济南碳化硅产业链发展规划济南发改委.docx

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济南碳化硅产业链发展规划济南发改委

济南市高性能半导体

产业链发展规划（2013—2020年）

以碳化硅、氮化镓、铌酸锂为代表的高性能半导体晶体广泛应用于信息传输、光存储、光通讯、微波、LED、汽车电子、航空航天、高速列车、智能电网和超高压输变电、石油勘探、雷达与通信等国民经济和军工领域。

随着经济社会的快速发展，碳化硅、铌酸锂等高性能半导体材料、器件和应用产品需求日益旺盛。

据不完全统计，我国年进口高性能控制器件和光电子器件超过3000亿美元。

为加快培育我市高性能半导体产业集群，建设国内领先、国际先进的产业基地，特制定本规划，规划期为2013年—2020年，近期为2013—2016年。

本规划所指的高性能半导体产业主要包括：

碳化硅、铌酸锂等晶体材料制备和加工，碳化硅、铌酸锂薄膜器件及下游应用产品的开发生产，相关装备制造，产业链涉及的关键配件和配套产业等。

一、国内外发展现状

（一）碳化硅产业发展现状。

碳化硅单晶材料是目前发展最为成熟的第三代半导体材料，其禁带宽度是硅的3倍，饱和电子漂移速率是硅的2倍，临界击穿电场大于硅的10倍或砷化镓的5倍，热导率是蓝宝石的20倍或砷化镓的10倍，化学稳定性好，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

碳化硅晶体材料生长、加工难度极大，目前世界上只有少数几家企业能够实现碳化硅晶体材料的产业化。

美国科锐公司（Cree）是碳化硅半导体行业的先行者和领先者，已研制出了6英寸碳化硅衬底片。

2012年，该公司碳化硅晶体材料的产量在80—100万片之间，控制了国际碳化硅衬底片的市场价格和质量标准。

美国二六（II-VI）、道康宁（DowCorning）、德国SiCrystalAG、日本新日铁等公司也相继推出了2—3英寸碳化硅衬底片生产计划，抢占碳化硅市场份额。

国内自上世纪90年代以来，山东大学、中科院等高校和科研院所相继开展了碳化硅单晶生长技术的研究。

2011年，山东天岳公司在消化吸收山东大学研究成果的基础上，成功实现碳化硅衬底片的产业化，成为世界上少数几家同时掌握N型和半绝缘型碳化硅半导体材料生产技术的企业之一，晶体生长和衬底加工技术达到世界先进水平，打破了西方发达国家对我国的技术垄断和封锁。

此外，北京天科合达具备了生产2-4英寸导电型碳化硅衬底片的生产能力，并开展了非掺杂半绝缘碳化硅晶体生长技术的研发。

随着碳化硅衬底材料技术的不断改进，器件研制发展迅速。

科锐公司拥有基于碳化硅衬底的LED制造材料、外延、芯片、封装、应用等不同层面的核心技术，并与世界知名LED生产企业通过交叉授权的方式建立LED行业技术壁垒，垄断了高端LED市场。

2013年，科锐公司推出的耐压为1200V碳化硅基金氧半场效晶体管（MOSFET），已经应用在太阳能发电用逆变器、高电压输出DC/DC转换器以及马达驱动用逆变器等装置中。

