光电子技术课后答案第三版.docx
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光电子技术课后答案第三版
1.设在半径为Rc的圆盘中心法线上，距盘圆中心为Io处有一个辐射强度为Ie的点源S,
如图所示。
试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。
面的面积为Ac,至価源AAs的距离为Io。
若飞为辐射在被照面.：
Ac的入射角，试计算小面源
在AAc上产生的辐射照度。
4.霓虹灯发的光是热辐射吗?
不是热辐射。
度T的升高而减小。
试由普朗克热辐射公式导出
■mT二常数。
这一关系式称为维恩位移定律，其中常数为2.89810-3m*。
普朗克热辐射公式求一阶导数，令其等于0,即可求的。
9.常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。
你知道这是按什么区分的吗？
按色温区分。
习题2
1•何为大气窗口，试分析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减因素。
对某些特定的波长，大气呈现出极为强烈的吸收。
光波几乎无法通过。
根据大气的这种
选择吸收特性，一般把近红外区分成八个区段，将透过率较高的波段称为大气窗口。
2•何为大气湍流效应，大气湍流对光束的传播产生哪些影响？
是一种无规则的漩涡流动，流体质点的运动轨迹十分复杂，既有横向运动，又有纵向
运动，空间每一点的运动速度围绕某一平均值随机起伏。
这种湍流状态将使激光辐射在传播
过程中随机地改变其光波参量，使光束质量受到严重影响，出现所谓光束截面内的强度闪烁、
光束的弯曲和漂移（亦称方向抖动）、光束弥散畸变以及空间相干性退化等现象，统称为大
气湍流效应。
5•何为电光晶体的半波电压？
半波电压由晶体的那些参数决定？
当光波的两个垂直分量Ex，Ey的光程差为半个波长（相应的相位差为二）时所需要加的电压，称为半波电压。
7.若取Vs=616m/s，n=2.35，fs=10MHz，・0=0.6328心，试估算发生拉曼-纳斯衍射所
允许的最大晶体长度LmaX=?
22212
Lmax
nvsfs2.3561610010
■■。
....6
4'040.632810
10.一束线偏振光经过长L=25cm，直径D=1cm的实心玻璃，玻璃外绕N=250匝导线,通有电流I=5A。
取韦尔德常数为V=0.2510-5（'）/cm.T，试计算光的旋转角丁
NI
由公式V-.L、：
.二VH和H计算，得到V-VNI。
L
11.概括光纤弱导条件的意义。
从理论上讲，光纤的弱导特性是光纤与微波圆波导之间的重要差别之一。
实际使用的光
纤，特别是单模光纤，其掺杂浓度都很小，使纤芯和包层只有很小的折射率差。
所以弱导的
基本含义是指很小的折射率差就能构成良好的光纤波导结构，而且为制造提供了很大的方便。
15.光波水下传输有那些特殊问题？
主要是设法克服这种后向散射的影响。
措施如下：
⑴适当地选择滤光片和检偏器，以分辨无规则偏振的后向散射和有规则偏振的目标反射。
⑵尽可能的分开发射光源和接收器。
⑶采用如图2-28所示的距离选通技术。
当光源发射的光脉冲朝向目标传播时，接收器
的快门关闭，这时朝向接收器的连续后向散射光便无法进入接收器。
当水下目标反射的光脉
冲信号返回到接收器时，接收器的快门突然打开并记录接收到的目标信息。
这样就能有效的
克服水下后向散射的影响。
习题3
1.一纵向运用的KDP电光调制器，长为2cm，折射率n=2.5，工作频率为1000kHz。
试求此时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。
渡越时间为：
d=nL/C
相位延迟因子：
1e七和・d
E（t）dt护。
（-）ei'mt
'3m巧d
2•在电光调制器中，为了得到线性调制，在调制器中插入一个/4波片，波片的轴向如
何设置最好？
若旋转/4波片，它所提供的直流偏置有何变化？
其快慢轴与晶体的主轴x成45角，从而使Ex•和Ey•两个分量之间产生7/2的固定相位
xy
差。
153
7.用PbMoO4晶体做成一个声光扫描器，取n=2.48，M2=37.7510s/kg，换能器宽度
5
H=0.5mm。
声波沿光轴方向传播，声频fs=150MHz，声速Vs=3.9910cm/s，光束宽度d=0.85cm，
光波长=0.5。
⑴证明此扫描器只能产生正常布喇格衍射；
⑵为获得100%的衍射效率，声功Ps率应为多大?
