模拟电子技术基础期末复习资料.docx

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模拟电子技术基础期末复习资料

该复习资料，不一定适用于本校，但有比没有要好。

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:

在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:

在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

　*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管，锗管。

*开启电压------硅管，锗管。

分析方法----------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳>V阴（正偏），二极管导通（短路或压降;

若V阳

三、稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

*共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件）

其中ICEO是穿透电流（越小越好），ICBO是集电极反向电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

*输出特性曲线

（饱和管压降，用UCES表示）

放大区---发射结正偏，集电结反偏。

饱和区---发射结正偏，集电结正偏

截止区---发射结反偏，集电结反偏。

根据电位如何判断管子是否处于放大状态：

对NPN管而言，放大时VC＞VB＞VE

对PNP管而言，放大时VC＜VB＜VE

4.温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

5.三极管的极限参数

ICM最大集电极电流

PCM最大的集电极耗散功率

U（BR）CEOC-E间的击穿电压

三.低频小信号等效模型

hie---输出端交流短路时的输入电阻，

常用rbe表示；

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，

常用β表示；

微变等效模型用于分析晶体管在小信号输入时的

动态情况，不能用于静态分析。

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1）改变Rc：

Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。

2）改变VCC：

直流负载线平移，Q点发生移动。

2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和VCC’点VCC’=UCEQ+ICQRL’的直线。

3.静态工作点与非线性失真

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---提高Q。

（2）饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC，降低Q点。

六.阻容耦合共射放大电路的等效电路法

1.静态分析

2.放大电路的动态分析

*放大倍数

*输入电阻

*输出电阻

7.稳定工作点共射放大电路的等效电路法

1．静态分析

2．动态分析

*有旁路电容

*无旁路电容

八.共集电极基本放大电路

1．静态分析

2．动态分析

3.电路特点

*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器。

*输入电阻高，输出电阻低（带载能力强）。

*有电流放大能力。

八.共基电极基本放大电路（高频特性好，展宽频带）

九．复合管的判定：

不同类型的管子复合后，其类型取决于第一个管子。

第三章场效应管及其基本放大电路

一.结型场效应管（JFET）

1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。

结构示意图和电路符号

2.特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

*N-EMOS的转移特性曲线

式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。

三.场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流IDSS

2.夹断电压Up

3.开启电压UT

4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm（表明场效应管是电压控制器件）

四.场效应管的低频小信号等效模型

五.共源基本放大电路

分压式偏置放大电路

*动态分析

第四章多级放大电路

1.级间耦合方式

1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。

但不便于集成，低频特性差。

2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。

体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。

3.直接耦合----低频特性好，便于集成。

各级静态工作点不独立，互相有影响。

存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。

二.多级放大电路的动态分析

1.电压放大倍数

2.输入电阻

3.

输出电阻

三.长尾差放电路（抑制直接耦合电路中的温漂）的原理与特点

1.静态分析

通常，Rb较小，且IBQ很小，

2.动态分析

四.共模信号与差模信号的计算

共模信号：

两输入信号的平均值

差模信号：

两输入信号的差

五．差分放大电路的改进

第五章集成运算放大电路

一.集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。

2.中间级----多采用共射（或共源）放大电路，以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。

二.集成运放的电压传输特性

当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域：

三．理想集成运放的参数及分析方法

1.理想集成运放的参数特征

*开环电压放大倍数Aod→∞；

*差模输入电阻Rid→∞；

*输出电阻Ro→0；

*共模抑制比KCMR→∞；

2.理想集成运放的分析方法

1）运放工作在线性区:

*电路特征——引入负反馈

*电路特点——“虚短”和“虚断”:

“虚短”---

“虚断”---

2）运放工作在非线性区

*电路特征——开环或引入正反馈

*电路特点——

输出电压的两种饱和状态:

当u+>u-时，uo=+Uom

当u+

四．集成运放的读图

第六章放大电路中的反馈

一．反馈概念的建立

＊开环放大倍数－－－Ａ

＊闭环放大倍数－－－Ａｆ

＊反馈深度－－－１＋ＡＦ

＊环路增益－－－ＡＦ：

1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。

2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。

放大器处于“自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断

1.反馈的范围----局部或级间。

2.有无反馈的判断---看输出回路与输入回路是否有联系，有则有反馈，无则没有反馈。

3.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存

在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈

则为交、直流反馈。

4.反馈的类型----正反馈：

反馈的结果使输出量的变化增大的反馈；

负反馈：

反馈的结果使输出量的变化减小的反馈。

对于单个集成运放，若反馈线引至同相端，则为正反馈；反之为负反馈。

反馈极性-----瞬时极性法：

（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示）。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性。

（3）确定反馈信号的极性。

（4）根据Xi与Xf的极性，确定净输入信号的大小。

Xid减小为负反馈；Xid增大为正反馈。

5.反馈的取样----电压反馈：

反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）

电流反馈：

反馈量取样于输出电流。

具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）

6.反馈的方式-----并联反馈：

反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。

串联反馈：

反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

三．基于反馈系数的电压放大倍数的分析

（1）判断反馈的组态；

（2）求解反馈系数；

（3）利用反馈系数求解放大倍数。

深度负反馈下，

四．基于理想集成运放的电压放大倍数的分析

合理应用虚短和虚断。

五.负反馈对放大电路性能的影响

1.提高放大倍数的稳定性

2.扩展频带

3.减小非线性失真及抑制干扰和噪声

4.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加

*并联负反馈使输入电阻减小

*电压负反馈使输出电阻减小（稳定输出电压）

*电流负反馈使输出电阻增加（稳定输出电流）

五.自激振荡产生的原因和条件

1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为：

第七章信号的运算与处理

分析依据------“虚断”和“虚短”

1.基本运算电路

1.反相比例运算电路

R2=R1同相求和运算电路

R1弦波振荡器的组成、分类

*正弦波振荡器的组成

（1）放大电路-------建立和维持振荡。

（2）正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。

（3）选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

（4）稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。

*正弦波振荡器的分类

（1）RC振荡器-----振荡