常用电子元器件封装方式介绍.doc

常用电子元器件封装方式介绍.doc

《常用电子元器件封装方式介绍.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《常用电子元器件封装方式介绍.doc（3页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

常用电子元器件封装方式介绍

 1、BGA（ballgridarray）球形触点陈列，表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体（PAC）。

引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。

       例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。

而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。

最初，BGA的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。

现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。

BGA的问题是回流焊后的外观检查。

现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。

有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。

美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC（见OMPAC和GPAC）。

    2、BQFP（quadflatpackagewithbumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。

QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。

美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。

引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右（见QFP）。

    3、碰焊PGA（buttjointpingridarray）表面贴装型PGA的别称（见表面贴装型PGA）。

       4、C－（ceramic）表示陶瓷封装的记号。

例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。

是在实际中经常使用的记号。

       5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP（数字信号处理器）等电路。

带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。

引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。

在日本，此封装表示为DIP－G（G即玻璃密封的意思）。

        6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。

带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。

散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。

但封装成本比塑料QFP高3～5倍。

引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。

引脚数从32到368。

       7、CLCC（ceramicleadedchipcarrier）带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。

带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。

此封装也称为QFJ、QFJ－G（见QFJ）

       8、COB（chiponboard板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。

虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

       9、DFP（dualflatpackage）双侧引脚扁平封装。

是SOP的别称（见SOP）。

以前曾有此称法，现在已基本上不用。

       10、DIC（dualin-lineceramicpackage）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）.

       11、DIL（dualin-line）DIP的别称（见DIP）。

欧洲半导体厂家多用此名称。

       12、DIP（dualin-linepackage）。

双列直插式封装。

插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。

DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。

引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。

封装宽度通常为15.2mm。

有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP（窄体型DIP）。

但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。

另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。

       13、DSO（dualsmallout-lint）双侧引脚小外形封装。

SOP的别称（见SOP）。

部分半导体厂家采用此名称。

       14、DICP（dualtapecarrierpackage）双侧引脚带载封装。

TCP（带载封装）之一。

引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。

由于利用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。

常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。

另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。

在日本，按照EIAJ（日本电子机械工业）会标准规定，将DICP命名为DTP。

       15、DIP（dualtapecarrierpackage）同上。

日本电子机械工业会标准对DTCP的命名（见DTCP）。

       16、FP（flatpackage）扁平封装。

表面贴装型封装之一。

QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。

部分半导体厂家采用此名称。

       17、flip-chip倒焊芯片。

裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。

封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。

是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。

但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。

因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。

       18、FQFP（finepitchquadflatpackage）小引脚中心距QFP。

通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP（见QFP）。

部分导导体厂家采用此名称。

       19、CPAC（globetoppadarraycarrier）美国Motorola公司对BGA的别称（见BGA）。

       20、CQFP（quadfiatpackagewithguardring）带保护环的四侧引脚扁平封装。

塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。

在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状（L形状）。

这种封装在美国Motorola公司已批量生产。

引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。

       21、H-（withheatsink）表示带散热器的标记。

例如，HSOP表示带散热器的SOP。

       22、pingridarray（surfacemounttype）表面贴装型PGA。

通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。

表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。

贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。

因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多（250～528），是大规模逻辑LSI用的封装。

封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。

以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

       23、JLCC（J-leadedchipcarrier）J形引脚芯片载体。

指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称（见CLCC和QFJ）。

部分半导体厂家采用的名称。

       24、LCC（Leadlesschipcarrier）无引脚芯片载体。

指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。

       是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C（见QFN）。

       25、LGA（landgridarray）触点陈列封装。

即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。

装配时插入插座即可。

现已实用的有227触点（1.27mm中心距）和447触点（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。

LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。

另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。

但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。

预计今后对其需求会有所增加。

       26、LOC（leadonchip）芯片上引线封装。

LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。

与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

       27、LQFP（lowprofilequadflatpackage）薄型QFP。

指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

       28、L－QUAD陶瓷QFP之一。

封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。

封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。

是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。

现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。

       29、MCM（multi-chipmodule）多芯片组件。

将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。

根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。

       MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。

布线密度不怎么高，成本较低。

       MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。

两者无明显差别。

布线密度高于MCM－L。

       MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al作为基板的组件。

       布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。