模拟电路考试精彩试题10套和问题详解.docx

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模拟电路考试精彩试题10套和问题详解

实用文档

坑爹的模电

试卷编号01

⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯

一、填空(本题共20分,每空1分):

1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。

2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。

3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。

4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降

的主要原因是__________的影响。

5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。

6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7.某多级放大器中各级电压增益为:

第一级25dB、第二级15dB、第三级60dB,放大器的总增益为__________,

总的放大倍数为__________。

8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻Re对__________信号的放大无影响,对__________

信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比KCMR为__________之比。

9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。

 

图1

二、判断(本题共

10分,每小题

1分,正确的打√,错误的打×):

1、(

)构成各种半导体器件的基础是

PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。

2、(

)稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、(

)在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、(

)若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。

5、(

)通常,甲类功放电路的效率最大只有

40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。

6、(

)一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。

7、(

)根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。

8、(

)要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。

9、(

)在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,

在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。

10、(

)在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于

1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。

三、选择(本题共

20分,每个选择2

分):

1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为

0V,-10V,-9.3V,则此三极管是(

A.NPN型硅管;B.NPN型锗管;C.PNP

型硅管;

D.PNP型锗管;

2.为了使放大电路

Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻

R的值(

)。

b

A.增大

B.

不变

C.

减小

3.典型的差分放大电路中

Re(

)。

A.对差模信号起抑制作用

B.

对共模信号起抑制作用

C.对差模信号和共模信号均无作用

4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为

20V,则其共模输入电压为(

)。

A.40V

B.20V

C.10V

D.5V

5.电流源的特点是(

)。

A.

交流电阻大,直流电阻小;

B.

交流电阻小,直流电阻大;

C.交流电阻大,直流电阻大;

D.

交流电阻小,直流电阻小。

6.影响放大电路高频特性的主要因素是(

)。

A.

耦合电容和旁路电容的存在;

B.

放大电路的静态工作点不合适;

标准文案

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C.半导体管的非线性特性;D.半导体管极间电容和分布电容的存在;

7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。

A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位;

C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大

8.有T1、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,ICEO=200μA;T2的β=100,ICEO=10μA;T3的β=10,ICEO=

100μA,其它参

9.数基本相同,则实用中应选()

A.T1管;B.T2管;C.T3管

9.交流反馈是指()

A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈;

C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈;

10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和()

A.基本共射放大电路;B.基本共集放大电路;C.反相比例运算电路;D.同相比例运算电路;四、分析与计算(本题共50分):

1.(本小题10分)电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益Ausf。

 

图2

 

2.(本小题10分)电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值Uo的数值各为多少?

(1)正常

情况时;

(2)电容虚焊时;(3)RL开路时;(4)一只整流管和电容C同时开路时。

 

图3

3.(本小题12分)如图4所示电路中,A为理想运放,Vcc=16V,RL=8Ω,R1=10kΩ,R2=100kΩ,三极管的饱

和管压降UCES=0V,Uo=-10V。

(1)合理连接反馈电阻R2;

(2)设A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率Pom;

(3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。

 

标准文案

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图4

4.(本小题18分)

电路图5中,C、C和C的容量足够大,晶体管的β=

50,r

bb’

=200Ω,V=0.7V,R=2kΩ,

13E

BEQ

S

RB1=25kΩ,RB2=5kΩ,RC=5kΩ,RL=5kΩ,RE1=1.7kΩ,RE2=300Ω,VCC=12V。

计算:

(1)电路的静态工作点;

(2)电压放大倍数AuS、输入电阻Ri和输出电阻RO。

 

图5

试卷编号02

⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯一、填空(本题共18分,每空1分):

1.本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度

________空穴浓度;在N型

半导体中,自由电子浓度________空穴浓度。

2.放大电路中,测得三极管三个电极

1,2,3的电位为U1

3.5V,U22.8V,U312V

;则该三极管是________型,

电极1为________,2为________,3为________。

3.射极输出器的特点是:

电压放大倍数

________,输入电阻________,输出电阻________。

4.半导体三极管属________控制器件,而场效应管属________控制器件。

5.正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是

AF________,φA+φB=________。

6.若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流,应选用

________反馈。

7.文氏电桥正弦波振荡器用________网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反馈系数

F=________,

F=________。

二、简答(本题共10分,每小题5分):

1.什么是零点漂移,产生的原因是什么,抑制零点漂移最有效的方法是什么?

2.什么是交越失真,如何克服交越失真?

