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........

南昌大学物理实验报告

学生姓名:

学号:

专业班级:

材料124班

实验时间:

10时00分第十一周星期四座位号:

28

一、实验名称:

光电效应

二、实验目的:

1、通过实验深刻理解爱因斯坦的光电效应理论,了解光电效应的基本规律;

2、掌握用光电管进行光电效应研究的方法;

3、学习对光电管伏安特性曲线的处理方法,并用以测定普朗克常数。

三、实验仪器:

光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片、光阑、光电管、测试仪

四、实验原理:

1、光电效应与爱因斯坦方程

用合适频率的光照射在某些金属表面上时,会有电子从金属表面逸出,这种现象叫做光电效应,从金属表面逸出的电子叫光电子。

为了解释光电效应现象,爱因斯坦提出了“光量子”的概念,认为对于频率为的光波,每个光子的能量为,其中h=6.626为普朗克常数。

按照爱因斯坦的理论,光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时,光子把全部能量传递给电子,电子所获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的约束,其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。

爱因斯坦提出了著名的光电方程:

(1)

式中,n为入射光的频率,为电子的质量,u为光电子逸出金属表面的初速度,为被光线照射的金属材料的逸出功,1/2mv2为从金属逸出的光电子的最大初动能。

(1)式可见,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能必然也越大,所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流,甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极,直至阳极电位低于某一数值时,所有光电子都不能到达阳极,光电流才为零。

这个相对于阴极为负值的阳极电位被称为光电效应的截止电压。

显然,有eu0-1/2mv2=0

(2)代入上式即有

(3)

由上式可知,若光电子能量h+n

产生光电效应的最低频率是n0=W/h,通常称为光电效应的截止频率。

不同材料有不同的逸出功,因而n0也不同。

由于光的强弱决定于光量子的数量,所以光电流与入射光的强度成正比。

又因为一个电子只能吸收一个光子的能量,所以光电子获得的能量与光强无关,只与光子的频率n成正比,,将(3)式改写为

上式表明,截止电压是入射光频率n的线性函数,如图2,当入射光的频率n=n0时,截止电压,没有光电子逸出。

图中的直线的斜率k=h/e是一个正的常数:

(5)

由此可见,只要用实验方法作出不同频率下的U0-n曲线,并求出此曲线的斜率,就可以通过式(5)求出普朗克常数。

其中是电子的电量。

1.光电效应的伏安特性曲线

图3是利用光电管进行光电效应实验的原理图。

频率为n、强度为的光线照射到光电管阴极上,即有光电子从阴极逸出。

如在阴极K和阳极A之间加正向电压,它使K、A之间建立起的电场对从光电管阴极逸出的光电子起加速作用,随着电压的增加,到达阳极的光电子将逐渐增多。

当正向电压增加到时,光电流达到最大,不再增加,此时即称为饱和状态,对应的光电流即称为饱和光电流。

由于光电子从阴极表面逸出时具有一定的初速度,所以当两极间电位差为零时,仍有光电流I存在,若在两极间施加一反向电压,光电流随之减少;当反向电压达到截止电压时,光电流为零。

图4入射光频率不同的I-U曲线图5入射光强度不同的I-U曲线

爱因斯坦方程是在同种金属做阴极和阳极,且阳极很小的理想状态下导出的。

实际上做阴极的金属逸出功比作阳极的金属逸出功小,所以实验中存在着如下问题:

暗电流和本底电流。

当光电管阴极没有受到光线照射时也会产生电子流,称为暗电流。

它是由电子的热运动和光电管管壳漏电等原因造成的。

室内各种漫反射光射入光电管造成的光电流称为本底电流。

暗电流和本底电流随着K、A之间电压大小变化而变化。

阳极电流。

制作光电管阴极时,阳极上也会被溅射有阴极材料,所以光入射到阳极上或由阴极反射到阳极上,阳极上也有光电子发射,就形成阳极电流。

由于它们的存在,使得实际I~U曲线较理论曲线下移,如图6。

图6伏安特性曲线

由于暗电流是由阴极的热电子发射及光电管管壳漏电等原因产生,与阴极正向光电流相比,其值很小,且基本上随电位差U呈线性变化,因此可忽略其对遏止电位差的影响。

阳极反向电流虽然在实验中较显著,但它服从一定规律。

因此,确定遏止电位差值可采用以下两种方法:

⑴交点法

光电管阳极用逸出功较大的材料制作,制作过程中尽量防止阴极材料蒸发,实验前对光电管阳极通电,减少其上溅射的阴极材料,实验中避免入射光直接照射到阳极上,这样可使它的反向电流大大减少,其伏安特性曲线与图5十分接近,因此曲线与U轴交点的电位差值近似等于遏止电位差U0,此即本实验采用的交点法(或零电流法)。

