百分题库合集半导体芯片制造中级工试题题库.docx
《百分题库合集半导体芯片制造中级工试题题库.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《百分题库合集半导体芯片制造中级工试题题库.docx（10页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
百分题库合集半导体芯片制造中级工试题题库
[单选]在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。
因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]半导体芯片制造工艺对水质的要求一般．（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]离子源是产生离子的装置。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]片状源扩散具有设备简单，操作方便，晶片缺陷少，均匀性、重复性和表面质量都较好，适于批量生产，应用越来越普遍。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]硅MOSFET和硅JFET结构相同。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加而减小。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]厚膜浆料属于牛顿流体，因此其粘度属于正常黏度。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]钯．银电阻的烧结分预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度的50％。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[单选]门阵列的基本结构形式有两种：
一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]逻辑电路只能处理“非O即1“这两个值。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
A
[单选]双极晶体管中只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。
（）
A．正确
B．错误
参考答案：
B
[问答]集成电容主要有哪几种结构？
参考答案：
①金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
②多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构；
③金属叉指结构；
④PN结电容；
⑤MOS电容。
[问答]什么叫光刻？
光刻工艺质量的基本要求是什么？
参考答案：
光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：
刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。
[问答]集成电路封装有哪些作用？
参考答案：
（1）机械支撑和机械保护作用。
（2）传输信号和分配电源的作用。
（3）热耗散的作用。
（4）环境保护的作用。
[问答]对于大尺寸的MOS管版图设计，适合采用什么样的版图结构？
简述原因。
参考答案：
（1）S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的情况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。
（2）寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大，即叉指的个数较多，如果采用简单并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。
同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。
[问答]为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？
参考答案：
半导体芯片制造，尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。
生产中的污染，除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要汚染来源。
例如，PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道，手汗引起的Na离子沾污会使MOS器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以致失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗粒尘埃附着在光刻胶表面，会使掩膜版与芯片间距不一致，使光刻图形模糊；高温扩散过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速扩散，使结特性变坏。
所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。
[问答]操作人员的质量职责是什么？
参考答案：
操作人员的质量职责是：
（1）按规定接受培训考核，以达到所要求的技能、能力和知识；
（2）严格按工艺规范和工艺文件进行操作，对工艺质量负责；（3）按规定填写质量记录，对其准确性、完整性负责；（4）做好所使用的仪器、设备、工具的日常维护保养工作；（6）对违章作业造成的质量事故负直接责任。
[填空]工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。
参考答案：
真实；完整；数据准确
[填空]光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
参考答案：
前烘；显影；去胶
[填空]用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：
颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。
参考答案：
是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔
[填空]化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
参考答案：
酸性；氧化性
[填空]在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。
参考答案：
光刻胶；洗液
[填空]白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。
参考答案：
干涉色
[填空]半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
参考答案：
离子；能量；退火处理
[填空]外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
参考答案：
化学气相；液相；原子束外延
[填空]抛光片的质量检测项目包括：
几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
参考答案：
厚度；电学参数
[填空]全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含（）、（）、（）和（）。
参考答案：
符号图；抽象图；线路图；版图
[填空]大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
参考答案：
复杂可编程逻辑器件；现场可编程门阵列
[填空]在一个晶圆上分布着许多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫（）。
参考答案：
划片槽
[填空]对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库应包含以下内容：
（）、和（）、（）、（）。
参考答案：
逻辑单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；版图单元库
[填空]在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：
（）
参考答案：
恒定表面源扩散
[单选]人们规定：
（）电压为安全电压．
A．36伏以下
B．50伏以下
C．24伏以下
参考答案：
A
[多选]按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：
（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。
A．电阻加热
B．电子束
C．蒸气原子
参考答案：
AB
[单选]将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。
A．接触
B．接近式
C．投影
参考答案：
A
[单选]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
A．刻制图形
B．绘制图形
C．制作图形
参考答案：
A
[单选]二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
A．预
B．再
C．选择
参考答案：
C
[单选]Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液．
A．碱性
B．酸性
C．中性
参考答案：
A
[单选]在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？
A．干氧
B．湿氧
C．水汽氧化
D．不能确定哪个使用的时间长
参考答案：
A
[单选]恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？
A．高斯函数
B．余误差函数
C．指数函数
D．线性函数
参考答案：
B
[单选]从离子源引出的是：
（）
A．原子束
B．分子束
C．中子束
D．离子束
参考答案：
D
[单选]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
A．能量
B．剂量
参考答案：
B
[单选]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
A．能量
B．剂量
参考答案：
A
[多选]硅外延片的应用包括（）。
A．二极管和三极管
B．电力电子器件
C．大规模集成电路
D．超大规模集成电路
参考答案：
ABCD
[多选]硅外延生长工艺包括（）。
A．衬底制备
B．原位HCl腐蚀
C．生长温度，生长压力，生长速度
D．尾气的处理
参考答案：
ABCD
升级会员 