半导体照明术语及定义芯片外延片.docx

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半导体照明术语及定义芯片外延片

外延

术语

1、外延生长（Epitaxy）

2、量子阱（QuantumWell）

3、能带工程（Energybandengineering）

4、半导体发光二极管（LightEmittingDiode）

5、PN结的击穿（PNjunctionStriking）

6、金属有机化学汽相沉淀积（MetalOrganicChemicalVaporDeposition）

7、异质结构（HeterogeneousStructure）

8、量子阱半导体激光器（QuantumWellLaser）

9、超晶格（SuperLattice）

Epitaxy：

外延制程（垒晶）

GaP：

磷化镓

n-GaN：

N型氮化镓

p-GaN：

P型氮化镓

GaAs：

砷化镓

GaN：

氮化镓

AlInGaP：

磷化铝镓铟（铝铟镓磷）

AlGaAs：

砷化铝镓（铝镓砷）

InGaN铟镓氮

AlGaN铝镓氮

Wafer：

晶片、外延片

分析仪器

1、XRD：

X射线衍射仪，主peakGaN分析仪器

2、PL：

荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的QW。

3、Hall：

霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及SheetResistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。

4、SEM（ScanningElectronMicroscopy）：

扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。

5、Microscope：

显微镜

6、DifferentialMicroscopy（Nikon-OPTIPHOT）：

晶相（金相）显微镜，用以观测磊芯片表面的型态（morphology）。

7、EDS：

能量分色散光谱仪，EDS之仪器构造主要是由一个硅（锂）固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。

8、MOCVD（MetalOrganicChemicalVaporDeposition）：

金属有机化学汽相沉淀积

9、TEM：

透射电子显微镜，测量截面的微细构造，可测量量子井阱、缓冲层以及超晶格的微细构造厚度及接口（界面）状况。

10、SIMS：

二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。

芯片（Chip）

1、LED（LightEmittingDiode）：

发光二极管

2、reversemountingtype薄芯片LED：

反向粘着型薄芯片LED（倒装芯片）

3、GaNLED：

氮化镓发光二极管

4、UVLED：

紫外线二极管（紫外发光二极管）

5、ChipProcessing：

芯片制程

6、Photolithography：

光刻，将图形从光罩（掩膜版）上成象到光阻上的过程。

7、Photoresist：

光刻胶（光阻），是一种感光的物质，经紫外光曝光后会变得很硬而不溶解于腐蚀剂。

其作用是将Pattern从光刻版（掩膜版）（Reticle）上传递到Wafer上的一种介质。

其分为正光阻和负光阻。

（第13条与此条合并）

8、Etching：

蚀刻

9、WetEtching：

湿式（法）蚀刻，将芯片浸没于化学溶液中，将进行光刻制程前所沈沉积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利用化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除，以完成转移光罩图案（掩膜版图形）到薄膜上面的目的。

10、DryEtching：

干式（法）蚀刻，干式蚀刻主要是利用低压放电，将气体电离成电浆，使气体透过电场解离，产生具有反应及方向性的离子。

接着，将晶圆（晶片）置于带有负电的阴极，使带有正电的离子因物理作用而以垂直角度撞击晶圆（晶片）表面，就可得到垂直蚀刻。

11、Evaporation：

蒸镀，利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。

12、Lift-off：

剥离，用bluetape（蓝膜）把金属弄走。

14、Mask：

光刻版（掩膜版），是一石英玻璃，上面會鍍上一層影像。

（e.g.TCL,p-pad,n-pad）其原理和拍照用的菲林一樣。

15、PhotoresistCoating：

上光刻胶（光阻涂敷）

16、SoftBake：

软烤，其主要目的是通过SoftBake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。

17、HardBake：

硬烤，是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

18、Exposure：

曝光，是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩（掩膜版）上的图形传递到Wafer上的过程。

19、PEB（PostExposureBake）：

是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。

其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。

20、Development：

显影，类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。

21、Nozzle：

喷嘴

22、BARC（BottomAntiReflectiveCoating）：

是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质。

23、TARC（TopAntiReflectiveCoating）：

是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。

24、Iline：

曝光过程中用到的光，由MercuryLamp（汞灯）产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。

