P845模拟电路的振荡测试技术.docx

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P845模拟电路的振荡测试技术

“半导体技术”2008年第10期摘要”

趋势与展望

P845-模拟电路的振荡测试技术

技术专栏

P850-X波段AlGaN/GaNHEMTsΓ栅场板结构研究

P855-探测器中扩散结深对光响应度影响的研究

P859-SICMESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

P862-Si材刻蚀速率的工艺研究

P866-90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案

P869-掩模版雾状缺陷的解方法

工艺技术与材料

P872-工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响

P876-大尺寸SI片自旋转磨削表面的损伤分布研究

P880-玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

P885-Ce0.8Gd0.2O1.9-δ氧离子固体电解质的制备

P888-超声波辅助湿法腐蚀制备多晶Si低反射表面

P892-长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

P895-半导体量子点的发光性质研究

封装、测试与设计

P899-电磁外冲对GaAsLNA损伤及其分析

P902-功率发光二级管的寿命预测

P905-扩展电阻技术测试外延片外延厚度误差分析

集成电路设计与开发

P909-基于嵌入式技术的EthernetoverE1网桥系统设计

P913-基于CPLD的Si基液晶芯片显示驱动

P917-125kHzRFID反馈系统稳定性的研究

P923-C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计

P927-采用功率测量负载牵引的阻抗匹配方法

P930-Ka波段介质谐振器的研究

趋势与展望

P845-模拟电路的振荡测试技术

胡庚，王红，杨士元

（清华大学自动化系，北京１０００８４）

摘要：

集成电路设计和制造技术的发展给电路测试带来了巨大的挑战，其中模拟电路的测试是电路测试的难点。

目前在这一领域有许多致力于降低测试难度，节约测试成本的研究。

介绍了一种称为“振荡测试”的模拟电路测试技术，从振荡电路的构造、测试响应的测量和分析等方面综述了振荡测试技术的研究现状，同时总结了振荡测试技术的优点，分析了当前存在的局限性，

并对将来的发展进行了展。

关键词：

集成电路测试；模拟电路；振荡测试

技术专栏

P850-X波段AlGaN/GaNHEMTsΓ栅场板结构研究

王冬冬，刘果果，刘丹，李诚瞻，刘新宇

（中国科学院微电子研究所，北京１０００２９）

摘要：

基于SiC衬底成功研制Ｘ波段0.25μｍ栅长带有Γ栅场板结构的AlGaN/GaNHEMT，对比Ｔ型栅结构器件，研究了Γ栅场板引入对器件直流、小信号及微波功率特性的影响。

结果表明，Γ栅场板结构减小器件截止频率及振荡频率，但明显改善器件膝点电压和输出功率密度。

针对场板长度分别为0.4、0.7、0.9、1.1μｍ，得出一定范围内增加场板长度，器件输出功率大幅度提高，并结合器件小信号模型提参结果分析原因。

在频率８GHz下，总栅宽１mm，场板长度0.9μｍ的器件，连续波输出功率密度7.11Ｗ／mm，功率附加效率（PAE）35.31％，相应线性增益10.25ｄＢ

。

关键词：

AlGaN/GaNHEMTs；Γ栅场板；截止频率；功率密度

P855-探测器中扩散结深对光响应度影响的研究

庄四祥，冯士维，王承栋，白云霞，苏蓉，孟海

（北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京１００１２４）

摘要：

研究了InGaAs/InPPIN探测器中扩散结深对光响应度的影响，对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验，测量了不同结深下器件的I-Ｖ特性和光响应度。

结果表明：

扩散结深对器件的1-Ｖ特性影响不大，而对光响应度影响很大，当结深处在InGaAs吸收层上表面时，光响应度最大值出现在波长1.55μｍ处；而当结深进入衬底InP层后，光响应度最大值则出现在波长１μｍ处。

另外，在闭管扩散实验中，严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键，研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深，为器件的制备提供了参考

关键词：

探测器；光响应度；InGaAs/InP；结深

P859-SICMESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

催晓英1，黄云1，恩云飞1，陈刚2，柏松2

（１．信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广州510610；２.南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室，南京210016）

摘要：

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。

研究了一种国产SiCMESFET器件在300℃温度应力下，存储1000ｈTi／Pt／Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。

实验结果表明在300℃温度应力下，器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势，在实验前期一段时间内退化较快，而在应力后期某

段时间内为渐变并趋于稳定。

关键词：

碳化硅金属肖特基场效应晶体管；肖特基结；栅退化；稳定性

P862-Si材刻蚀速率的工艺研究

蔡长龙，马睿，周顺，刘欢，刘卫国

（西安工业大学光电微系统研究所，西安７１００３２）

摘要：

在采用混合集成方法制造红外热成像阵列器件中，Si的快速刻蚀去除是一个至关重要的问题，它的刻蚀去除质量直接影响红外热成像器件的性能。

介绍了等离子体刻蚀的原理、实验过程和实验方法，通过大量工艺实验和测试详细研究和分析了不同刻蚀气体、射频功率和气体流量等工艺参数对Si刻蚀结果的影响，包括刻蚀速率、刻蚀轮廓垂直度和刻蚀表面粗糙度等。

