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VoLTEMOS占比指标提升指导书

VOLTEMOS3.0占比指标提升指导书

V1.0.0

1VoLTEMOS3.0占比指标概述4

1.1VoLTEMOS采样机制4

1.2MOS差的影响4

1.3影响MOS的因素4

2MOS低分析流程5

3优化界定方案6

3.1故障告警6

3.2上行干扰6

3.3下行质差7

3.4切换异常9

3.5TA越区覆盖11

3.6MR弱覆盖11

4MOS低问题解决案例12

4.1RLC分片功能部署提升MOS案例12

4.1.1功能介绍12

4.1.2功能实施12

4.1.3效果评估13

4.2通过优化上下链路不平衡小区改善MOS案例14

4.2.1功能介绍14

4.2.2方案实施14

4.2.3效果评估15

4.3通过开启上行NI频选功能改善MOS案例15

4.3.1功能介绍15

4.3.2方案实施16

4.3.3效果评估16

4.4通过调整语音业务的HARQ传输次数改善MOS案例16

4.4.1功能介绍16

4.4.2效果实施16

4.4.3效果评估17

VoLTEMOS3.0占比指标概述

VoLTEMOS采样机制

语音质量主要体现在清晰、不失真、再现平面声象等几个方面。

早期语音质量的评价方式是凭人们在打通电话之后通过人耳来感知语音质量好坏的主观评价方式。

国际电信联盟ITU为这种语音质量的主观评价方式制订了相关的评测标准,即我们所熟知的MOS。

VoLTE语音MOS采样机制如下:

(1)主叫起呼,进行录音(8s左右);

(2)被叫放音,主叫收音,被叫记录第1个MOS采样点(8s);

(3)主叫放音,被叫收音,主叫记录第1个MOS采样点(8s);

(4)被叫放音,主叫收音,被叫记录第2个MOS采样点(8s,与第1个采样点间隔16s);

(5)主叫放音,被叫收音,主叫记录第2个MOS采样点(8s,与第1个采样点间隔16s);

(6)被叫放音,主叫收音,被叫记录第3个MOS采样点(8s),如此类推……

MOS差的影响

MOS是广泛认同的语音质量标准,当MOS大于3时,用户使用VoLTE业务通话不会影响交流,而在MOS小于3时,基本无法听清,严重影响用户感知。

下表是MOS分值与用户感知对应表。

级别

MOS分值

用户满意度

4.0-5.0

很好,听得清楚,无失真杆,无延迟感

3.5-4.0

稍差,听得清楚,延迟小,有点杂音

3.0-3.5

可以接受,有一定延迟,可以交流

1.5-3.0

勉强,听不太清,有较大杂音或断续,失真严重

0-1.5

极差,静音或完全听不清,杂音很大

影响MOS的因素

MOS值的直接影响因素为:

端到端时延、抖动、丢包;

VoLTE端到端时延可以分解为:

UE语音编/解码时延、空口传输时延、核心网的处理时延、传输网的传输时延。

丢包和抖动的影响因素包括:

空口信号质量、eNB负载、传输网的丢包和抖动。

故将以上因素分解后,MOS的影响因素包括:

语音编码、覆盖、干扰、切换、邻区、基站故障、传输、核心网、测试终端、人为操作失误等。

MOS低分析流程

针对MOS低问题小区优化分析思路流程如下:

优化界定方案

故障告警

核查问题小区及周边一圈层邻近小区是否存在影响业务的故障告警,若存在影响业务的故障告警,优先处理故障告警;

影响业务的告警如下:

处理建议:

网元断链、设备掉电形成的弱覆盖,GPS失步引起的干扰等均会影响周边用户的通话质量,针对相应的故障进行故障处理。

上行干扰

小区级系统上行每个PRB上检测到的干扰噪声的平均值大于-110,即可判定该小区为上行干扰小区;

上行干扰对MOS的影响分析:

上行干扰与MOS指标相关性较高,上行干扰水平越高,MOS指标劣化越明显,下图是1月15日到2月6日期间,唐山全网上行丢包率随干扰水平的变化的趋势图,可以看出,上行干扰时影响上行丢包率的关键因素之一。

干扰特征和干扰原因如下:

整体抬升

阻塞干扰

其它

其它干扰

部分载波高

谐波干扰

滚降

杂散干扰

干扰器

干扰器干扰

复合干扰(滚降+整体抬升)

复合干扰(杂散+阻塞)

系统内干扰

系统内干扰

上行干扰类问题处理建议:

结合现场进行干扰排查和处理,调整P0NominalPusch参数等;