25、DUV：

曝光过程中用到的深紫外光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。

26、ExposureField：

曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域。

27、Stepper：

一种曝光机，其曝光动作为Stepbystep形式,一次曝整個exposurefield,一個一個曝過去。

28、Scanner：

一种曝光机，其曝光动作为Scanningandstep形式,在一個exposurefield曝光時,先Scan完整個field,Scan完後再移到下一個field。

29、Energy：

曝光量

30、Focus：

焦距

31、Reticle：

光掩模板或者光罩（掩膜版），也称为Mask，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。

32、Pellicle：

是Reticle上为了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩（掩膜版）的图形面上的一层保护膜。

33、OPC（OpticalProximityCorrection）：

为了增加曝光图案（掩膜版图形）的真实性，做了一些修正的光罩（掩膜版），例如，0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩（掩膜版）。

34、PSM（PhaseShiftMask）：

不同于Crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contactlayer以及较小CD的Criticallayer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。

35、CRMask：

傳統的鉻膜光罩（掩膜版）,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical的layer

36、Track：

Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：

Wafer的前、后处理，Coating（上光阻），和Develop（显影）等过程。

37、WaferEdgeExposure（WEE）：

由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将WaferEdge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。

38、PostExposureBake（PEB）：

其功能在于可以得到质量较好的图形。

（消除standingwaves）

39、Overlay：

迭对测量仪

40、ADICD（AfterDevelopInspectionCriticalDimension）：

曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常；光罩图案（掩膜版图形）中最小的线宽。

曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。

因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。

41、CD-SEM：

扫描电子显微镜，是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。

42、RTMS（ReticleManagementSystem）：

光罩（掩膜版）管理系统，用于trace光罩（掩膜版）的History,Status,Location,andInformation以便于光罩（掩膜版）管理。

43、TRACK：

涂胶显影机

44、Sanner：

扫描曝光机

45、NA：

曝光机的透镜的数值孔径;是光罩（掩膜版）对透镜张开的角度的正玹值.最大是1;先进的曝光机的NA在0.5---0.85之间。

46、k1*Lamda/NA：

分辨率

47、Lamda：

用于曝光的光波长

48、SEM（ScanElectronicMicroscope）：

扫描电子显微镜，光刻部常用的也称道CDSEM，用它来测量CD。

49、Die：

一个功能完整的芯片，一个Die也叫一个Chip，一个Field可包含多个Die

50、Foundation：

底座

51、pellicle：

透明膜

52、cleanroom：

超净室

53、Pattern：

图形，通常是指掩膜版上的图形

54、DOF（DepthOfFocus）：

也叫与照相中所说的景深相似.

55、ImagePlan：

像平面

56、InFocus：

重合

57、Resin；树脂

58、Photosensitizer：

光敏剂

59、Solvent：

溶剂

60、Additives：

添加

61、PAC（PhotoActiveCompound）：

光活性化合物

62、PECVD：

等离子体增强化学气相淀积仪（台），第75条与此条合并

63、RIE：

等离子刻蚀反应离子蚀刻机

64、RTP：

快速退火炉

65、Sapphire：

蓝宝石

66、Bonding:

邦定，蜡打在陶瓷板中心,将写有芯片编号的纸放在蜡上,再打蜡在纸上,将芯片背面朝上放在蜡上,芯片平边与编号纸平边相吻合，将下面的空气压出。

陶瓷板放在电热板上,加热到105-110℃。

67、Grinding：

研磨，把sapphire用蜡焊方法固定在陶瓷板上，再将陶瓷板装在硏磨机的驱动器，启动真空掣吸住陶瓷板。

68、Polishing:

抛光

69、Scribe：

切割（划片）

70、Break：

崩裂

71、Pickdie：

选取晶粒

72、Sort:

分选

73、Bin:

类别

74、ICP-RIE：

感应耦合等离子体-反应离子刻蚀

76、E-beamevaporator：

电子束蒸发台

77、Sputter：

溅射

78、Probing：

探测

79、DominantWavelength：

主波长

PeakWavelength：

峰值波长

80、ForwardVoltage：

正向电压

81、Leakagecurrent：

漏电电流/反向电流

82、Intensity（mcd）；光强