三菱电机利用碳化硅基肖特基二极管（SBD）和碳化硅基MOSFET生产的电机变频器，与硅基器件制造的同类产品相比功耗减少70%，整机体积减小75%。

罗姆公司推出的第二代碳化硅基SBD和碳化硅基MOSFET产品，已在大金空调、铁路用逆变器、阿尔斯通高速铁路、光伏发电系统和电动汽车用快速充电器中使用。

飞兆公司的碳化硅基双极结型晶体管（BJT）产品，与硅基同类产品相比耐压值更高，损耗值降低30～50%，输出功率提升40%。

国内对碳化硅电力电子器件的研究始于20世纪末。

从2004年开始，国家通过实施一系列科技计划，大力支持引导碳化硅电力电子器件及相关产业发展，在碳化硅器件结构设计及建模、器件制造工艺技术等方面开展了广泛研究。

南车时代电气与中科院微电子所合作开发了600V和1200V/20A碳化硅SBD器件工程片、碳化硅MOSFET器件样品。

济南市半导体元件实验所、济南晶恒电子有限责任公司联合国内有关单位承担了国家碳化硅器件重大专项项目，开展了碳化硅肖特基二极管项目的研制。

但总体上，我国在高压碳化硅电力电子器件制造工艺技术、产业化推广方面与国外存在较大差距。

近年来，美、日和欧洲发达国家均把发展碳化硅半导体产业列入国家战略，聚集精英人才，投入巨资加快推动。

美国国防部投资10亿美元，实施宽禁带半导体专项计划，重点解决碳化硅宽禁带半导体材料、工艺制造、封装与可靠性方面等问题；日本将“利用宽带隙半导体材料（如碳化硅、氮化镓等）制成的高性能功率器件有望显著促进清洁经济型能源体系的建立”列入了综合科学技术发明战略（即“首相战略”）。

根据国外权威机构分析报告显示，今后一段时期，碳化硅晶体材料及器件将保持年均30%以上的快速增长。

预计到2020年，全球市场容量将达到1800亿美元以上。

（二）铌酸锂产业发展现状。

铌酸锂（LiNbO3）晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一体的人工合成晶体。

基于铌酸锂单晶薄膜生产的光电子器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上。

一片直径3英寸铌酸锂单晶薄膜信息存储量达70T（相当于10万张CD），读写速度达纳秒级，可以实现信息存储领域的高密度数据存储。

铌酸锂单晶晶体材料可广泛应用于声表面波、电光调制、光陀螺、光参量振荡、光全息存储等器件，在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等以及军工领域具有重要作用。

目前，包括美国晶体科技、日立材料和日本NTT等公司在内的国内外数十家企业及科研单位正在从事铌酸锂晶体材料的研发。

由于制备技术困难，全球范围内没有研制出直径2英寸以上的工业应用级铌酸锂单晶薄膜材料，难以实现产业化。

瑞士联邦理工学院和哥伦比亚大学仅制备出约1平方厘米的铌酸锂单晶薄膜用于实验室研究。

国内宁夏东方钽业股份有限公司、浙江德清微光元件有限公司、浙江金盛光电有限公司和福建福晶科技股份有限公司等企业开展了铌酸锂单晶薄膜材料制备的试验研究，但研究进展缓慢。

济南晶正科技有限公司攻克了从实验室到工业化生产的技术难题，研制出直径3英寸、厚度300-700纳米铌酸锂单晶薄膜产品，填补了世界空白。

随着基础材料铌酸锂单晶薄膜材料制备技术实现突破，新型元器件产品将不断出现及加快应用，形成数千亿美元的巨大市场。

二、发展优势和问题

（一）独有的产业基础。

山东天岳是目前国内最大的碳化硅单晶材料生产和加工企业，拥有20台碳化硅单晶生长炉，年产碳化硅单晶材料2万片，年产35万片功能器件用碳化硅衬底项目正在加快建设。

济南晶恒、同欣等下游企业发展较快。

济南晶恒已具有硅基35—300W\6—55A的大功率MOS管和50A、75A、100A、150A/600V、1200V等大电流大功率IGBT模块电路生产制造能力，正在实施的国家重大工程项目达产后，可年产2万片6吋硅基芯片。

济南晶正电子科技有限公司是全球唯一实现铌酸锂单晶薄膜工业化生产的企业，首期年产1万片铌酸锂单晶薄膜项目已在济南综合保税区开工建设，并与复旦大学、北京大学、牛津大学等联合开发基于铌酸锂单晶薄膜的新型材料以及光电子器件产品。

山东华光光电子股份有限公司是国内最早专业从事化合物半导体外延片及光电子器件研发与生产的企业，现已形成年产各类LED管芯240亿粒、LD器件600万只的生产能力。

宝世达等LED封装测试和应用开发企业也形成一定规模。

（二）突出的技术优势。

山东大学晶体材料国家重点实验室承担了多项国家重大科技课题，在碳化硅晶体生长方面取得重大突破，为实现碳化硅晶体材料产业化奠定了基础。

山东天岳依托山东大学研究成果，自主研发了晶体生长设备，与美国科锐公司等企业一起成为世界上仅有的几家同时掌握N型和半绝缘型碳化硅半导体材料生产技术的企业，碳化硅衬底产品达到微管密度1个/平方厘米的世界先进水平。

