iD将不再增加而基本保持不变。
因为VDS再增加时，近漏端上的预夹断点向s极延伸，使VDS的增加部分降落在预夹断区，以维持iD的大小，
。
伏安特性与电流方程：
（1）增强型NMOS管的转移特性：
在一定VDS下，栅-源电压VGS与漏极电流iD之间的关系：
IDO是VGS=2VT时的漏极电流。
（2）输出特性（漏极特性）
表示漏极电流iD漏-源电压VDS之间的关系：
。
与三极管的特性相似，也可分为3个区：
可变电阻区，放大区（恒流区、饱和区），截止区（夹断区）。
可变电阻区管子导通，但沟道尚未预夹断，即满足的条件为：
。
在可变电阻区iD仅受VGS的控制，而且随VDS增大而线性增大。
可模拟为受VGS控制的压控电阻RDS，
。
放大区（沟道被预夹断后），又称恒流区、饱和区。
条件是：
。
特征是iD主要受VGS控制，与VDS几乎无关，表现为较好的恒流特性。
夹断区又称截止区，管子没有导电沟道（VGS＜VT）时的状态，
。
4.耗尽型NMOS管
在制造过程中，人为地在栅极下方的SiO2绝缘层中埋入了大量的K+（钾）或Na+（钠）等正离子；VGS=0，靠正离子作用，使P型衬底表面感应出N型反型层，将两个N+区连通，形成原始的N型导电沟道；VDS一定，外加正栅压（VGS＞0），导电沟道变厚，沟道等效电阻下降，漏极电流iD增大；外加负栅压VGS＜0）时，沟道变薄，沟道电阻增大，iD减小；VGS负到某一定值VGS（off）（常以VP表示，称为夹断电压），导电沟道消失，整个沟道被夹断，iD≈0，管子截止。
耗尽型NMOS的伏安特性：
放大区的电流方程：
，IDSS为饱和漏极电流，是VGS=0时耗尽型MOS管的漏极电流。
二、结型场效应管（JFET）
结构与符号：
在N区两侧扩散两个P＋区，形成两个PN结。
两个P＋区相连，引出栅极g。
N体的上下两端分别引出漏极d和源极s。
导电原理：
（1）VGS＝0时，N型棒体导电沟道最宽（N型区）。
有了VDS后，沟道中的电流最大。
（2）VGS＜0时，耗尽层加宽（主要向沟道一测加宽），并向沟道中间延伸，沟道变窄。
当VGS＜VP（称为夹断电压）时，二个耗尽层增大到相遇，沟道消失，这时称沟道夹断，沟道中的载流子被耗尽。
若有VDS电压时，沟道电流也为零。
所以属于耗尽型FET，原理和特性与耗尽型MOSFET相似。
所不同的是JFET正常工作时，两个PN结必须反偏，如对N沟道JFET，要求VGS≤0。
加上负VGS电压和VDS电压以后，VGD的负压比VGS大，所以，二个反偏PN结的空间电荷区变得上宽下窄，使沟道形成楔形。
JFET通过VGS改变半导体内耗尽层厚度（沟道的截面积）控制iD，称为体内场效应器件；MOSFET主要通过改变衬底表层沟道的厚度来控制iD，称为表面场效应器件。
JFET的伏安特性（以N沟道JFET为例）：
伏安特性曲线和电流方程与耗尽型MOSFET相似。
但VGS必定要反向偏置。
三、场效应管的主要参数
1.直流参数
开启电压VT：
增强型管的参数；夹断电压VP：
耗尽型管的参数；饱和漏极电流IDSS：
指耗尽型管在VGS=0时的漏极电流；输入电阻RGS（DC）：
因iG=0，所以输入电阻很大。
JFET大于107Ω，MOS管大于1012Ω。
2.交流参数
低频跨导（互导）gm：
，跨导gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，且与工作点有关，是转移特性曲线上过Q点切线的斜率。
gm的单位是mS；交流输出电阻rds：
，rds反映了漏源电压对漏极电流的影响程度，在恒流区内，是输出特性曲线上过Q点的切线斜率的倒数。
其值一般为若几十kΩ。
3.极限参数
最大漏-源电压V（BR）DS：
漏极附近发生雪崩击穿时的VDS；最大栅-源电压V（BR）GS：
栅极与源极间PN结的反向击穿电压；最大耗散功率PDM：
同三极管的PCM相似，当超过PDM时，管子可能烧坏。
1.3.2场效应管放大电路
一、场效应管的直流偏置和静态工作点计算
1.自给栅偏压电路（只适用于耗尽型FET），Rg为栅极泄放电阻，泄放栅极感生电荷，通常取0.1MΩ～10MΩ。
Rs为源极偏置电阻，作用类似于共射电路的Re，可以稳定电路的静态工作点Q。
自偏压电路由于IG＝0，所以Rg上无直流压降，VG＝0。
由于耗尽型FET在VGS＝0时存在导电沟道，所以电路有漏极电流ID，
。
2.分压式自偏压电路，适用于耗尽型和增强型FET。
，此式称为偏压线方程。
若VG＞IDRs，则可适用于增强型管（N沟道）；若VG＜IDRs，则可适用于耗尽型MOS管或JFET。
静态工作点的计算
1.图解法求静态工作点：
由转移特性曲线和偏压线方程（为一直线）求输入回路的工作点；由输出特性曲线和直流负载线求输出回路的工作点。
2.估算法求静态工作点：
由FET的电流方程和偏压线方程两组方程联立求解，通常舍去不合题意的一组解，然后得到静态工作点。
二、场效应管放大与开关应用举例
电压传输特性：
用作放大器：
BCQD段：
VT＜VGS＜6V，FET工作在恒流区（放大区）内。
例如：
，
用作可控开关:
AB段：
VGS＜VT，FET工作在截止区，VO＝VDD；EFG段：
VGS＞6V，FET工作在可变电阻区，VO≈0。
当VGS=9V时，工作点移至F点，MOS管工作于可变电阻区，VDS=0.2V，相当于开关接通；当VGS=0V时，工作点移至A，MOS管截止，VDS=12V,iD=0,相当于开关断开。
FET反相器的输入/输出波形：
用作压控电阻：
在可变电阻区，iD随VDS近似线性增加，且VDS与iD的比值（即RDS）受VGS控制，等效为压控电阻。
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