下行质差

CQI用以表示下行信道的质量,eNodeB根据CQI信息选择合适的调度算法和下行数据块大小,以保证UE在不同无线环境下都能获取最优的下行性能。

CQI值由UE测量并上报。

LTE规范中没有明确定义CQI的测量方式,只定义了CQI的选取准则,即保证PDSCH的解码错误率(即BLER)小于10%所使用的CQI值。

也就是说,UE需要根据测量结果(比如SINR)评估下行链路特性,并采用内部算法确定此SINR条件下所能获取的BLER值,并根据BLER<10%的限制,上报对应的CQI值。

LTE系统中规定CQI取值为1~15,其对应的调制方式以及码率关系如下:

因此介于调制方式的选择,定义CQI小于7的占比大于50%,可判定该小区为下行质差小区;前台测试中,判断质差的经验标准为:

RSRP>-100dBm,SINR<=1。

下行质差对MOS影响分析:

用户投诉在朝阳西道与大理北路交口附近“VOLTE通话不清楚”,派专人到投诉区域测试发现,投诉区域路段存在SINR<0现状,现状拨打VOLTE电话,通话存在”杂声,断续”问题,经分析发现问题区域内,TSLUB0418路北区雅颂居-ZLHD-001(PCI:

132)与TSLUB0089路北区空军机场-ZLHF-001(PCI:

342)存在模三干扰,导致SINR质差,2月19日调整TSLUB0089路北区空军机场-ZLHF-001的覆盖范围,收缩其覆盖,调整后SINR基本提升到10以上,VOLTE通话正常,观察平台指标,调整前后,TSLUB0418路北区雅颂居-ZLHD-001与TSLUB0089路北区空军机场-ZLHF-001小区MOS3.0占比指标明显提升,由85%上升到90%以上。

优化前现场测试图如下:

优化后现场测试图如下:

小区MOS3.0占比指标变化折线图如下(修改日期为2月19日):

下行质差类问题优化建议:

进行干扰排查、PCI核查、重叠覆盖核查;

切换异常

由于切换参数设置不当,导致切换不及时、频繁切换及eSRVCC切换失败等现象,会严重影响MOS评分,给用户带来较差的语音体验感知。

以频繁切换为例:

测试车辆由西向东行驶至翔云道与大理北路交叉口路段,该区域主要占用TSLUB0125路北区三隆奶厂-ZLHD-001(PCI:

60),TSLUB0231路北区天元帝景东北-ZLHD-003(PCI:

26),TSLUB0165路北区天元帝景-ZLHD-002(PCI:

46),TSLUB0165路北区天元帝景-ZLHD-003(PCI:

128)等小区,由于重叠覆盖严重,切换次数增加,MOS变差。

将TSLUB0165路北区天元帝景-ZLHD-003小区功率下调6db,TSLUB0165路北区天元帝景-ZLHD-002小区机械下倾角下压2度,质差消失,MOS由1.47提升至4左右。

优化前测试图如下:

优化后测试图如下:

切换问题处理建议:

结合现场进行RF优化、切换门限优化以及添加周边有效网元为邻区关系,保证通话的持续性及良好的通话环境。

TA越区覆盖

问题小区的TA区间值大于该小区覆盖方向最近站距的1.5倍,即可判定为越区覆盖。

TA区间与距离对应关系如下:

用户随机接入时TA值在区间X范围的接入次数

TA值(1TA=78.12m)

距离(km)

0

0-1

0-0.08

1

2--3

0.16-0.23

2

4--7

0.31-0.55

3

8--13

0.63-1.02

4

14-25

1.09-1.95

5

26-45

2.03-3.52

6

46-85

3.59-6.64

7

86-185

6.72-14.45

8

186-385

14.53-30.08

9

386-685

30.15-53.51

10

686-985

53.59-76.95

11

大于985

大于76.95

越区覆盖对MOS影响分析:

越区覆盖易形成MOD3干扰以及导频污染等现象,影响其他区域SINR值,进而影响MOS。

越区覆盖类问题处理建议:

针对越区覆盖小区,结合现场进行RF优化调整、功率调整、邻区核查等;

MR弱覆盖

宏站小区弱覆盖采样点大于20%,室分小区弱覆盖采用点大于10%,即可定位为弱覆盖小区;

MR弱覆盖对MOS影响分析:

以现网1月21日数据为例,现网宏小区不同MR弱覆盖区间下行丢包率折线图如下,可以看出,在弱覆盖比例大于10%时,MOS3.0占比指标开始劣化,当弱覆盖比例大于20%时,MOS3.0占比出现严重劣化,因此得出小区MR弱覆盖是影响小区MOS3.0占比指标的结论。

弱覆盖类问题处理建议:

结合现场进行RF优化、功率优化、新增RRU拉远、新增规划站点解决;

MOS低问题解决案例

结合MOS提升优化经验,NI频选功能,RLC分片功能等功能可以有效提升MOS3.0占比指标;针对特定TOP小区,HARQ传输次数,参考功率等参数是经常性修改参数,提升MOS3.0占比指标效果明显。