山东天岳与山东大学联合建立碳化硅半导体产业研发中心，研究内容覆盖碳化硅半导体产业链条各环节。

济南晶恒肖特基势垒整流二极管和DB系列双向触发二极管产品的生产规模、质量水平居国内首位、国际领先，新研发的产品将打破国际垄断，保障国家安全。

济南晶正电子科技有限公司铌酸锂单晶薄膜制备关键技术—粒子注入技术获国家自然科学二等奖，设有山东省中美晶体薄膜材料研发中心，获得了国家863计划和国家自然科学基金重点项目支持，拥有国际PCT发明专利1项。

山东省科学院能源研究所引进国际知名专家王立秋团队与山东天岳、济南晶正电子开展产学研合作，进行碳化硅晶体生长非线性计算和铌酸锂单晶薄膜生产构型优化研究。

山东华光的蓝宝石衬底LED芯片、LD芯片技术水平国内领先。

（三）政府高度重视。

山东省、济南市高度重视高性能半导体产业发展，省、市各级主要领导多次到企业调研，召开现场会议，研究支持措施，解决企业实际困难。

各级、各有关部门加大对山东天岳、济南晶正电子等核心企业和相关配套企业的支持力度，在土地指标、手续办理、配套设施建设等方面出台优惠政策。

省、市两级新能源产业发展、产业引导、科技重大专项等财政资金优先支持高性能半导体产业发展。

但应当看到，济南市高性能半导体产业发展还存在一些问题，主要表现在：

产业链上游材料生产企业发展处于起步阶段，整体规模较小，综合实力亟待提升，龙头带动作用尚未形成；下游关键器件和应用产品生产企业缺失，尚未形成产业链；缺乏推进产业发展的政策措施，扶持力度有待进一步加大等。

三、发展思路和目标

（一）发展思路。

以科学发展观为指导，围绕“加快科学发展，建设美丽泉城”的中心任务，加大引资、引技、引智力度，完善创新发展政策体系；巩固现有碳化硅、铌酸锂晶体材料生产的技术优势，尽快扩大生产规模，研发生产更大尺寸的高性能半导体晶体材料；以功率器件、微波器件、光储存器件、大功率半导体照明器件的研发生产和推广应用为重点，着力打通产业链关键环节，努力延伸产业链条，提升高性能半导体产业综合竞争力，建设国内领先、国际先进的碳化硅半导体产业和光电子产业基地。

（二）发展原则。

市场主导，政府推动。

充分发挥市场配置资源的决定性作用，主动适应市场需求，营造良好市场环境，调动各类主体积极性。

加强政府规划引导、政策支持和组织协调，整合优势资源向重点领域和关键环节倾斜支持。

统筹规划，重点突破。

强化规划引导，统筹产业链各环节，发挥技术优势，占据价值链高端。

明确发展重点，引导资金、人才持续投入制约产业链发展的薄弱环节和关键技术，实现重点突破，促进产业链协调发展。

创新驱动，人才支撑。

着力提升企业自主创新能力，完善技术创新体系，推动原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新，掌握关键核心技术。

加大高层次人才培养、引进力度，打造一批领军人才队伍，抢占产业制高点。

龙头带动，集聚发展。

突出核心材料生产企业和重点项目带动作用，加强引资、引技、引智工作力度，强化产业配套，促进产业集聚和规模扩张。

完善扶持政策，积极引导各类要素资源向产业集聚区集中，做大做强产业集群。

（三）发展目标。

总体目标：

碳化硅单晶材料、铌酸锂单晶薄膜核心技术优势和产业规模显著提升，在全球形成较强的影响力；形成基于碳化硅、铌酸锂的功率器件、微波器件、信息存储、大功率半导体照明器件生产和应用为核心的产业集群；培育一批掌握核心技术、具有国际竞争力和影响力的品牌企业，建成一批具有国际先进水平的公共研发、检测和服务的平台；建成国内领先、国际先进的碳化硅半导体产业基地和光电子产业基地。

1.近期目标（2013年-2016年）。

碳化硅衬底材料生产规模达到35万片/年，销售收入突破20亿元，实现6英寸及以上的碳化硅晶体材料生长，产品质量接近国际先进水平。

铌酸锂单晶薄膜材料生产规模达到3万片/年，销售收入7.5亿元；带动全国高性能半导体器件生产及应用产品销售收入500亿元；突破高性能半导体功率器件、微波器件、光存储、声表面波以及大功率光电子器件的生产技术瓶颈，申请核心专利100项，牵头或参与国际标准、国家标准和行业标准制订；发展3-5家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权、自主品牌的龙头企业，培植10-15家上下游创新性高技术企业；建设开放性的国家公共技术研发和检测平台，建成国内领先的碳化硅半导体和光电子产业基地。

