高考化学物质结构与性质的综合题.docx

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高考化学物质结构与性质的综合题

专题六物质结构与性质

建知识网络明内在联系

突破点21物质结构与性质的综合题

提炼1原子结构与性质

1.基态原子的核外电子排布

（1）排布规律

能量最低原理

原子核外电子总是先占有能量最低的原子轨道

泡利不相容原理

每个原子轨道上最多只能容纳2个自旋方向相反的电子

洪特规则

当电子排布在同一能级的不同轨道时，基态原子中的电子总是优先单独占据一个轨道，而且自旋状态相同

特别提醒能量相同的原子轨道在全满（p6、d10、f14）、半满（p3、d5、f7）和全

空（p0、d0、f0）状态时，体系的能量最低。

如24Cr的基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d54s1，而不是1s22s22p63s23p63d44s2。

（2）四种表示方法

表示方法

举例

电子排布式

Cr：

1s22s22p63s23p63d54s1

简化表示式

Cu：

[Ar]3d104s1

价电子排布式

Fe：

3d64s2

电子排布图（或

轨道表示式）

2.元素第一电离能和电负性的变化规律

同周期（从左到右）

同主族（自上而下）

第一电离能

增大趋势（注意ⅡA、ⅤA的特殊性）

依次减小

电负性

依次增大

依次减小

特别提醒同周期元素，ⅡA族（np0）和ⅤA族（ns2n

p3），因p轨道处于全空

或半满状态，比较稳定，所以其第一电离能大于同周期右侧相邻的ⅢA族、ⅥA族元素，如第一电离能Mg>Al，P>S。

提炼2分子结构与性质

1.共价键的分类

分类依据

类型

形成共价键的原子轨道重叠方式

σ键

“头碰头”重叠

π键

“肩并肩”重叠

形成共价键的电子对是否偏移

极性键

共用电子对发生偏移

非极性键

共用电子对不发生偏移

原子间共用电子对的数目

单键

原子间有一对共用电子对

双键

原子间有两对共

用电子对

三键

原子间有三对共用电子对

【特别提醒】

1单键为σ键；双键或三键，其中一个为σ键，其余为π键。

2配位键为一种特殊的共价键，共用电子由成键原子单方面提供。

3s轨道形成的共价键全部是σ键；杂化轨道形成的共价键全部为σ键。

2．价层电子对互斥理论的两大应用

应用Ⅰ：

判断分子空间构型

略去孤电子对

（1）判断思路：

价层电子对数目→价层电子对空间构型―――――――→分子的空间构型

（2）各种电子对的计算方法及其关系价层电子对数＝中心原子形成σ键电子对数＋中心原子上的孤电子对数①中心原子形成σ键电子对数＝与中心原子结合的原子数目

②中心原子上的孤电子对数＝2（a－xb）

其中a为中心原子价电子数（若为离子，则加上阴离子所带的负电荷数或减去阳离子所带的正电荷数）。

x为与中心原子结合的原子数。

b为与中心原子结合的原子最多能接受的电子数。

（3）常见的分子空间构型与价层电子对空间构型的关系

价层电

子对数

σ键电子对数

孤电子

对数

价层电子对空间构型

分子空

间构型

实例

直线形

BeCl2

平面三角形

BF3

V形

SnBr2

正四面体形

CH4

三角锥形

NH3

V形

H2O

应用Ⅱ：

判断杂化轨道类型

（1）判断思路：

价层电子对数目→杂化轨道数目→杂化类型

（2）相互关系

价层电子对数

杂化轨道数

杂化类型

2sp

3sp

3.分子构型与分子极性的关系

提炼3晶体结构与性质

1.晶体类型的判断

（1）据各类晶体的概念判断，即根据构成晶体的粒子和粒子间的作用力类别进行判断。

如由分子通过分子间作用力（范德华力、氢键）形成的晶体属于分子晶体；由原子通过共价键形成的晶体属于原子晶体；由阴、阳离子通过离子键形成的晶体属于离子晶体；由金属阳离子和自由电子通过金属键形成的晶体属于金属晶体。

（2）据各类晶体的特征性质判断，如低熔、沸点的晶体属于分子晶体；熔、

沸点较高，且在水溶液中或熔融状态下能导电的晶体属于离子晶体；熔、沸点很高，不导电，不溶于一般溶剂的晶体属于原子晶体；能导电、传热、具有延展性的晶体属于金属晶体。

2．立方体（长方体）晶胞组成的计算方法

3．晶胞各物理量的计算对于立方晶胞，可简化成下面的公式进行各物理量的计算：

a3×ρ×NA＝

n×M，a表示晶胞的棱长，ρ表示密度，NA表示阿伏加德罗常数的值，n表示1mol晶胞中所含晶体的物质的量，M表示晶体的摩尔质量

回访1（2016·全国乙卷）锗（Ge）是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。

回答下列问题：

（1）基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]，有个

未成对电子。

（2）Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、三键，但Ge原子之间难以形成双键或三键。

从原子结构角度分析，原因是

（3）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因

GeCl4

GeBr4

GeI4

熔点/℃

－49.5

146

沸点/℃

83.1

186

约400

（4）光催化还原CO2制备CH4反应中，带状纳米Zn2GeO4是该反应的良好催化剂。

Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是。

（5）Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为，微粒

之间存在的作用力是。

（6）晶胞有两个基本要素：

1原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置。

下图为Ge单晶的晶胞，

1111

其中原子坐标参数A为（0,0,0）；B为（12，0，12）；C为（12，12，0）。

则D原子的坐

标参数为

2晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。

已知Ge单晶的晶胞参数a＝565.76pm，其密度为g·cm3（列出计算式即可）。

[解析]

