半导体所各室奖励奖励情况及列表精.docx
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半导体所各室奖励奖励情况及列表精
半导体所2007年各室奖励奖励情况及列表
成果：
完成人
成果名称
奖励等级
奖励金额（元）
备注
李晋闽等
直拉6英寸砷化镓单晶生长技术
省部级二等奖
8000
著作：
作者
书名
类型
作者排名
奖励金额（元）
备注
王守觉
《多维空间仿生信息学入门》
著作
1
20000
夏建白
《半导体科学与技术》
编著
2
5000
许振嘉
《半导体的检测与分析》
编著
1
10000
陈弘达
《微电子与光电子集成技术》
编著
1
10000
祝宁华
《光电子器件微波封装和测试》
编著
1
10000
谭平衡
《碳材料的拉曼光谱》
译著
1
5000
总计
论文：
部门：
超晶格室（共元）（影响因子共）基数：
500元
第一作者
刊名
单位排序
影响因子
影响因子逼近值
奖励金额（元）
备注
李树深
Appl.Phys.Lett
1
3.977
4..0
2000
李树深
J.Appl.Phys
1
2.255
2.25
1125
李树深
Phys.Lett.A
1
1.34
1.25
625
李树深
ChinesePhysics
1
1.256
1.25
625
王莉
J.Appl.Phys
1
2.255
2.25
1125
骆军委
Appl.Phys.Lett
1
3.977
4..0
2000
王飞
Appl.Phys.Lett
1
3.977
4..0
2000
周越
Phys.Rev.A
1
2.97
3.0
1500
张秀文
Appl.Phys.Lett.
2
3.977
4..0
1000
张秀文
Appl.Phys.Lett.
2
3.977
4..0
1000
张秀文
Appl.Phys.Lett.
2
3.977
4..0
1000
张秀文
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4..0
2000
张秀文
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4..0
2000
张秀文
Phys.Rev.B
2
3.075
3.0
750
张秀文
Phys.Rev.B
2
3.075
3.0
750
张秀文
J.Appl.Phys.
2
2.255
2.25
562.5
张秀文
J.Appl.Phys.
1
2.255
2.25
1125
张秀文
Eur.Phys.J.B
1
1.720
1.75
875
张秀文
J.Phys.D:
Appl.Phys.
1
1.957
2.0
1000
朱元慧
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
王建伟
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4..0
2000
李彦超
Phys.Rev.A
1
2.902
3.0
1500
李彦超
J.Appl.Phys
1
2.255
2.25
1125
袁子刚
Phys.Rev.A
1
2.902
3.0
1500
袁子刚
Phys.Rev.A
1
2.902
3.0
1500
孙征
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4..0
2000
孙征
Solid.StateCommun.
1
1.523
1.5
750
孙征
J.Luminescence
1
1.518
1.5
750
徐仲英
J.Luminescence
1
1.518
1.5
750
孙征
ActaPhysicaSinica
1
1.25
1.25
625
张杨
MaterialsScienceinSemiconductorProcessing
1
1.038
1.0
500
王雪峰
J. Appl. Phys
1
2.255
2.25
1125
王雪峰
Phys.Lett.A.
1
1.34
1.25
625
刘永辉
J.Appl.Phys
1
2.255
2.25
1125
妙维
Jpn.J.Appl.Phys
1
1.096
1.0
500
张万成
IEEETrans.OnNanotechnology
1
3.176
3.25
1625
张万成
Nanotechnology
1
3.322
3.25
1625
张万成
IEEETrans.CircuitsSyst.I-Regul.Pap.
1
1.139
1.25
625
张万成
IEICETrans.Electron
2
0.508
0.5
125
许强
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
李新奇
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
王世宽
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
王世宽
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
骆钧炎
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
骆钧炎
J.Chem.Phys.
2
3.105
3.0
1000
焦虎军
Phys.Rev.B
1
3.075
3.0
1500
郝瑞亭
J.Phys.D:
Appl.Phys
1
1.957
2
1000
郝瑞亭
J.Phys.D:
Appl.Phys
1
1.957
2
1000
黄社松
SOLIDSTATEPHENOM
1
0.523
0.5
250
黄社松
J.CrystalGrowth
1
1.707
1.75
875
黄社松
ChinesePhysicsLetters
1
1.176
1.25
625
赵欢
J.CrystalGrowth
1
1.707
1.75
875
倪海桥
Appl.Phys.Lett
2
3.977
4..0
2000
倪海桥
J.CrystalGrowth
1
1.707
1.75
875
彭红玲
ACTCPHYSICASINICA
1
1.25
1.25
625
吴兵朋
ChinesePhysicsLetters
1
1.176
1.75
875
王玮竹
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4..0
2000
邓加军
J.Magn.Magn.Mater.
1
1.212
1.25
625
郑玉宏
Chin.Phys.Lett.
1
1.176
1.25
625
毕京锋
ChinesePhysics
1
1.559
1.5
750
谭平恒
Actaphysicasinica
2
1.25
1.25
312.5
谭平恒
Carbon
1
3.884
4.0
2000
谭平恒
ApplPhysLett
1
3.977
4.0
2000
谭平恒
PhysicaE
1
0.898
1.0
500
常凯
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4.0
2000
刘江涛
Appl.Phys.Lett.
1
3.977
4.0
2000
李国华..
Phys.Stat.Sol（b）.
1
0.967
1.0
500
李兆峰
J.Phys.D:
Appl.Phys.
2
2.077
2.0
500
李兆峰
OpticsCommunications
1
1.581
1.5
750
甘华东
SolidStateCommunications
1
1.523
1.5
750
朱汇
JOURNALOFINFRAREDANDMILLIMETERWAVES
1
0.147
0.25
125
部门：
光电子工艺中心（共元）影响因子共基数：
500元
第一作者
刊名
单位排序
影响因子
影响因子逼近值
奖励金额（元）
备注
黄永箴
IEEEPhoton.Technol.Lett.
1
2.552
2.5
1250
杨跃德
IEEEPhoton.Technol.Lett.
1
2.552
2.5
1250
杨跃德
Phys.Rev.A
1
2.902
3.0
1500
杨跃德
Phys.Rev.A
1
2.902
3.0
1500
杨跃德
IEEEJ.QuantumElectron.
1
3.675
3.75
1875
陈沁
IEEEJ.QuantumElectron.
1
3.675
3.75
1875
陈沁
OpticsLetters
1
3.599
3.5
1750
陈沁
OpticsLetters
1
3.599
3.5
1750
李俊杰
OpticsLetters
1
3.599
3.5
1750
肖金龙
Chin.Phys.Lett.
1
1.176
1.25
625
张建国
Appl.Phys.Lett
1
3.977
4..0
2000
陈平
Appl.Phys.Lett
1
3.977
4..0
2000
郭剑川
JournalofLightwaveTechnology
1
2.077
2.0
1000
薛春来
Chin.Phy.Lett.
1
1.176
1.25
625
唐海侠
ChinesePhysicsB
1
1.559
1.5
750
时文华
J.Mater.Science&Tech.
1
0.175
0.25
125
姚飞
Semi.Science&Tech.
1
2.152
2.25
1125
姚飞
ACTAPHYSICASINICA
1
1.250
1.25
625
姚飞
Chin.Phy.Lett.
1
1.176
1.25
625
李运涛
OPTICSLETTERS
1
3.599
3.5
1750
李运涛
CHINESEPHYSICSLETTERS
1
1.176
1.25
625
李智勇
CHINESEPHYSICSLETTERS
1
1.176
1.25
625
余和军
IEE
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