风华贴片安规电容规格书.docx
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风华贴片安规电容规格书
*新型独石结构,体积小,电容量高,能在高压下工作。
*符合UL60950-1标准。
*仅用于回流焊接。
*它们实用于薄型设备。
●应用范围
*适合于无变压器的DAA调制调解器线路滤波器及耦合用。
*适合信息设备线路滤波器用。
●Features
*AvailableforequipmentbaseonUL60950-1.
*Onlyforreflowsoldering
*Fitforuseonthintypeequipment.
●Application
*IdealforuseonlinefiltersandcouplingsforDAAmodemswithouttransformers.
*Idealforuseonlinefiltersforinformationequipment.
二、结构及尺寸STRUCTUREANDDIMENSIONS
※
型号Type尺寸Dimensions（mm
英制表示
British
expression
公制表示
Metric
expression
LWTWB180845204.50±0.402.00±0.20≤2.500.75±0.25
181245324.50±0.403.20±0.30≤3.500.80±0.30
222057505.70±0.405.00±0.40≤3.501.00±0.40
222557635.70±0.506.30±0.50≤3.501.00±0.40备注:
可根据客户的特殊要求设计符合客户需求的产品。
Note:
Wecandesignaccordingtocustomerspecialrequirements.
WB
安全规格认证多层片式陶瓷电容器SafetyRecognizedMLCC
一、特性
三、型号规格表示方法HOWTOORDER
Y208B/102K302NT
①②③④⑤⑥⑦⑧
※说明NOTES:
①代号Code:
X1Y2X2Y3X1安规电容器Y2安规电容器X2安规电容器Y3安规电容器
②尺寸DIMENSIONS单位（unit:
inch/mm
代号08122025尺寸规格
SizeCode
1808181222202225长×宽
（L×Winch
0.18×0.080.18×0.120.22×0.200.22×0.25
长×宽
（L×Wmm
4.50×2.004.50×3.20
5.70×5.005.70×
6.30
③介质种类DIELECTRICSTYLE
介质种类（DielectricCodeCGB/
介质材料（DielectricCOG或NPOX7R
④标称容量NOMINALCAPACITANCE位（unit:
pF
表示方式（ExpressMethod
实际值
（ActualValue
注:
头两位数字为有效数字,第三位数字为0
的个数;R为小数点。
Note:
thefirsttwodigitsaresignificant;third
digitdenotesnumberofzeros;R=decimalpoint.
10210×102
22222×102
⑤容量误差CAPACITANCETOLERANCE
代码（CodeJKM
误差（Tolerance±5.0%±10.0%±20%
⑥工作电压RatedVoltage单位（unit:
V
工作电压交流250V
⑦端头材料TERMINALMATERIALSTYLES
端头类别（TerminationStyles表示方式（ExpressMethod三层电镀端头（NickelBarrierTerminationN
⑧包装方式PACKAGESTYLES
BT
散包装（BulkBag编带包装（TapingPackage
※以最新版本的内容为准
项目X1、X2安规电容器
材料COG
X7R
代号0812202508
122025尺寸1808
1812
2220
2225
1808
1812
2220
2225
电容量
2PF5PF6.8PF8.2PF10PF15PF22PF33PF47PF56PF68PF82PF100PF120PF150PF180PF220PF270PF330PF470PF680PF820PF1.0nF1.5nF2.2nF3.3nF4.7nF6.8nF
片式安规电容
※以最新版本的内容为准
项目X1、X2安规电容器
材料COG
X7R
代号0812202508
122025尺寸1808
1812
2220
2225
1808
1812
2220
2225
电容量
2PF5PF6.8PF8.2PF10PF15PF22PF33PF47PF56PF68PF82PF100PF120PF150PF180PF220PF270PF330PF470PF680PF820PF1.0nF1.5nF2.2nF3.3nF4.7nF6.8nF
片式安规电容
可靠性测试ReliabilityTest
项目Item
技术规格
TechnicalSpecification
测试方法
TestMethodandRemarks
容量Capacitance
Ⅰ类
ClassⅠ
应符合指定的误差级别
Shouldbewithinthe
specifiedtolerance.
标称容量Capacitance测试频率
Measuring
Frequency
测试电压
Measuring
Voltage
≤1000pF1MHZ±10%1.0±
0.2Vrms>1000pF1KHZ±10%
Ⅱ类ClassⅡ应符合指定的误差级别
Shouldbewithinthe
specifiedtolerance.
