电工电路初级实训.docx
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电工电路初级实训
表1：
电阻器的各部分字母意义
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用字母表示主称
用字母表示材料
用数字或字母表示电阻器的分类
用数字表示序号
符号
意义
符号
意义
符号
意义
R
电阻器
T
碳膜
1
普通
W
电位器
P
硼碳膜
2
普通
U
硅碳膜
3
超高频
H
合成膜
4
高阻
I
玻璃釉膜
5
高温
J
金属膜
6或7
精密
Y
氧化膜
8
高压
S
有机实心
9
特殊
N
无机实心
G
高功率
X
线绕
T
可调
C
沉积膜
X
小型
G
光敏
L
测量
W
微调
D
多圈
表2：
四色环、五色环电阻器上色环的意义
颜色
第一位
有效数字
第二位
有效数字
倍率
允许
误差
颜色
第一位
有效数字
第二位
有效数字
第三位
有效数字
倍率
允许
误差
棕
1
1
101
棕
1
1
1
101
1%
红
2
2
102
红
2
2
2
102
2%
橙
3
3
103
橙
3
3
3
103
黄
4
4
104
黄
4
4
4
104
绿
5
5
105
绿
5
5
5
105
0.5%
蓝
6
6
106
蓝
6
6
6
106
0.25%
紫
7
7
107
紫
7
7
7
107
0.1%
灰
8
8
108
灰
8
8
8
108
白
9
9
109
白
9
9
9
109
黑
0
0
100
黑
0
0
0
100
金
10－1
5%
金
10－1
银
10－2
10%
银
10－2
无
20%
v电容器的型号命名
C字母数字/字母数字
第一部分用字母C表示电容器的主称；
第二部分用字母表示构成电容器的介质材料；
第三部分用数字或字母表示电容器的类别；
第四部分用数字表示生产序号。
表3：
电容器中第二部分介质材料字母代号的意义
字母代号
介质材料
字母代号
介质材料
A
钽电解
L
聚酯
B
聚苯乙烯
N
铌电解
C
高频陶瓷
O
玻璃膜
D
铝电解
Q
漆膜
E
其他材料电解
T
低频陶瓷
G
合金电解
V
云母纸
H
纸膜复合
Y
云母
I
玻璃釉
Z
纸介
J
金属化介质
表4：
电容器中第三部分类型代号的意义
代号
瓷介电容
云母电容
有机电容
电解电容
1
圆形
非密封
非密封
箔式
2
管形
非密封
非密封
箔式
3
叠片
密封
密封
非固体
4
独石
密封
密封
固体
5
穿心
6
支柱等
7
无极性
8
高压
高压
高压
9
特殊
特殊
G
高功率型
J
金属化型
Y
高压型
W
微调型
v电容器容量的数码标示方法
单位为pF；
第一位表示有效数值；
第二位表示有效数值；
第三位表示倍乘数，如表5所示。
表5：
电容器容量数码法倍乘数意义
标示数字
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
倍乘数
100
101
102
103
104
105
106
107
108
10－1
v电容器容量的色环标示方法
棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白、黑代表1、2、3、4、5、6、7、8、9、0；轴式电容器第一环表示温度系数；最靠近引线的第一环、第二环表示有效数字；第三环表示倍乘数；第四环表示容许误差；远距离最后一环表示电压等级。
国标单位制标示方法：
2μ2=2.2μF、4n7=4.7nF
v电容器引脚极性标示方法
长脚表示正极引线，短脚表示负极引线；若有标志特征的则为负极。
v电感器的型号命名
L（ZL）字母字母字母
第一部分用字母L（ZL）表示电感的主称，其中“L”为电感线圈，“ZL”为阻流圈；
第二部分用字母表示电感器的特征；
第三部分用字母表示电感器的类型；
第四部分用字母表示区别代号。
v电感器的电感量的色环标示方法
第1、2环表示两位有效数字，第三环表示倍乘数，第四环表示允许误差。
表6：
小型固定电感器额定电流、误差代码和等级误差
字母代号
额定电流
误差代码
等级误差
A
50mA
Ⅰ
±5%
B
150mA
Ⅱ
±10%
C
300mA
Ⅲ
±20%
D
700mA
E
1.6A
表7：
国产晶体二极管的型号意义
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
符号
意义
符号
意义
符号
意义
意义
意义
2
二极管
A
B
C
D
E
N型锗材料
P型硅材料
N型硅材料
P型锗材料