（1）锗元素在周期表的第四周期、第ⅣA族，因此核外电子排布式为[Ar]3d104s24p2，p轨道上的2个电子是未成对电子。

（2）锗虽然与碳为同族元素，但比碳多了两个电子层，因此锗的原子半径大，原子间形成的σ单键较长，p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠，难以形成π键。

（3）由锗卤化物的熔沸点由Cl到I呈增大的趋势且它们的熔沸点较低，可判断它们均为分子晶体，而相同类型的分子晶体，其熔沸点取决于分子量的大小，因为分子量越大，分子间的作用力就越大，熔沸点就越高。

（4）Zn和Ge为同周期元素，Ge在Zn的右边，因此Ge的电负性比Zn的强；O为活泼的非金属元素，电负性强于Ge和Zn，因此三者电负性由大至小的顺序为O、Ge、Zn。

（5）Ge单晶为金刚石型结构，金刚石中碳原子的杂化方式为sp3，因此Ge原子的杂化方式也为sp3。

微粒之间存在的作用力为共价键。

111

（6）①根据题给图示可知，D原子的坐标参数为（4，4，4）。

8×73gm·ol

②每个晶胞中含有锗原子8×1/8＋6×1/2＋4＝8（个），每个晶胞的质量为

晶胞的体积为（565.76×10－10cm）3，所以晶胞的密度为

8×73g·mol。

NA×565.76×1010cm3。

[答案]

（1）3d104s24p22

（2）Ge原子半径大，原子间形成的σ单键较长，p-p轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠，难以形成π键

（3）GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高。

原因是分子结构相似，相对分子量依次增大，分子间相互作用力逐渐增强

（4）O>Ge>Zn

（5）

sp3共价键

回访2（2016·全国甲卷）东晋《华阳国志·南中志》卷四中已有关于白铜的记载，云南镍白铜（铜镍合金）闻名中外，曾主要用于造币，亦可用于制作仿银饰品。

回答下列问题：

（1）镍元素基态原子的电子排布式为，_

3d能级上的未成对电子数为。

（2）硫酸镍溶于氨水形成[Ni（NH3）6]SO4蓝色溶液。

1[Ni（NH3）6]SO4中阴离子的立体构型是。

2在[Ni（NH3）6]2＋中Ni2＋与NH3之间形成的化学键称为，提供孤电

子对的成键原子是。

③氨的沸点（填“高于”或“低于”）膦（PH3），原因是

氨是分子（填“极性”或“非极性”），中心原子的轨道杂化类型为

。

（3）单质铜及镍都是由键形成的晶体；元素铜与镍的第二电离能分

别为：

ICu＝1958kJm·ol－1、INi＝1753kJm·ol－1，ICu>INi的原因是

（4）某镍白铜合金的立方晶胞结构如图所示。

1晶胞中铜原子与镍原子的数量比为。

2若合金的密度为dg·cm－3，晶胞参数a＝nm。

［解析］

（1）Ni是28号元素，根据核外电子的排布规律可知，其基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d84s2。

根据洪特规则可知，Ni原子3d能级上8个电子尽可能分占5个不同的轨道，其未成对电子数为2。

－6＋2－

（2）①SO24－中，S原子的价层电子对数为＋2＝4，成键电子对数为4，故SO24－的立体构型为正四面体。

2＋2＋

②［Ni（NH3）6］2＋中，由于Ni2＋具有空轨道，而NH3中N原子含有孤电子对，两者可通过配位键形成配离子。

3由于NH3分子间可形成氢键，故NH3的沸点高于PH3。

NH3分子中，N原子形成3个σ键，且有1个孤电子对，N原子的轨道杂化类型为sp3，立体构型为三角锥形。

由于空间结构不对称，NH3属于极性分子。

（3）Cu、Ni均属于金属晶体，它们均通过金属键形成晶体。

因Cu元素基态

原子的价层电子排布式为3d104s1,3d能级全充满，较稳定，失去第2个电子较难，因此ICu>INi。

（4）①由晶胞结构图可知，Ni原子处于立方晶胞的顶点，Cu原子处于立方晶

1胞的面心，根据均摊法，每个晶胞中含有Cu原子的个数为6×2＝3，含有Ni

导学号：

14942081】

（1）写出基态As原子的核外电子排布式。

（2）根据元素周期律，原子半径GaAs，第一电离能GaAs。

（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立体构型为，其中As的杂化轨道类型为。

（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是

（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm－3，其晶胞结构如图所示。

该晶体的类型为，Ga与As以键键合。

Ga和As的摩尔质量分别为

MGag·mol－1和MAsgm·ol－1，原子半径分别为rGapm和rAspm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为。

［解析］

（1）A

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