⑵拐点法

光电管阳极反向电流虽然较大,但在结构设计上,若使反向光电流能较快地饱和,则伏安特性曲线在反向电流进入饱和段后有着明显的拐点,如图6中虚线所示的理论曲线下移为实线所示的实测曲线,遏止电位差U0也下移到U’0点。

因此测出U’0点即测出了理论值U0。

五、实验内容及步骤:

 1、调整仪器

 

(1)连接仪器;接好电源,打开电源开关,充分预热(不少于20分钟)。

 

(2)在测量电路连接完毕后,没有给测量信号时,旋转“调零”旋钮调零。

每换一次量程,必须重新调零。

 (3)取下暗盒光窗口遮光罩,换上365.0nm滤光片,取下汞灯出光窗口的遮光罩,装好遮光筒,调节好暗盒与汞灯距离。

2、测量普朗克常数

(1)将电压选择按键开关置于–2~+2V档,将“电流量程”选择开关置于A档。

将测试仪电流输入电缆断开,调零后重新接上。

(2)将直径为4mm的光阑和365.0nm的滤色片装在光电管电暗箱输入口上。

(3)从高到低调节电压,用“零电流法”测量该波长对应的,并数据记录。

(4)依次换上405nm、436nm、546nm、577nm的滤色片,重复步骤

(1)、

(2)、(3)。

(5)测量三组数据,然后对h求平均值。

3、测量光电管的伏案特性曲线:

(1)暗盒光窗口装365nm滤光片和4mm光阑,缓慢调节电压旋钮,令电压输出值缓慢由0V伏增加到30V,每隔1V记一个电流值。

但注意在电流值为零处记下截止电压值。

(2)在暗盒光窗口上换上577nm滤光片,仍用4mm的光阑,重复步骤

(1)。

(3)选择合适的坐标,分别作出两种光阑下的光电管伏安特性曲线U~I。

4、探究饱和电流与光通量、光强的关系

⑴控制电压U=30.0V,波长为365nm,L=400nm时,记录光阑孔分别为2、4、8时的电流。

⑵控制电压U=30.0V,波长为365nm,光阑孔为2nm时,记录距离L分别为300nm、350nm、400mm时的电流。

六、数据记录与处理:

表一U—V关系

波长λ(nm)

365

405

436

546

577

频率V(1014HZ)

8.214

7.408

6.879

5.490

5.196

截止电压U(V)

-1.815

-1.498

-1.303

-0.732

-0.603

计算普朗克常量:

 当利用不同频率ν的单色光分别作光源时,可以测出不同频率下的遏止电位Ua。

作出Ua与ν的曲线,测曲线的斜率K为K=h/e=U/v便可求出普朗克常数h。

K=U/v=0.401610-14

h=ek=1.160210-190.401610-14=6.43310-34JS

表二I--UAK关系

光阑孔Ф:

4mm波长λ:

577nm

UAK(V)

-2.0

-0.3

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

I(10-10A)

0

0

2

6

8

10

12

13

14

15

16

18

UAK(V)

10.0

11.0

12.0

14.0

16.0

18.0

20.0

22.0

24.0

26.0

28.0

30.0

I(10-10A)

19

20

22

24

25

27

28

30

31

32

33

34

光阑孔Ф:

4nm波长λ:

365nm

UAK(V)

-1.5

-0.5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

I(10-10A)

0

6

9

17

27

38

50

62

73

82

88

95

UAK(V)

10

11

12

13

14

15

18

21

24

26

28

30

I(10-10A)

102

110

117

124

132

137

153

170

186

195

203

215

表三IM—P关系

UAK=30.0V波长λ:

365nmL=400nm

光阑孔Ф(nm)

2

4

8

I(10-10A)

67

217

805

表四IM—L关系

UAK=30.0V波长λ:

365nm光阑孔Ф:

2nm

距离L(mm)

300

350

400

I(10-10A)

47

30

22

七、实验小结(思考与讨论):

注意事项

1、微电流测量仪和汞灯的预热时间必须长于20分钟,连线时务必先接好地线,后接信号线。

切勿让电压输出端A与地短路,以免损坏电源。

微电流测量仪每改变一次量程,必须重新调零。

2、微电流测量仪与暗盒之间的距离在整个实验过程中应当一致。

3、注意保护滤光片,勿用手触摸其表面,防止污染。

4、实验结束时应盖上光电管暗合遮光盖和汞灯遮光盖!

.学习参考.

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