三、分析与计算(本题共72分):

标准文案

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1.(本小题15分)放大电路如图示1,

b1

8

b2

52

,R

C

=8.7kΩ,

Re=1.3KΩ,rbb300

,+V

CC

=+15V,

R

k

R

k

β=20,UBE=0.7V,电容容量足够大,求:

⑴静态工作点;⑵电压放大倍数

Au;⑶输入电阻Ri和Ro;⑷若RS=1k

Ω,求Aus;⑸若Ce开路,求Au。

 

2.(本小题12分)电路如图2所示,

Rb1

Rb2

5k,RC1

RC230k,Re20k,T1和T2的性能一致,

VCC15V,VEE15V;rbe1

rbe2

4k

,12

50;试求:

⑴:

求Aud,Rid;⑵:

电路改成从

T2的集电极与地之间输出时

Aud

 

3.(本小题15分)电路如图3所示,已知:

VCC20V,VCC20V,RL8,输入电压

ui102sinwt(V),T1和T2的性能一致,死区影响和UCES均可忽略。

试求:

输出功率Po,电源消耗功率PV及能量转换效率η,每管功耗PT。

 

4.(本小题15分)反馈电路如图4所示,试回答:

⑴:

该电路引入了何种反馈(极性和组态);

⑵:

该反馈对输入和输出电阻有何影响(增大或减小);

⑶:

在深度负反馈条件下,求电压增益Auf。

 

标准文案

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图3图4

 

5.(本小题15分)电路如图5所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压Uo1,Uo2,Uo的表达式。

 

图5

 

试卷编号03

⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯

一、填空(本题共

20分,每空1分):

1、构成各种半导体器件的基础是

PN结,它具有

特性。

2、稳压二极管根据击穿机理可以分为

击穿和

击穿。

3、三极管正常工作(起放大作用)必须具备的两个外部条件是

4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有

耦合、

耦合和

耦合。

5、在集成电路中,高阻值电阻多用

BJT或FET等有源器件组成的

电路来代替。

6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现

,在整个信号周期内,三极管的导通角θ等于

7、在集成运放中,一般采用差分放大电路来克服

现象。

8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的

,要消除它,则必须采用

的方

法来破坏电路自激振荡的条件。

9、在深度负反馈条件下,闭环增益主要取决于

,而与开环增益基本无关。

10、正弦波振荡电路主要由

这四个部分组成。

二、单项选择(本题共

20分,每小题2分):

1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将(

)。

A增大

B

减小

C

不变D

等于零

2.当稳压管在正常稳压工作时,其两端施加的外部电压的特点为(

)。

标准文案

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A反向偏置但不击穿B正向偏置但不击穿C反向偏置且被击穿D正向偏置

且被击穿

3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是()。

A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性

C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响

4.差动放大电路的主要特点是()。

A有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B既放大差模信号,又放大共模信号

C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D既抑制差模信号,又抑制共模信号。

5.互补输出级采用射极输出方式是为了使()。

A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能

力强

6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。

A可获得较高增益B可使温漂变小

C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻

7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是()。

A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和分布电容的影响

C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不合适

8.当信号频率等于放大电路的

fL和fH时,放大倍数的数值将下降到中频时的(

)。

A

0.5

倍B

0.7

C0.9

倍D1.2

9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后(

),则说明引入的是负反馈。

A

输入电阻增大

B

输出量增大

C

净输入量增大

D

净输入量减小

10.

在RC桥式正弦波振荡电路中,当相位平衡条件满足时,放大电路的电压放大倍数(

)时电路可以起振。

A

等于1/3

B

等于1

C

等于3

D

略大于3

三、分析与计算(本题共

60分):

V=12V,各个电容的容量足够大,

R=Rc=R=5kΩ,R=25

1.(本小题20分)

如图1所示电路中,设电路中

kΩ,Re=1kΩ,Rf=300Ω,晶体管的β=

CC

b1

L

b2

100,BE=0.7V,rbb’=100Ω。

U

(1)估算电路静态工作点;

(2)画出简化的h参数等效电路;

(3)计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

 

图1

 

2.(本小题10分)电路如图2所示,其中A1、A2、A3、A4均为理想运放,试推导出输出电压uO与输入电压uI1、uI2

 

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的关系式。

 

图2

3.(本小题10分)试判断图3所示的两个电路是否有可能产生正弦波振荡,如可能振荡,指出该电路属于什么类

型,并写出其振荡频率的近似表达式,设电容

b,e很大,在交流通路中可视为短路,图

(a)中

L

1、2之间的互感

为M。

CC

L

 

图3(a)图3(b)

 

4.(本小题20分)电路如图4所示,已知R=2.4KΩ,C=0.1μF,集成运算放大器的性能理想,运放的电源电压为

±8V,由A1组成的电路能够产生稳定的正弦波输出,R4=R5=10kΩ,UR=2V,稳压管的稳定电压为±6V,试回答下列问题:

(1)在图中标出A1的同相输入端和反相输入端(上“+”下“-”还是上“-”下“+”?