2.远期目标（2017年-2020年）。

碳化硅晶体材料生产规模达到60万片/年，销售收入50亿元，实现8英寸以上的碳化硅晶体材料生长，技术水平达到国际领先水平。

铌酸锂单晶薄膜材料产能达到20万片/年，销售收入40亿元；带动全国高性能半导体器件生产及应用产品销售收入1500亿元，济南市相关器件生产及应用产品销售收入突破400亿元；申请核心专利300项，牵头或参与国际标准、国家标准和行业标准制订；发展5-10家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权、自主品牌的龙头企业，培植20-50家上下游创新型高技术企业；建成国际知名的公共技术研发和检测平台，建成国际先进的碳化硅半导体和光电子产业基地。

四、发展重点

（一）打造碳化硅产业链。

碳化硅半导体产业链

1.晶体生长及加工设备。

依托山东天岳，重点支持6英寸、可产业化的碳化硅晶体生长设备，以及60公斤蓝宝石单晶炉的升级和改进。

支持6英寸及以上碳化硅单晶炉和60公斤及以上蓝宝石单晶炉、关键提纯系统和压力系统的研制生产。

引进国内晶体加工设备制造企业，重点支持蓝宝石和碳化硅晶体材料切割机、研磨机和抛光机等设备，支持碳化硅晶片加工过程中应力引起的变形、化学反应问题等加工机制的研究，支持高纯碳粉、高纯硅粉、研磨液、抛光液、抛光垫、研磨垫等关键原料和元件的研制生产。

2.碳化硅晶体材料及外延。

支持山东天岳加大研发投入，加快企业规模膨胀，在实现3—4英寸碳化硅晶体材料的批量生产的基础上，研发生产6英寸及以上晶体生长技术和衬底片加工、外延技术。

到规划期末，形成年产各尺寸碳化硅晶体材料60万片的生产规模，销售额突破50亿元，实现利税22亿元，成为国际碳化硅晶体材料生产中心之一。

突破大尺寸碳化硅同质外延技术，形成年产外延片20万片的生产能力。

3.器件生产。

充分发挥我市碳化硅晶体制造企业技术优势，重点发展碳化硅基电力电子器件、微波器件、大功率光电子器件等下游产品，吸引相关生产企业落户济南。

（1）功能器件

IGBT混合模块：

积极引进株洲南车时代电气股份有限公司碳化硅基缘栅双极型晶体管（IGBT）生产项目，通过实施国家新材料研发与产业化专项，重点突破碳化硅基IGBT芯片设计、制造工艺、封装测试等关键技术环节，实现碳化硅基IGBT混合模块产业化。

支持济南晶恒电子有限责任公司依托现有IGBT模块研发制造能力，提升技术水平，扩大产业规模。

专栏1：

碳化硅基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有驱动功率小、饱和压降低等优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

SBD器件:

支持与中国电子科技集团等优势单位合作，研发碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）结构设计和工艺流程，突破低界面态表面钝化技术等关键工艺技术，投资建设SBD产业化项目，在我市实现碳化硅基SBD产业化。

专栏2：

碳化硅基肖特基势垒二极管（SBD）具有开关频率高和正向压降低等优点，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MOSFET器件：

支持山东天岳与澳大利亚格里菲斯大学合作研发碳化硅基金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET），重点突破新的栅极氧化层工艺过程，优化等离子刻蚀气体配方制作，获得成熟的生产工艺，逐步实现1200V/25A、1700V/20AMOSFET器件产业化。

推动山东天岳与本地企业的协作，支持晶恒公司依托现有生产制造能力，研发生产碳化硅功率器件。

专栏3：

碳化硅基金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）是一种驱动简单、通态损耗小、通断速度快、通态电阻小的电子器件，可以减小电力电子系统的整体尺寸，降低重量和成本，广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车和电机驱动等方面。

（2）微波器件

支持与中国电子科技集团等优势单位合作开发微波功率放大管，引进生产工艺，实现通讯基站用微波功率放大管的工业化生产，探索合作模式，促成产业落户济南。

同时积极策划与苏州能讯高能半导体有限公司、成都宏明电子股份有限公司、成都西科微波通讯有限公司、上海航天电子有限公司、西安航天思普电子科技有限公司等微波器件生产企业的合作。