化合物材料
P
W
Z
L
N
K
F
S
U
普通管
稳压管
整流管
整流堆
阻尼管
开关管
发光管
隧道管
光敏管
表示产品序号，如第一、二、三部分相同，仅此部分不同，则表示同类型管在某些性能上有差别
规格可缺
表8：
韩国三星电子公司半导体三极管型号、极性和用途
型号
极性
功率（mW）
fr（MHz）
用途
9011
NPN
400
150
高频
9012
PNP
625
150
功放
9013
NPN
625
140
功放
9014
NPN
450
80
低放
9015
PNP
450
80
低放
9016
NPN
400
500
超高频
9018
NPN
400
500
超高频
表9：
国产晶体三极管型号意义
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
符号
意义
符号
意义
符号
意义
意义
意义
3
三极管
A
B
C
D
E
PNP型锗材料
NPN型硅材料
PNP型硅材料
NPN型锗材料
化合物材料
X
G
D
A
K
T
U
低频小功率管
高频小功率管
低频小功率管
低频小功率管
开关管
闸流管
光电管
表示产品序号，如第一、二、三部分相同，仅此部分不同，则表示同类型管在某些性能上有差别
规格可缺
表10：
功率管的散热片尺寸
型号
额定功率
无散热片时功率
典型功率要求的散热片尺寸（长×宽×厚）mm
3AD6
10W
1W
5W
50×50×3
10W
140×140×3
3AD30
20W
2W
15W
175×175×3
20W
220×220×3
表11：
红外发光二极管参数
符号
单位
HG310
HG450
HG520
正向工作电压
IF
Ma
50
180
3000
反向击穿电压
VR
V
＞5
≥5
管压降
VF
V
≤1.5
≤1.8
≤2
反向漏电流
IR
μA
≤50
≤100
光功率
Po
Mw
1～2
5～20
100～650
光波长
λP
Nm
940
940
940
最大功耗
Pm
mW
75
300
6000
表12：
光电二极管与光电三极管性能指标比较
性能指标
光电二极管
光电三极管
光电流
小
大
灵敏度
较低
高
输出特性曲线
好
差
响应时间
快
慢
v光电耦合器的性能指标
①正向电压UF，使发光二极管正向导通的最小电压；
②输出电IL，正向电压时的输出电流；
③反向击穿电压UBR。
v光电三极管引脚：
靠近色标且引脚较长的是e、较短的是c
v可关断晶闸管的型号
第一部分用字母K表示晶闸管的主称；
第二部分用字母K表示可关断晶闸管；
第三部分用数字表示通态额定平均电流；
第四部分用数字表示重复峰值电压；
第五部分用数字表示电路换向关断时间。
表13：
3CT系列晶体闸流管参数
型号
IT（A）
（额定正
向均流）
VDRM（V）
（正向阻
断峰压）
IGT（mA）
（控制触
发电流）
VGT（V）
（控制触
发电压）
IH（mA）
（维持
电流）
小型晶闸管
3CT021~024
3CT031~034
3CT041~044
3CT051~054
3CT061~064
0.1
0.2
0.3
0.5
1
200~1000
0.01~10
0.01~15
0.01~20
0.05~20
0.01~30
≤1.5
0.4~20
0.4~30
0.5~30
0.8~30
≤2
表14：
石英晶体型号的意义
第一部分（外壳）
第二部分（晶片切型）
第三部分（性能与尺寸）
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
J
金属壳
A
AT切型
H
HT切型
B
玻璃壳
B
BT切型
M
MT切型
S
塑料壳
C
CT切型
N
NT切型
D
DT切型
U
WX切型
E
ET切型
X
X切型
F
FT切型
Y
Y切型
G
GT切型
表15：
国产半导体集成电路的命名符号及意义
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
主称
分类
系列品种和代号
工作温度范围
封装形式
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
C
T
TTL
根据第二部分的符号和相对应的类型而定，每一类型的集成电路都有一系列的品种代号。
例：
⑴CT3020ED表示肖特基系列双4输入与非门。
⑵CC14512MF表示8选1数据选择器。
C
0~75
W
陶瓷扁平
H
HTL
E
－40~85
B
塑料扁平
E
ECL
R
－550~85
F
金属扁平
C
CMOS
M
－55~125
P