测试温度:
25℃±3℃
测试频率:
1KHZ±10%
测试电压:
1.0±0.2Vrms
TestTemprature:
25℃±3℃
TestFrequency:
1KHZ±10%
TestVoltage:
1.0±0.2Vrms
损耗角正切（DF,tanδDissipation
Factor
Ⅰ类
ClassⅠ
DF
标称容量
Capacitance
测试频率
Measuring
Frequency
测试电压
Measuring
Voltage≤0.56%Cr<5pF1MHZ±10%
1.0±
0.2Vrms
1.5[（150/Cr+7]×10-45pF≤Cr<50pF1MHZ±10%
≤0.15%50pF≤Cr≤1000pF1MHZ±10%
≤0.15%>1000pF1KHZ±10%
Ⅱ类
ClassⅡ
X7R
≥50V
C≤10µF
测试频率:
1KHZ±10%
测试电压:
1.0±0.2Vrms
TestFrequency:
1KHZ±10%
TestVoltage:
1.0±0.2Vrms
≤2.5%
绝缘电阻
（IRInsulationResistance
Ⅰ类
ClassⅠ
C≤10nF,Ri≥50000MΩ
C>10nF,Ri•CR≥500S
测试电压:
DC500±50V
测试时间:
60±5秒
测试湿度:
≤75%
测试温度:
25℃±3℃
测试充放电电流:
≤50mA
MeasuringVoltage:
DC500±50V
Duration:
60±5s
TestHumidity:
≤75%
TestTemprature:
25℃±5℃
TestCurrent:
≤50mA
Ⅱ类
ClassⅡ
X7R
C≤25nF,Ri≥
10000MΩ
C>25nF,Ri•CR
>100S
片式安规电容
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【南京南山半导体有限公司—贴片电容选型资料】片式安规电容项目Item技术规格TechnicalSpecification测试方法TestMethodandRemarks在端子间施加表中的电压60±1S时观任何不应察到故介质耐电强度（DWVDielectricWithstandingVoltageX型Y型Nodefectsorabnormalities无缺陷或异常障，并且充电/放电电流不超过50mANofailureshoulebeobservedwhenvoltageinthetableisappliedbetweentheterminationsfor60sec.providedthecharge/dischargecurrentislessthan500mA.测量电压DC1075VAC1500V将电容在80~120℃的温度下预热10~30秒.上锡率应大于95%可焊性Solderability外观：
无可见损伤.Atleast95%oftheterminalelectrodeiscoveredbynewsolder.VisualAppearance:
Novisibledamage.Preheatingconditions:
80to120℃;10~30s.有铅：
焊料（Sn/Pb：
63/37）浸锡温度:
235±5℃浸锡时间:
2±0.5sSolderTemperature:
235±5℃Duration:
2±0.5s无铅：
焊料浸锡温度:
245±5℃浸锡时间:
2±0.5sSolderTemperature:
245±5℃Duration:
2±0.5项目ItemΔC/C耐焊接热ResistancetoSolderingHeatIRDFSametoinitialvalue.同初始标准Sametoinitialvalue.NPO至SLNPOtoSL≤±0.5%或±0.5PF，取值较大≤±0.5%or±0.5PF，whicheveris-5~+10%larger同初始标准X7R将电容在100~200℃的温度下预热10±2分钟.浸锡温度:
265±5℃浸锡时间:
10±1s然后取出溶剂清洗干净，在10倍以上的显微镜底下观察.放置时间：
24±2小时放置条件：
室温Preheatingconditions:
100to200℃;10±2min.SolderTemperature:
265±5℃Duration:
10±1sCleanthecapacitorwithsolventandexamineitwitha10X（min.microscope.RecoveryTime:
24±2hRecoverycondition:
Roomtemperature外观：
无可见损伤上锡率：
≥95%Appearance：
Novisibledamage.Atleast95%oftheterminalelectrodeiscoveredbynewsolder.第1页/共8页
【南京南山半导体有限公司—贴片电容选型资料】片式安规电容项目Item技术规格TechnicalSpecification测试方法TestMethodandRemarks试验基板：
Al2O3或PCB弯曲深度：
1mm施压速度：
0.5mm/sec.单位：