);

(2)写出R

t

与R的关系表达式,指出

R

t

应具有正还是负温度系数;

1

(3)求出输出正弦波的频率f0;

(4)画出输出电压uO与uO1的传输特性曲线;

 

图4

试卷编号04

⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯

标准文案

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一、填空(本题共20分,每空1分):

1.共射极放大电路中,若增加输入的正弦波信号,首先出现输出电压顶部削平的失真,这种失真是________失真,

原因是静态工作点偏________。

2.在集成运放中,电流源电路的主要作用有两种:

一是为放大电路提供合适的________,二是作为放大电路的

________。

3.场效应管的转移特性如图1所示。

由图可知该管的IDSS=________,UGS(off)=________。

4.负反馈放大电路产生自激振荡的幅度条件是________,相位条件是________。

5.在放大电路中,引入电压负反馈可以稳定________、降低________。

6.串联型稳压电路一般由调整管、________电路、________电路、________电路这几个部分组成。

7.多级放大电路常见的三种耦合方式为:

阻容耦合、

________耦合和________耦合。

8.从结构上看,集成运放通常由________电路、输入级、________和输出级四部分组成。

9.功率放大电路如图2。

(设UBE>0时,管子立即导通,忽略管子的饱和压降)电路最大输出功率

P=________,

Omax

最大效

率max=________,T1和T2的耐压

iD(mA)

+VCC(+12V)U(BR)CEO

至少应为________。

6

T1

 

3

uI

RL

uo

T2

8

-6

-3

0

uGS

-VCC(-12V)

2

(V)

图1

 

电路如图3所示。

试用相位平衡条件判断是否有可能产生振荡。

图中电容CE、CB、CS、CG的容量足够大,对交流来

说可视为短

 

3.(本小题8分)电路如图4(a)和(b)所示。

图中各电容的容量足够大,试判断电阻R引入的反馈类型。

(说明反馈是正、负、交流、直流、电压、电流、串联、并联反馈中的哪些类型)

 

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图4(a)

图4(b)

三、分析与计算(本题共

68分):

β=50,rbb’=300Ω,UBE=0.6V,

1.(本小题20分)放大电路及参数如图

5所示。

其中,管子的

(1)画出直流通路,估算电路的静态工作点

I、I

、U

BQ

EQCEQ

(2)画出交流通路,计算电路的放大倍数

Au

、输入电阻

i和输出电阻

o的值;

R

R

 

图5

2.(本小题10分)电路如图6所示,A为理想运放,R1=1kΩ,Rf=10kΩ,RE=1kΩ,Vcc=9V,

(1)判断电路所属的反馈组态;

(2)在深度负反馈条件下,近似计算此电路的电压放大倍数。

 

图6

 

3.(本小题10分)文氏电桥振荡电路如图7所示。

(1)请在图中标出运算放大器A两个输入端的正、负极性;

(2)估算满足起振条件时电阻R1至少应为多少?

(3)设运放A具有理想的特性,若要求振荡频率为480Hz,试计算R的阻值。

 

标准文案

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图7

4.(本小题10分)一单电源互补对称功放电路如图8所示,设Ui为正弦波,晶体管的饱和管压降UCES可忽略不计,

最大不失真输出功率为9W,求:

(1)电源电压至少应为多少?

(2)若输入电压Ui的最大有效值为8V,此时负载上能够获得的最大功率为多少?

 

图8

 

5.(本小题18分)

电路如图

9所示。

图中A1~A4均为理想运算放大器,稳压管

DZ的稳压值UZ=12V,I1与

I2均为

u

u

直流电压信号。

(1)求O1,

O2;

uu

(2)写出uO3的表达式,设

t=0时,uC=0;

u变为-12V?

(3)已知t=0时,u=+12V,问接通电源多长时间后

O4

O4

 

图9

 

标准文案

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试卷编号05

⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯

一、填空(本题共20分,每空

1分):

1、N型半导体中多数载流子是

________,P型半导体中多数载流子是________。

2、PN结的导电特性是________。

3、晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结

________,集电结________。

4、晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数

I________,V________,β________。

CBO

BE

5、经测试某电路中晶体管的基极电位为

0.7V,发射极电位为

0V,,集电极电位为

5V,则该管是________型的晶体

管,工作在________状态。

6、场效应管是一种________元件,而晶体管是

________元件。

7、多级放大电路的耦合方式有

________、________、________。

8、如果想要改善电路的性能,

使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小,

应该在电路中引入________反馈。

9、有源滤波器的功能是________,按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、

________、________和全通滤

波五种。

10、正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是

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