下面针对具体功能开启或参数修改举例介绍。

RLC分片功能部署提升MOS案例

RLC分片功能部署功能影响上行丢包率指标,通过RLC分片功能调整可以改善上行丢包率,进而提升MOS指标。

功能介绍

在上行远点调度,RLC拆片过多,调度效率低下,UE弃包严重。

RLC分片限制功能期望通过限制语音包的RLC最大分片段数,抬升单次调度的语音包大小,配合重传合并增益,降低单个语音包在空口的传输时延,进而减少终端PDCP层语音包弃包。

这样在UE侧的弃包可以缓解,虽然HARQ失败的机率相对上升,但对比RLC分片过多导致的弃包会产生累积效果,HARQ失败仅造成部分空口丢包,对整体端到端的连续丢包是有帮助的。

功能实施

选取TSLUB0164路北区天元大厦-ZLHD-001小区做效果验证,分别在不同的信号强度下测试并对QCI1丢包率及MCS等指标作对比分析;对比发现在“上行限制拆片数目功能开关”开启后丢包率及MCS等指标有较明显改善,下表是具体验证效果。

场景RSRP(dBm)

分段

MCS

时延(s)

抖动(ms)

丢包率(%)

-80

25

3.61

17.59

0

26

2.32

17.37

0

-85

27

3.77

16.58

0.24

26

2.75

16.12

0.19

-90

28

4

16.98

0.05

18

2.54

16.89

0.02

-100

18

3.96

17.59

0.23

17

3.19

17.06

0.18

-105

13

3.34

15.26

0.03

17

2.51

11.58

0.02

-110

14

2.42

6.68

0.43

14

3.15

6.05

0.27

-120

7

4.87

15.24

0.31

11

4.54

15.54

0.24

后续验证发现当上行限制拆片数设置为4时,上行丢包率指标改善效果最明显,由此建议将上行限制拆片数设置为4,并作全网推广;

效果评估

唐山区域2016年11月25日通过网络升级,全网开启RLC分片功能,上行限制拆片数设置为4,开启后网络MOS3.0占比由96.13%提升值96.28%,QCI1上行丢包率由0.52%降至0.48%,优化效果明显。

通过优化上下链路不平衡小区改善MOS案例

功能介绍

当小区的PHR<0占比大于MR弱覆盖比例,我们认为此小区存在上行受限问题,即上下行链路不平衡,这类小区即使下行无线环境良好,也会出现MOS评分低问题。

PHR分析理论推导过程如下:

☐理论推导(考虑了终端功率+用户分布+MR覆盖+小区功率):

✓服务小区A下的终端发射功率:

Txpower≈(23-PHR)

✓终端达到高干扰小区B的路损PL≈Rspwr-CellBRSRP,

✓则服务小区A的终端对于高干扰小区B的上行干扰量Na≈(23-PHR)-(Rspwr-CellBRSRP);

✓服务小区A的所有终端对于高干扰小区B的上行干扰量=∑Na

✓而高干扰小区B相邻的所有小区下终端对于高干扰小区B的上行干扰量N=∑Na+∑Na+∑Na+∑Na+…

其中:

✓PHR:

MR.LteScPHR,终端的发射功率余量;

✓CellBRSRP:

干扰小区作为邻小区的MR测量报告;

✓Rspwr:

小区的Rs功率配置。

方案实施

提取河北省11个地市CRS功率情况,发现唐山市CRS大于21/18/15dBm小区占比均较高,其中CRS功率大于21dBm的小区占比达到52.64%,比其他地市占比高。

CRS功率设置过大是唐山上下行链路不平衡问题的主要原因;

地市

小区数目

小区数(CRS功率大于或等于21dBm)

小区占比(CRS功率大于或等于21dBm)

小区数(CRS功率大于或等于18dBm)

小区占比(CRS功率大于或等于18dBm)

小区数(CRS功率大于15dBm)

小区占比(CRS功率大于15dBm)

唐山市

23596

12420

52.64%

17213

72.95%

18839

79.84%

石家庄市

25156

2314

9.20%

5745

22.84%

6006

23.88%

沧州市

20325

1788

8.80%

14228

70.00%

15627

76.89%

保定市

27148

1899

6.99%

12261

45.16%

12437

45.81%

邯郸市

19306

1248

6.46%

6049

31.33%

7308

37.85%

邢台市

16177

341

2.11%

2533

15.66%

2620

16.20%

承德市

12122

113

0.93%

1622

13.38%

1655

13.65%

秦皇岛市

12704

72

0.57%

8278

65.16%

8301

65.34%

衡水市

12580

54

0.43%

5509

43.79%

5778

45.93%

廊坊市

16272

31

0.19%

8761

53.84%

8809

54.14%

张家口市

13963

17

0.12%

10167

72.81%

10207

73.10%

全省

199351

20297

10.18%

92366

46.33%

97587

48.95%

鉴于上面分析,选取现网上下行链路不平衡,MOS3.0占比低且功率大于18的83个小区,2017年3月1日将这些小区参考功率减低3dBm。

效果评估

3月1日参考功率调整后,由于平台统计MOS出现异常,无法提供准确的参考,对比2月21日到3月6日其他指标,上行丢包率降低0.18%,下行丢包率降低0.07%;数据流量有明显降低,降幅为2.31%,其余指标变化不大。