专栏4：

碳化硅基微波功率放大管输入阻抗高、输出功率大、开关速度快，通频带宽、高频特性好，可广泛应用于2G/3G/4G各频段移动通信应用领域，大幅降低基站的系统体积。

（3）大功率LED

支持骨干企业发展基于蓝宝石衬底和碳化硅衬底的LED外延芯片，鼓励山东天岳与山东华光、宝世达等形成上下游合作关系。

积极引进国内外优势研发生产企业，重点发展纳米级图形化蓝宝石衬底（PSS）、半球形和锥形图形衬底，以及激光诱导湿法刻蚀（LIBWE）、干法刻蚀等技术，加快发展蓝宝石图形衬底相关的光刻、刻蚀、检测设备等产业。

以山东华光为主体，着力突破大尺寸硅衬底LED外延芯片技术，解决晶格失配缓冲方法和工艺，提高成品率，形成该领域的产业竞争优势。

力争到2020年，建成200套MOCVD的外延片和配套管芯生产线，生产规模达到年产800万片外延片。

加快提升现有LED封装技术水平，以大功率LED封装工艺为核心，突破封装结构、散热、光学系统及脉冲电路等关键工艺。

加快封装材料研发和产业化进程，发展有机硅、环氧树脂、固晶胶、固晶共晶焊料等封装材料，陶瓷、高分子、石墨等封装散热材料和高效率、高稳定性荧光材料。

积极研发固晶机、焊线机、点胶机、封胶机、分光分色机和自动贴带机等封装设备。

力争到2020年，培育和引进15家以上竞争优势明显的LED封装测试企业，建设国内重要的LED封装测试基地。

发挥拥有上游产业基础的优势，高起点开发光电子应用产品，重点发展面向网络通信、光通信、高端机械装备、智能电网、先进照明、航空航天、国防军工等领域的应用产品。

（4）LD器件产业

在扩大现有优势的基础上，支持基于LD的激光警戒、激光打印、条码扫描、自动控制、激光指示等产品的开发。

进一步提升技术水平，重点支持工业应用的大功率半导体激光器和军用高性能激光器等LD芯片结构设计和外延技术的研发。

重点支持用于工业精细加工的大功率LD技术和产品，用于光纤通信、激光通信、光存取、光谱分析、深水探测、激光雷达、激光手术、激光模拟、激光测距等LD技术研发和产业化。

4.碳化硅器件应用。

积极推进山东电工电气、鲁能智能、济南重工等企业应用碳化硅基功率器件，提升产品质量，增强企业竞争力，发展壮大我市电力装备产业。

专栏5：

碳化硅基功率器件被称为民用电力电子领域的“绿色器件”。

以碳化硅基IGBT为基础开发的功能模块可用于智能电网产业。

利用碳化硅基功能模块开发的大功率高频电源配合相应的反应器可用于发电锅炉的等离子除尘和脱硫脱硝，开发出新型环保设备

积极支持山东奥太、山东博奥斯等太阳能逆变器制造企业研发制造碳化硅基MOSFET太阳能逆变器，支持力诺等太阳能电站建设企业优先使用，建设太阳能光伏发电示范电站。

专栏6：

以碳化硅基MOSFET为基础开发出的太阳能逆变器，可提高逆变器稳定性，大幅提高转化效率，减少装备体积，降低设备本身能耗。

积极推动碳化硅基功率器件生产厂家与重汽、吉利、青年汽车等汽车生产企业合作，提升传统汽车质量，提高我市汽车产业的竞争力。

积极支持研发制造使用碳化硅功率器件的新能源汽车。

专栏7：

以碳化硅基MOSFET为基础开发出的车用整流器，可大幅提高输出直流电的持续性和稳定性，并间接提升汽车电子控制系统功能，对汽车的节能性、安全性以及能耗排放具有重要影响。