⑶若布喇格带宽.f=125MHz，衍射效率降低多少?
⑷求可分辨点数N。
2
⑴由公式L:
:
L0证明不是拉曼-纳斯衍射。
4人
习题4
4.1比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。
答：
光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。
探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。
光子能量的大小，直接影响内部
电子状态改变的大小。
因为，光子能量是h，h是普朗克常数，是光波频率，所以，光子
效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度一般比
较快。
光热效应和光子效应完全不同。
探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状
态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，温度上升的
结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。
所以，光热效应与单光子能量h
的大小没有直接关系。
原则上，光热效应对光波频率没有选择性。
只是在红外波段上，材料
吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外线辐射的探测。
因为温度升高是热积
累的作用，所以光热效应的响应速度一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。
值得注
意的是，以后将要介绍一种所谓热释电效应是响应于材料的温度变化率，比其他光热效应的
响应速度要快得多，并已获得日益广泛的应用。
4.2总结选用光电探测器的一般原则。
答：
用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配；考虑时间响应特性；考虑光电探测器的线性特性等。
习题5
5.1以表面沟道CCD为例，简述CCD电荷存储、转移、输出的基本原理。
CCD的输出信
号有什么特点？
答：
构成CCD的基本单元是MOS（金属-氧化物-半导体）电容器。
正如其它电容器一样，MOS电容器能够存储电荷。
如果MOS结构中的半导体是P型硅，当在金属电极（称为栅）
上加一个正的阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处的电势（称为表面势或界面势）发生
相应变化，附近的P型硅中多数载流子一一空穴被排斥，形成所谓耗尽层，如果栅电压Vg
超过MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那里的
势能较低，我们可以形象化地说：
半导体表面形成了电子的势阱，可以用来存储电子。
当表
面存在势阱时，如果有信号电子（电荷）来到势阱及其邻近，它们便可以聚集在表面。
随着电子来到势阱中，表面势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描述为电子逐渐填充势阱。
势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的深浅”即表面势的大小，而表面势又随栅电压
变化，栅电压越大，势阱越深。
如果没有外来的信号电荷。
耗尽层及其邻近区域在一定温度下产生的电子将逐渐填满势阱，这种热产生的少数载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下
产生的载流子。
因此，电荷耦合器件必须工作在瞬态和深度耗尽状态，才能存储电荷。
以典型的三相CCD为例说明CCD电荷转移的基本原理。
三相CCD是由每三个栅为一组的间隔紧密的MOS结构组成的阵列。
每相隔两个栅的栅电极连接到同一驱动信号上，亦称时钟脉冲。
三相时钟脉冲的波形如下图所示。
在ti时刻，咖高电位，血、如低电位。
此
时如电极下的表面势最大，势阱最深。
假设此时已有信号电荷（电子）注入，则电荷就被存储在如电极下的势阱中。
t2时刻，奶、血为高电位，$3为低电位，则咖、血下的两个势
阱的空阱深度相同，但因咖下面存储有电荷，则如势阱的实际深度比血电极下面的势阱浅，如下面的电荷将向如下转移，直到两个势阱中具有同样多的电荷。
t3时刻，如仍为高电位,
也仍为低电位，而如由高到低转变。
此时如下的势阱逐渐变浅，使如下的剩余电荷继续
向血下的势阱中转移。
t4时刻，血为高电位，如、如为低电位，如下面的势阱最深，信号电荷都被转移到血下面的势阱中，这与ti时刻的情况相似，但电荷包向右移动了一个电极的位置。