塑料直插
F
线性
D
陶瓷直插
D
音响电视
T
金属壳圆形
W
稳压
J
接口
B
非线性
M
存储器
μ
微处理器
v继电器的型号命名
J字母字母数字字母
第一部分用字母J表示继电器的主称；
第二部分用字母表示继电器的功率或类型；
第三部分用字母表示继电器的外形特征；
第四部分用1~2数字表示序号；
第五部分用字母表示继电器的封装形式。
表16：
继电器型号中字母的意义
功率或类型
外形特征
封装形式
符号
意义
符号
意义
符号
意义
W
微功率
W
微型
F
封闭型
R
小功率
C
超小型
M
密封型
Z
中功率
X
小型
Q
大功率
G
干式
A
干簧
S
湿式
M
磁保持
H
极化
P
高频
L
交流
S
时间
U
温度
表17：
色环保险丝各种颜色的意义
额定电流（mA）
第一环颜色
第二环颜色
第三环
第四环
颜色
倍率
25
红
绿
黑
100
时间电流特性随保险丝的规格而定
100
棕
黑
棕
101
1000
棕
黑
棕
101
2000
红
黑
红
102
5000
绿
黑
红
102
10000
棕
黑
橙
103
v国产单结晶体管的型号命名
BT3数字字母
第一部分用字母B表示半导体管；
第二部分用字母T表示特种管；
第三部分用3表示3个电极；
第四部分用数字表示耗散功率；
第五部分用字母表示特性参数分类。
v单结晶体管的引脚
靠近特征标志的为E，顺时针依次为B1、B2。
表18：
国产2AP型二极管技术参数
参数
型号
最大整流电流/mA
（平均值）
最大反向工作电压/V
反向击穿电压/V
（电流为400μA）
正向电
流/μA
（电压为1V）
反向电流/μA
（电压为10、25、50、100V）
截止频率/MHz
结电容/pF
2AP1
2AP2
2AP3
2AP4
2AP5
2AP6
2AP7
16
16
25
16
16
12
12
20
30
30
50
75
100
100
≥40
≥45
≥45
≥75
≥110
≥150
≥150
≥2.5
≥1.0
≥7.5
≥5.0
≥2.5
≥1.0
≥5.0
≤250
150
≤1
2AP8A
2AP8B
≥5
≥8
15
≥20
≥4.0
≥6.0
≤200
150
≤1
2AP9
2AP10
2AP10B
10
20
20
≥65
8.0
≤200
100
≤1
表19：
国产2CZ型二极管技术参数
型号
额定整流电流IF/A
正向电压降UF/V
反正向电流IR/μA
不重复正向浪涌电流ISUR/A
工作频率f/kHz
最高结温Tj/℃
散热器规格（mm3）或面积
125℃
140℃
150℃
2CZ50
0.03
≤1.2
80
5
0.6
3
150
2CZ51
0.05
1
2CZ52A-H
0.01
≤1.0
100
10
2
2CZ53C-K
0.03
6
2CZ54B-G
0.50
10
2CZ55C-M
1
20
60×60×1.5
2CZ56C-K
3
≤0.8
100
20
65
140
60×60×1.5
2CZ57C-M
5
105
100cm2
2CZ58
10
1500
2000
4000
30
210
200cm2
2CZ59
20
420
400cm2
2CZ60
50
900
600cm2
表20：
国产2CZ最高反向工作电压URM分档标志意义
标志
URM/V
标志
URM/V
标志
URM/V
标志
URM/V
标志
URM/V
A
25
F
400
K
900
P
1800
U
2800
B
50
G
500
L
1000
Q
2000
V
3000
C
100
H
600
M
1200
R
2200
D
200
I
700
N
1400
S
2400
E
300
J
800
O
1600
T
2600
表21：
国产2CW型二极管技术参数
型号
最大耗散功率PZ/mW
最大工作电流IZM/mA
最高结温TjM/℃
稳定电压UZ/℃
电压温度系数CTU（10-4/℃）
动态电阻
（稳压电流）
rZ1/Ω
（1mA）
rZ1/Ω
（5mA）
2CW50
2CW51
2CW52
2CW53
2CW54
2CW55
250
83
150
1.0~2.8
≥－9
300
50
71
2.3~3.5
400
60
55
3.2~4.5
≥－98
550
70
41
4.0~5.8
－6~4
550
50
38
5.5~6.5
－3~5
500
30
33
6.2~7.5
≤6
400
15
2CW56
2CW57
2CW58
2CW590
2CW60
250
27
150
7.0~8.8
≤7
400
15
26
8.5~9.5
≤8