mm应在弯曲状态下进行测量。
※T=10抗弯度曲强ResistancetoFlexureofSubstrate（BendingStrength外观：
无可见损伤.Appearance:
Novisibledamage.ΔC/C≤±10%45±245±2TestBoard:
Al2O3orPCBWarp:
1mmSpeed:
0.5mm/sec.Unit:
mmThemeasurementshouldbemadewiththeboardinthebendingposition.施加的力：
5NAppliedForce:
5N※端头强结合度外观无可见损伤TerminationNovisibledamage.Adhesion时间：
10±1SDuration:
10±1S：
上限类别温度，1小时恢复：
24±1h预处理（2类）初始测量循环次数：
5次，一个循环分以下4步：
阶段温度（℃）时间（分钟）下限温度第1步30NPO/X7R:
-55ΔC/C:
Ⅰ类：
≤±1%或±1pF,取两者中最大者Ⅱ类：
B:
≤±10%E,F:
≤±20%ClassⅠ:
≤±1%or±1pF,whicheverislarger.ClassⅡ:
B:
≤±10%（Y5V:
-25Z5U:
+10第2步第3步第4步常温（+202～3302～3上限温度（NPO/X7R:
+125Y5V/Z5U:
+85温度循环TemperatureCycle常温（+20试验后放置（恢复）时间：
24±2hPreheatingconditions:
up-categorytemperature,1hRecoverytime:
24±1hInitialMeasurementCyclingTimes:
5times,1cycle,4steps:
Temperature（℃）Time（min.StepNPO/X7R:
-551Low-categorytemp.（Y5V:
-25Z5U:
+10302Normaltemp.（+202～3NPO/X7R:
+1253Up-categorytemp.（Y5V/Z5U:
+85304Normaltemp.（+202～3Recoverytimeaftertest:
24±2h第1页/共8页
【南京南山半导体有限公司—贴片电容选型资料】片式安规电容项目Item技术规格TechnicalSpecificationⅠ类:
≤±2%或±1pF,取两者之中较大者ΔC/CⅡ类:
B:
≤±10%ClassⅠ:
≤±2%or±1pF,whicheverislarger.ClassⅡ:
B:
≤±10%DF≤2倍初始标准Notmorethantwiceofinitialvalue.Ⅰ类：
Ri≥2500MΩ或Ri•CR≥25S取两者之中较小者.ClassⅠ:
Ri≥2500MΩ或whicheverissmaller.较小者.ClassⅡ:
Ri≥1000MΩ或whicheverissmaller.外观：
无损伤Appearance:
Novisibledamage.Ⅰ类：
≤±2%或±1pF取两者之中较大者Ⅱ类：
B:
≤±20%ΔC/CE,F:
≤±30%ClassⅠ:
≤±2%or±1pF,whicheverislarger.ClassⅡ:
B:
≤±20%E,F:
≤±30%≤2倍初始标准Notmorethantwiceofinitialvalue.较小者.ClassⅠ:
Ri≥4000MΩ或IRwhicheverissmaller.Ri•CR≥25SRi•CR≥25S测试方法TestMethodandRemarks温度：
40±2℃湿度：
90~95%RH时间：
500小时放置条件：
室温放置时间：
小时（Ⅰ类；小时（Ⅱ类2448Temperature：
40±2℃Humidity：
90~95%RHDuration：
500hRecoveryconditions：
RoomtemperatureRecoveryTime：
24h（Class1or48h（Class2潮湿试验MoistureResistanceIRⅡ类：
Ri≥1000MΩ或Ri•CR≥25S取两者之中1.2倍工作电压时间：
100小时充电电流：
不应超过50mA温度：
125℃（NPOX7R）放置条件：
室温放置时间：
小时24（Ⅰ类）或48小（，时Ⅱ类），Duration:
100hCharge/DischargeCurrent:
50mAmax.Temperature：
125℃（NPOX7R）；寿命试验LifeTestDFⅠ类：
Ri≥4000MΩ或Ri•CR≥40S取两者之中1.2MultipleRi•CR≥40SⅡ类：
Ri≥2000MΩ或Ri•CR≥50S取两者之中RecoveryConditions:
RoomTemperatureRecoveryTime:
24h（Class1,or48h较小者.ClassⅡ:
Ri≥2000MΩ或Ri•CR≥50S（Class2whicheverissmaller.外观：
无损伤VisualAppearance:
Novisibledamage.第1页/共8页
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