当经过一个时钟周期T后，电荷包将向右转移三个电极位置，即一个栅周期（也
工作过程从效果上看类似于数字电路中的移位寄存器。
11t2t3t4
构。
其中浮置扩散输出”结构应用最广泛，。
输出结构包括输出栅OG、浮置扩散区FD、复
位栅R、复位漏RD以及输出场效应管T等。
所谓浮置扩散”是指在P型硅衬底表面用V族杂质扩散形成小块的n+区域，当扩散区不被偏置，即处于浮置状态工作时，称作浮置扩散区”
电荷包的输出过程如下：
Vog为一定值的正电压，在OG电极下形成耗尽层，使$3与FD之间建立导电沟道。
在$3为高电位期间，电荷包存储在$3电极下面。
随后复位栅R加正复位脉冲$r，使FD区与RD区沟通，因Vrd为正十几伏的直流偏置电压，则FD区的
电荷被RD区抽走。
复位正脉冲过去后FD区与RD区呈夹断状态，FD区具有一定的浮置
电位。
之后，也转变为低电位，
也下面的电荷包通过OG下的沟道转移到FD区。
此时FD
区（即A点）的电位变化量为:
Qfd
——
C
式中，Qfd是信号电何包的大小，
C是与FD区有关的总电容（包括输出管T的输入电容、
分布电容等）
CCD输出信号的特点是：
信号电压是在浮置电平基础上的负电压；每个电荷包的输出
占有一定的时间长度T。
；在输出信号中叠加有复位期间的高电平脉冲。
据此特点，对CCD
的输出信号进行处理时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。
5.2何谓帧时、帧速？
二者之间有什么关系？
答：
完成一帧扫描所需的时间称为帧时Tf（s），单位时间完成的帧数称为帧速F（帧/s）:
1
Tf=一”。
F
5.3用凝视型红外成像系统观察30公里远，10米X10米的目标，若红外焦平面器件的像元
大小是50卩mx50“假设目标像占4个像元，则红外光学系统的焦距应为多少？
若红外焦平面器件是128X128元，则该红外成像系统的视场角是多大？
答:
105010°2
3—/
3010f
/
f300mm
水平及垂直视场角:
5.5一目标经红外成像系统成像后供人眼观察，在某一特征频率时，目标对比度为0.5,大气
的MTF为0.9，探测器的MTF为0.5，电路的MTF为0.95,CRT的MTF为0.5，则在这一特征频率下，光学系统的MTF至少要多大？
答：
0.5x0.9x0.5x0.95x：
0.5x：
MTF0>0.026MTF。
启0.24
5.6红外成像系统A的NETDa小于红外成像系统B的NETDb，能否认为红外成像系统A
对各种景物的温度分辨能力高于红外成像系统B，试简述理由。
答：
不能。
NETD反映的是系统对低频景物（均匀大目标）的温度分辨率，不能表征系统用于观测较高空间频率景物时的温度分辨性能。
5.7试比较带像增强器的CCD、薄型背向照明CCD和电子轰击型CCD器件的特点。
答：
带像增强器的CCD器件是将光图像聚焦在像增强器的光电阴极上，再经像增强器增强后耦合到电荷耦合器件（CCD）上实现微光摄像（简称ICCD）。
最好的ICCD是将像增强器荧光屏上产生的可见光图像通过光纤光锥直接耦合到普通CCD芯片上。
像增强器内光
子-电子的多次转换过程使图像质量受到损失，光锥中光纤光栅干涉波纹、折断和耦合损失
都将使ICCD输出噪声增加，对比度下降及动态范围减小，影响成像质量。
灵敏度最高的
-6
ICCD摄像系统可工作在10lx靶面照度下。
薄型、背向照明CCD器件克服了普通前向照明CCD的缺陷。
光从背面射入，远离多
晶硅，由衬底向上进行光电转换，大量的硅被光刻掉，在最上方只保留集成外接电极引线部
分很少的多晶硅埋层。
由于避开了多晶硅吸收，CCD的量子效率可提高到90%，与低噪
声制造技术相结合后可得到30个电子噪声背景的CCD,相当于在没有任何增强手段下照度
-4
为10lx（靶面照度）的水平。
尽管薄型背向照明CCD器件的灵敏度高、噪声低，但当照
度低于10-6lx（靶面照度）时，只能依赖图像增强环节来提高器件增益，克服CCD噪声的
制约。
电子轰击型CCD器件是将背向照明CCD当作电子轰击型CCD的阳极”光电子从电子轰击型CCD的光阴极”发射直接近贴聚焦”到CCD基体上，光电子通过CCD背面进入后，硅消耗入射光子能量产生电子空穴对，进而发生电子轰击半导体倍增，电子轰击过程
产生的噪声比用微通道板倍增产生的噪声低得多，与它获得的3000倍以上增益相比是微不
足到的。
电子轰击型CCD器件采用电子从光阴极”直接射入CCD基体的成像方法，简化了光子被多次转换的过程，信噪比大大提高，与ICCD相比，电子轰击型CCD具有体积小、
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