20
23
9.2~10.5
25
20
10.0~11.8
≤9
30
19
11.5~12.5
40
2CW72
2CW73
2CW74
2CW75
2CW76
2CW77
2CW78
250
29
150
7.8~8.8
≤7
12
6
25
8.5~9.5
≤8
18
10
23
9.2~10.5
≤9
25
12
21
10~11.8
30
15
20
11.5~12.5
35
18
18
12.2~14
≤9.5
35
18
14
13.5~17
45
21
表22：
国产2DW型二极管技术参数
型号
最大耗散功率PZ/mW
最大工作电流IZM/mA
最高结温TjM/℃
稳定电压UZ/℃
电压温度系数CTU（10-4/℃）
动态电阻
（稳压电流）
rZ1/Ω
（1mA）
rZ1/Ω
（5mA）
2DW230
2DW231
2DW232
2DW233
2DW234
2DW235
2DW236
2500
150
30
5.6~6.6
6.0~6.5
5
25
15
10
表23：
国产锗合金低频小功率三极管技术参数
型号
PCM/
mW
ICM/
mA
TjM/
℃
UBR
（CBO）
/V
UBR
（CEO）
/V
ICBO/
μA
UCES/
V
β
fB/
KHz
NF/
dB
3AX31M
A
B
C
D
E
F
125
125
75
≥15
≥6
≤25
≤0.65
80~400
≥8
≤15
≥20
≥12
≤20
40~180
≤8
≥30
≥18
≤12
≥40
≥24
≤6
≤4
20
≥12
≤12
3BX31M
A
B
C
125
125
75
≥15
≥6
≤25
≤0.65
80~400
≥8
≥20
≥12
≤20
≥30
≥18
≤12
40~180
≥40
≥24
≤6
3AX52A
B
C
D
150
150
75
≥30
≥12
≤12
40~150
500
≤8
≥18
30~100
≥24
25~70
3AX81A
B
200
200
75
≥20
≥10
≤30
≤0.65
≥6
≥30
≥15
≤15
≥8
3BX81A
B
200
200
75
≥20
≥10
≤30
≤0.65
≥6
≥30
≥15
≤15
≥8
表24：
国产锗合金低频大功率三极管技术参数
型号
PCM/
mW
ICM/
mA
TjM/
℃
UBR
（CBO）
/V
UBR
（CEO）
/V
ICBO/
μA
UCES/
V
β
fB/
KHz
3AD50A
B
C
10
3
90
50
18
2.5
≤200
20~140
4
60
24
≤100
70
30
≤70
3AD51A
B
C
10
2
50
18
≤60
4
60
24
45
70
30
≤50
3AD53A
B
C
20
6
50
18
12
≤35
2
60
2
70
30
3AD56A
B
C
50
15
60
30
15
3
80
45
100
60
表25：
国产锗合金高频小功率三极管技术参数
型号
PCM/
mW
ICM/
mA
TjM/
℃
UBR
（CBO）
/V
UBR
（CEO）
/V
ICBO/
μA
rbb/
V
β
fB/
KHz
NF/
dB
3AG56A
B
C
D
E1
E2
F
50
10
75
≥0.8
≥10
≤7
≤200
≤100
≤70
≤60
≤45
≤50
≤35
40~270
40~180
≥25
≤6
≤5
≤4
≤4
≤3
≤5
≥50
≥65
≥80
≥100
≥120
表26：
国产硅平面型高频小功率三极管技术参数
型号
PCM/
mW
ICM/
mA
TjM/
℃
UBR
（CBO）
/V
UBR
（CEO）
/V
ICBO/
μA
Cob/V
β
fB/
KHz
NF/
dB
3DG100A
B
C
D
100
20
150
≥4
20
≤0.1
≤4
≥30
15
30
20
300
30
3DG102A
B
C
D
100
20
150
20
150
30
20
300
30
3DG110A
B
C
D
E
F
300
50
175
15
≤5
150
30
45
15
300
30
45
3DG121A
B
C
D
500
100
175
30
≤0.2
≤8
150
45
30
300
45
3DG130A
B
C
D
700
300
≥30
≤1
≤10
150
≥45
≥30
300
≥45
3DG141A
B
C
100
15
≥10
≤0.1
≤2
≥20
600
≤6
≤4
≤2.5
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