在新能源汽车方面的应用可大幅降低车身及零部件重量，延长续航距离。

积极支持轨道交通装备、九阳家电等企业应用碳化硅基功率器件，提升产品质量，增强企业竞争力。

专栏8：

碳化硅基功能器件应用于轨道电力机车、家电、风力发电、电压转换等领域，系统能耗可降低50%，体积减小70%。

积极推进与华为公司合作，开展碳化硅基器件4G通讯基站设备研发，并实现产业化。

专栏9：

碳化硅基器件应用于4G通讯基站建设，与原有基站相比，单个基站的功率和覆盖范围更大，可大幅降低基站的体积和数量。

积极推进上游碳化硅衬底及外延片生产企业与下游LED封装企业的密切协作，突破重点关键技术，掌握高端LED制造的核心技术，发展壮大我市光电子产业。

专栏10：

以大功率碳化硅基LED器件为基础开发路灯照明系统，应用寿命在5万小时以上，减少电力损耗70%。

（二）打造铌酸锂产业链

铌酸锂产业链

1.铌酸锂单晶薄膜材料制备。

支持济南晶正电子完善优化生产工艺，扩大产能，加快企业规模膨胀，在实现3英寸单晶薄膜材料制备的基础上，研发4-6英寸大尺寸铌酸锂单晶薄膜，并逐步实现产业化，提高生产效率，降低成本。

支持研发掺镁、铒的铌酸锂单晶薄膜，开发大功率激光器件和用于光纤通信的调制器。

加快开发与碳化硅衬底集成的铌酸锂单晶薄膜、大容量铁电体存储器和高端滤波器和超高速CPU辅助产品。

到规划期末，形成年产各尺寸铌酸锂单晶薄膜材料20万片的生产规模，销售额突破40亿元，力争成为国际铌酸锂单晶薄膜研发、生产中心。

2.器件研发制造。

充分利用晶正电子在铌酸锂单晶薄膜方面的技术优势，积极开展与国内外知名研究机构、企业开展合作，研发高性能器件，吸引相关生产企业落户济南。

（1）铁电存储器件。

支持与牛津大学、复旦大学微电子所合作，开展在铌酸锂单晶薄膜上镀铂金电极结构研究，联合开发铁电存储器件，力争2017年在济南实现产业化。

专栏11：

铁电存储器件可实现纳秒级读写速度，具有抗电磁干扰、耐高温、抗震动等功能，用于高密度信息存储领域，适合航空、航天、轮船、工业生产、日常生活等各种行业。

（2）声表面波器件。

支持与中国电子工业集团及西门子等合作，联合开发基于铌酸锂单晶薄膜的声表面波器件，2016年实现产业化生产。

专栏12：

声表面波器件主要包括高质量的滤波器、延迟线、声波镊等，具有频带宽，频率高，功耗低等特点。

（3）光纤通讯波导调制器。

与北京大学、世维通公司、华为公司等合作，联合研制光纤通讯波导调制器，积极引进华为、中兴、世维通等企业落户济南，实现光纤通讯波导调制器的产业化。

专栏13：

基于铌酸锂单晶薄膜的光纤通讯波导调制器可大幅提高相关光通讯产品集成度、工作频率、带宽等，降低功耗，对推进光通讯产品的从研发到规模化生产及应用都起到促进作用。

3.应用产品开发。

开展基于铌酸锂薄膜的各类功能器件在新一代半导体存储器、服务器、云计算、光纤通信、汽车、家用电器、数控机床等产品上的应用示范研究，提高相关产品的技术水平，提升我市现代装备制造、电子信息、光电子等产业的竞争力。

（三）实施六大工程。

1.产业集聚发展工程。

以山东天岳碳化硅晶体材料生产方面的技术优势为核心，建设国际领先的碳化硅半导体产业基地。

以济南晶正电子铌酸锂单晶薄膜材料和山东华光LED外延芯片方面的技术优势为核心，建设济南市光电子产业基地。

高水平拟定基地发展规划，拓宽发展空间，完善基础设施和配套设施，培育和引进一批中下游企业进驻，促进产业集聚发展。

2.重点企业培育工程。

创造良好的经营发展环境，着力引进一批下游器件生产和应用企业，促进产业集聚发展。

加大对山东天岳、济南晶正电子等产业链核心链节企业的扶持力度，不断提高晶体材料质量和产量，鼓励其开展下游器件的研发，突破关键技术，形成批量化生产的能力。

鼓励晶恒开展基于碳化硅的功率器件的研制，尽快形成规模。

鼓励山东华光在巩固现有产品技术优势的基础上，开展基于碳化硅衬底的LED产品研发，推动产业就地转化、配套发展。

3.研发能力提升工程。

以山东天岳、济南晶正电子等龙头、骨干企业为主体，联合山东大学晶体材料实验室、山东省科学院能源研究所以及其他相关机构，形成产学研创新利益共同体，开展关键技术研究，建成1