通过研究，获得了Si材刻蚀效果与各种工艺参数之间的变化关系，得到了快速刻蚀Si材的较好的工艺参数。

关键词：

硅；等离子体刻蚀；刻蚀速率；工艺参

P866-90nm技术中接触层Cu扩散缺陷分析与解决方案

阎海滨1，2，程秀兰1，

（１．上海交通大学微电子学院，上海200030；

２．中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海201203）

摘要：

在90nm工艺时代，接触孔工艺问题对于提升90nm产品的成品率具有重要意义。

基于在90nm工艺中接触孔四周存在的较为严重的Cu扩散问题，通过失效分析，确定引起Cu扩散问题的主要原因是由于光刻胶残留造成的。

通过合理的设计，优化了光刻胶清洗流程，最终达到成品率提升的目的。

关键词：

半导体制造；接触层；铜扩散；缺陷

P869-掩模版雾状缺陷的解方法

陈尧１，２，黄其煜１

（1．上海交通大学微电子学院，上海200240；

２．中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海201203）

摘要：

在光刻波长进入到193nm之后，雾状缺陷（hazedefect）越发严重，研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因。

目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷，通过对这两种方案的对比表明，对掩模版的存储环境进行改善，可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率，提高掩模版的使用寿命，并且整体费用较低，是目前比较可行的方案，掩模版的无S化工艺也是未来发展方向。

关键词：

雾状缺陷；掩模版；存储环境；使用寿命

工艺技术与材料

P872-工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响

费瑾文，汤庭鳌

（复旦大学微电子学系ASIC和系统实验室，上海200433）

摘要：

采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PTZ薄膜与电极之间的界面层电容，使用这种方法对不同工艺条件下制备的PTZ薄膜界面层电容进行了比较。

通过实验发现，不同的Pt溅射温度和PTZ薄膜的退火温度都会对PTZ薄膜与电极之间的界面层产生影响。

高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构，并导致PTZ薄膜与电极之间的界面层特性变差；PTZ薄膜600℃退火得到的薄膜表面均匀致密，界面层电容值最大。

通过不同工艺条件下PTZ薄膜界面层电容的提取比较，获得了调整PTZ薄膜工艺条件的优化参数。

关键词：

PTZ薄膜；界面层；铂溅射温度；二氧化钛；退火温

P876-大尺寸SI片自旋转磨削表面的损伤分布研究

郜伟１，张银霞１，康仁科２

（１.郑州大学机械工程学院，郑州450001；

２.大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁大连116024）

摘要：

为了更好地评价大直径Si片磨削加工损伤深度的大小和分布，提高下道抛光工序的效率，采用角度抛光法和方差分析法研究了Si片表面的损伤分布。

结果表明，采用自旋转磨削方式磨削的Si片表面的损伤分布不均匀，沿圆周方向在〈110〉晶向处的损伤深度比在〈100〉晶向处的损伤深度大，沿半径方向从圆心到边缘损伤深度逐渐增大，损伤深度的最大差值约为2.0μｍ。

该分布规律对检测损伤深度时样品采集位置的选取及提高抛光加工效率均有重要的指导意义。

关键词：

硅片；自旋转磨削；损伤分布

P880-玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

王文彦，秦福文，吴爱民，宋世巍，李瑞，姜辛，徐茵，顾彪

（大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室，辽宁大连116024）

摘要：

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECRPEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜，利用反射高能电子衍射（RHEED）、Ｘ射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测，研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。

结果表明，当沉积温度为250～430℃时，得到的GaN薄膜都呈现高度的C轴择优取向，结晶性较好；薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。

关键词：

电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积；氮化镓；低温沉积；玻璃衬底

P885-Ce0.8Gd0.2O1.9-δ氧离子固体电解质的制备

陈爱莲，陈杨，杨建平

（江苏工业学院机械与能源工程学院，江苏常州213016）

摘要：

掺杂CeO2基复合氧化物是一种很有应用前景的中温固体电解质材料。

以Ce（NO3）3·6H2O、Gd（NO3）3·6H2O为原料，NH4HCO3为沉淀剂，采用雾化共沉淀工艺合成了Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉体。

XRD测定表明，Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉体及其烧结体均为立方萤石结构，符合电解质材料的要求。

TEM图片显示所得粉体呈近球形，分散性较好且具有较高的烧结活性。

将所合成的粉体在1400℃下烧结制得了较致密的固体氧化物电解质陶瓷样品，此烧结温度比普通粉体的烧结温度（＞1600℃）低了200℃以上。

不同温度下所得烧结样品的Arrhenius曲线研究表明，提高致密度对提高电导率具有重要意义。

关键词：

钆掺杂氧化铈；固体电解质；制备

P888-超声波辅助湿法腐蚀制备多晶Si低反射表面

王艺帆，周浪

（南昌大学NCU-LDK太阳能研究中心，南昌330031）

摘要：

为降低光在多晶Si表面的反射，一种以湿法腐蚀为基础，添加超声波震荡的新方法，首次被用来腐蚀多晶Si太阳能电池片。

利用扫描电子显微镜观察发现，此法所制备的多晶Si片表面形成了较多窄而深的沟壑状结构。

其反射谱测试结果表明，此方法所获得的凹凸表面的减反射效果良好，加权反射率达到3.5％；同时减反射效果对入射光波长选择性不明显。

最后，在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入的探讨，认为超声波的空泡特性有利于腐蚀的纵向深入，抑制了腐蚀的横向发展，是形成此沟壑状形貌的主要原因。

关键词：

多晶硅；织构化；湿法腐蚀；超声波

P892-长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

李新政，郑滨

（河北科技大学理学院，石家庄050081）

摘要：

采用复合体模型，探讨了长余辉晶体Y２O２Ｓ:

Eu中碱土金属离子Ｍ２+和Ti4+离子对Ｙ3＋离子的取代，离子间价电子数的差异，会造成掺杂中心的净电荷效应，当掺杂中心的净电荷为正时，掺杂中心起电子陷阱作用；当掺杂中心的净电荷为负时，掺杂中心起空穴陷阱作用。

利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子Ｍ2＋和Ti4+掺杂中