半导体工艺制造课程设计心得.docx
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半导体工艺制造课程设计心得
半导体工艺制造课程设计心得
篇一：
半导体器件工艺课程设计
2016年半导体器件与工艺课程设计
设计报告
项目名称参与者姜云飞黄思贤牛永文所在学院电子科学与应用物理学院专业年级电子科学与技术13-1班指导教师宣晓峰
报告人时间
一、课程设计的内容与题目要求
1、内容
设计一个SRAM与非门，分析其读写特性。
SRAM结构
2、题目要求
1）MDRAW工具分别设计一个栅长为?
m的NMOS，在MDRAW下对器件必要的位置进行网格加密；
2）先通过dessis模拟确定NMOS的转移特性，确定器件结构、掺杂及阈值电压等无错误。
3）再根据设计目标，确定SRAM的网表，其负载电容取3e-13F（模拟在位线负载电容等）；
4）编制dessis模拟程序，在模拟程序中设定SRAM中各组件的连接，分析此器件的读写特性；
5）应用INSPECT工具对比输入信号、输出信号和电流信号，查看其性能；
6）调节电路设计以及NMOS的结构（栅宽、栅氧厚度、掺杂等），优化其读写速度。
二、课程设计的工艺流程
1、器件构建
运用MDRAW工具设计一个栅长为?
m的NMOS管
图
2、器件掺杂
运用MDRAW对设计好的NMOS进行掺杂（如图和图.3）
图
图
3、网络生成
掺杂完成后，点击Mesh—BuildMesh，构建网络（如图）
图
课程设计的仿真结果
1、dessis模拟NMOS管的特性
1）dessis程序的编写
File{
Grid=”Nmos2_”
Doping=”Nmos2_”
Plot=”nmos_”
Current=”nmos_”
Output=”nmos_”
}
Electrode{
{Name=”source”Voltage=}
{Name=”drain”Voltage=}
{Name=”gate”Voltage=Barrier=-}{Name=”s”Voltage=}
}
Plot{
eDensityhDensityeCurrenthCurrentPotentialSpaceChargeElectricFieldeMobilityhMobilityeVelocityhVelocityDopingDonorConcebtration
AcceptorConcentration
}
Physics{
MobilityEffectivelntrinsicDensity）
}
Math{
Extrapolate
RelErrControl
}
Solve{
Poisson
Coupled{PoissonElectron}
Quasistatioonary
{Coupled{PoissonElectron}}
三、
篇二：
半导体工艺和集成电路设计课程总结模板
武汉大学电子信息学院
半导体工艺和集成电路设计
课程总结
专业：
年级：
作者：
指导教师：
年月日
1学习本课程总结
学习本课程理论知识总结
（学习到了哪些内容，如何理解这些内容，对每个知识点进行总结？
说说让你印象最为深刻的一个教学内容？
字体：
宋体小四）
学习本课程实验内容总结
（做了到了哪些实验，具体每个实验目的、实验内容、实验步骤、实验结果，遇到哪些问题，如何解决？
字体：
宋体小四）
2对课程安排的意见和建议
（整个教学模式，课程内容的编排、企业老师的讲课情况有没有意见和建议？
说说哪些地方可以改进，如何改进？
）
3其他心得体会
注：
正文：
宋体小四号，总字数不小于5000字
1
篇三：
半导体课程设计
课程设计
课程名称微电子器件工艺课程设计题目名称PNP双极型晶体管的设计学生学院___材料与能源学院____专业班级08电子材料1班学号3108007452学生姓名____123___指导教师____魏爱香、何玉定____
2011年6月17日
广东工业大学课程设计任务书
一、课程设计的内容
设计一个均匀掺杂的pnp型硅双极晶体管，满足T=300K时，基区掺杂浓度为NB=1016cm-3,`共发射极电流增益β=50。
BVCEO=60V，设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年n=3）
二、课程设计的要求与数据
1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则
2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE,NB,和NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。
3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度Wb，发射区宽度We和扩散结深Xjc,发射结结深Xje等。
4．根据扩散结深Xjc,发射结结深Xje等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。
5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。
6.根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。
7．撰写设计报告
三、课程设计应完成的工作
1.材料参数设计2.晶体管纵向结构设计
3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4．工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数
6.写设计报告
四、课程设计进程安排
五、应收集的资料及主要参考文献
1．《半导体器件基础》RobertF.Pierret著，黄如译，电子工业出版社，2004.2．《半导体物理与器件》赵毅强等译，电子工业出版社，2005年.3．《硅集成电路工艺基础》，关旭东编著，北京大学出版社，2005年.
发出任务书日期：
2011年6月6日指导教师签名：
计划完成日期：
2011年6月17日基层教学单位责任人签章：
主管院长签章：
目录
一、课程设计目的与任务?
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2二、课程设计时间?
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2三、课程设计的基本内容?
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2
微电子器件与工艺课程设计――npn双极型晶体管的设计?
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2课程设计的主要内容：
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2
四、课程设计原理?
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3五、工艺参数设计?
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3
晶体管设计的一般步骤：
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3材料参数计算?
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4各区掺杂浓度及相关参数的计算?
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4集电区厚度Wc的选择?
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8基区宽度WB?
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8晶体管的横向设计?
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11
晶体管横向结构参数的选择?
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11工艺参数设计?
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12晶体管工艺概述?
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12
工艺参数计算思路?
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13
基区相关参数的计算过程：
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13发射区相关参数的计算过程?
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15
氧化时间的计算?
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17
外延层的参数计算?
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19
设计参数总结?
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20
六、工艺流程图?
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21七、生产工艺流程?
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21
硅片清洗?
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21
氧化工艺?
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22第一次氧化工艺步骤（基区氧化）?
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23
采用比色法测量氧化层厚度?
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23第一次光刻工艺（基区光刻）?
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24
硼扩散工艺?
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25
原理?
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25工艺步骤?
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25第二次光刻工艺（发射区光刻）?
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26磷扩散工艺（发射区扩散）?
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26工艺原理?
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26工艺步骤?
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27
八、版图?
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28九、心得体会?
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30十、参考文献?
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