丢包率的改善会从一定程度上提升MOS。

通过开启上行NI频选功能改善MOS案例

功能介绍

LTE中参考信号均匀的分布在RB中,上行NI频选功能可以实现对信道特性的估计,从而在分配资源时充分考虑这些情况,选择频域特性好的资源承载用户数据,使UE在调度上选择低NI的PRB来改善丢包情况。

方案实施

选取人流量较大的核心商业区地段作为验证区域,分别在功能关闭及三种配置的场景下进行验证,当NI频选设置为新传重传都打开时,测试MOS指标改善效果最为明显;11月4日完成对全网NI频选开关“新传重传都打开NI频选”的设置,开启后,网络MOS得到改善:

效果评估

核心商业区地段NI频选不同功能验证效果如下表,其中NI频选设置为新传重传都打开时,测试MOS指标改善效果最为明显;

开关开启情况

MOS

时延(s)

抖动(ms)

丢包率

关闭NI频选

3.876

3.244

17.401

0.20%

新传打开NI频选

3.92

3.153

17.816

0.10%

重传打开NI频选

3.926

3.39

16.991

0.20%

新传重传都打开NI频选

3.945

3.138

16.701

0.00%

当NI频选设置为新传与重传都打开时,对MOS值、丢包率、抖动时延等VOLTE关键指标均有所改善。

通过调整语音业务的HARQ传输次数改善MOS案例

功能介绍

丢失或出错的数据的重传主要是由MAC层的HARQ机制处理的,该机制能够提供快速重传,提升数据包传输的可靠性和准确性,上/下行语音业务的HARQ传输次数即是确定出错语音包重传次数的参数,增大该参数可以提升丢包率,提升语音通话质量,代价是牺牲语音包的实时性。

效果实施

选取唐山子网2作为实验验证区域,将“上/下行语音业务的HARQ传输次数”由4次修改为8次,修改后观察全网指标,MOS3.0占比及上下行平均丢包率指标提升明显,其它指标正常波动,于是12月5日下午15:

00完成对全网上/下行语音业务的HARQ传输次数由4至8的修改调整。

效果评估

12月5日下午15:

00完成对全网上/下行语音业务的HARQ传输次数由4至8的修改调整,调整后观察到MOS3.0占比由97.02%提升至97.42%,QCI1上行丢包率由0.5%降至0.4%左右,下行丢包率由0.35%降至0.25%左右,显示调整后MOS3.0占比指标明显改善。

通过防止乒乓A2事件策略开关改善MOS

功能介绍

该参数是防止乒乓A2事件策略开关,用于确定是否打开防止基于负载均衡与基于覆盖间乒乓切换的A2事件策略,由于防止乒乓A2事件定时器为2S,在这段时间内不会触发异频测量,从而达到减少异频切换次数,提升MOS。

方案实施

选取丰润双频网区域,发生乒乓切换且发生负荷均衡触发切换的站点共计49个,打开防止乒乓A2事件策略开关开启前后MOS3.0占比指标变化评估;参数修改后,乒乓切换次数减少,MOS指标略有提升。

效果评估

防止乒乓A2策略开关由关闭修改为打开后,MOS3.0占比略有提升,由于实验站点较少

提升效果不是很明显,后期将对双频网站点进一步修改。

通过调整A3迟滞判决范围改善MOS

功能介绍

该参数是Mn+Ofn+Ocn-Hys>Ms+Ofs+Ocs+Off同频切换Hys,表示同频切换测量事件的迟滞,现网值为0,该值越大越容易防止乒乓和误判。

方案实施

具体参数修改策略为:

乒乓切换次数>=100,乒乓切换次数比例在[5%,20%)且mos3.0占比<99.80%基站,基站同频切换A3判决迟滞范围(dB)由0修改为1;乒乓切换次数>=100且乒乓切换次数比例在20%以上且mos3.0占比<99.80%基站,基站同频切换A3判决迟滞范围(dB)由0或1.5修改为2,共选择满足以上条件514个基站做为实验区域

效果评估

参数修改后,数修改区域MOS3.0指标由修改前的96.99%提升到97.18%,提升幅度为0.19%,参数未修改区域MOS3.0指标由修改前的96.25%提升到96.38%,提升幅度为0.13%,即参数修改对MOS3.0占比指标提升贡献为0.06%

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