关）
3.39测定组合灵敏度时，可先调节仪器的“抑制”旋钮，使电噪声电平≤l0%，再进行测试。
×
3.40测定“始波宽度”对，
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