简答题光电检测核心技术期末整理.docx

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简答题光电检测核心技术期末整理

1、雪崩光电二极管工作原理

（当光敏二极管PN结上加相称大反向偏压（100~200V）时，在结区产生一种很强电场，使进入场区光生载流子获得足够能量，在与原子碰撞时可使原子电离，而产生新电子—空穴对。

只要电场足够强，此过程就将继续下去，使PN结内电流急剧增长，达到载流子雪崩倍增，这种现象称为雪崩倍增效应。

）

2、光生伏特效应与光电导效应区别和联系？

（共性：

同属于内光电效应。

区别：

光生伏特效应是少数载流子导电光电效应，而光电导效应是多数载流子导电光电效应。

）

什么是敏感器？

敏感器与传感器区别和联系？

（将被测非电量转换为可用非电量器件。

共性：

对被测非电量进行转换。

区别：

敏感器是把被测量转换为可用非电量，传感器是把被测非电量转换为电量）

发光二极管工作原理。

（在PN结附近，N型材料中多数载流子是电子，P型材料中多数载流子是空穴，PN结上未加电压时构成一定势垒，当加上正向偏压时，在外电场作用下，P区空穴和N区电子就向对方扩散运动，构成少数载流子注入，从而在PN结附近产生导带电子和价带空穴复合。

一种电子和一种空穴对每一次复合，将释放出与材料性质关于一定复合能量，这个能量会以热能、光能、或某些热能和某些光能形式辐射出来。

阐明光子器件与热电器件特点。

光子器件

热电器件

响应波长有选取性，普通有截止波长，超过该波长，器件无响应。

响应波长无选取性，对可见光到远红外各种波长辐射同样敏感

响应快，吸取辐射产生信号需要时间短，普通为纳秒到几百微秒

响应慢，普通为几毫秒

PIN型光电二极管构造、工作原理及特点

（它构造分三层，即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚本征半导体I层，它是用高阻N型硅片做I层，然后把它两面抛光，再在两面分别作N+和P+杂质扩散，在两面制成欧姆接触而得到PIN光电二极管。

原理：

层很厚，对光吸取系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸取而产生大量电子-空穴对，因而大幅度提供了光电转换效率，从而使敏捷度得以很高。

两侧P层和N层很薄，吸取入射光比例很小，I层几乎占据整个耗尽层，因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。

特点：

PIN管最大特点是频带宽，可达10GHz。

缺陷:

由于I层存在，管子输出电流小，普通多为零点几微安至数微安。

）

热辐射检测器普通分为哪两个阶段？

哪个阶段可以产生热电效应。

（第一步：

是热探测器吸取红外辐射引起温升，这一步对各种热探测器都同样；

第二步：

运用热探测器某些温度效应把温升转换为电量变化。

第二阶段）

8、光电检测系统由哪几某些构成？

作用分别是什么？

1.阐述光电检测系统基本构成，并阐明各某些功能。

（10分）

下面是一种光电检测系统基本构成框图：

（4分）

（1）光源和照明光学系统：

是光电检测系统中必不可少一某些。

在许多系统中按需要选取一定辐射功率、一定光谱范畴和一定发光空间、分布光源，以此发出光束作为载体携带被测信息。

（2）被测对象及光学变换：

这里所指是上述光源所发出光束在通过这一环节时，运用各种光学效应，如反射、吸取、折射、干涉、衍射、偏振等，使光束携带上被检测对象特性信息，形成待检测光信号。

光学变换普通是用各种光学元件和光学系统来实现，实现将被测量转换为光参量（振幅、频率、相位、偏振态、传播方向变化等）。

（3）光信号匹配解决：

这一工作环节位置可以设立在被检测对象前面，也可设在光学变换背面，应按实际规定来决定。

光信号匹配解决重要目是为了更好地获得待测量信息，以满足光电转换需要。

（4）光电转换：

该环节是实现光电检测核心某些。

其重要作用是以光信号为媒质，以光电探测器为手段，将各种经待测量调制光信号转换成电信号（电流、电压或频率），以利于采用当前最为成熟电子技术进行信号放大、解决、测量和控制等。

（5）电信号放大与解决：

这一某些重要是由各种电子线路所构成。

光电检测系统中解决电路任务重要是解决两个问题：

①实现对薄弱信号检测；②实现光源稳定化。

（6）存储、显示与控制系统：

许多光电检测系统只规定给出待测量详细值，即将解决好待测量电信号直接经显示系统显示。

9、简述光电检倍增管构造构成和工作原理

（光电倍增管重要由入射窗口、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统、和阳极5某些构成。

@1光照射到阴极转换成电子，出射到下一电极。

@2电子撞到下一电极，倍增，更多电子出射，直奔下一电极。

@.3通过若干次倍增，到达阳极，形成信号电流。

）

10简述CCD器件构造和工作原理

（MOS电容器件+输入输出端=CCD

Ccd工作原理：

由目的发射来光学图像，经透镜聚焦后成像在CCD像敏单元上；

在耗尽层中或距耗尽层为一定范畴内光生电子迅速被势阱收集，汇集到界面附近形成电荷包，存储在像敏单元中。

电荷包大小与光强和积分时间成正比。

电荷包在时钟脉冲作用下，由转移寄存器读出。

即在ＣＣＤ栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈值电压，则在半导体表面形成不同深浅势阱。

势阱用于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱内信号电荷沿半导体表面传播，最后从输出二极管送出视频信号。

）

11、简述热电偶工作原理

（热电偶工作原理是基于赛贝克（seeback）效应,即两种不同成分导体两端连接成回路，如两连接端温度不同，则在回路内产生热电流物理现象。

）

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三、简答题（共46分）

4、在薄弱辐射作用下，光电导材料光电敏捷度有什么特点？

为什么要把光敏电阻导致蛇形？

（8分）

光电导器件响应时间（频率特性）受哪些因素限制？

光伏器件与光电导器件工作频率哪个高？

实际使用时如何改进其工作频率响应？

（8分）

答：

在薄弱辐射作用下，光电导材料光电敏捷度是定值，输出光电流与入射光通量成正比，即保持线性关系。

光敏电阻做成蛇形，一方面既可以保证有较大受光面积，一方面减小电极之间距离，从而既可以减小载流子有效极间渡越时间，也有助于提高敏捷度。

2、响应时间重要受光电导器件中载流子平均寿命τ关于，减小τ，则频率响应提高；其次，光电导器件响应时间与运用状态也有光，例如，光照强度和温度变化，由于它们都影响载流子寿命。

光伏特器件工作频率高于光电导器件。

要改进光伏器件频率响应，重要是减小响应时间，因此采用办法重要有：

①减小负载电阻；②减小光伏特器件中结电容，即减小光伏器件受光面积；③恰当增长工作电压。

6、试问图2（a）和图2（b）分别属哪一种类型偏置电路？

为什么？

分别写出输出电压U0表达式。

（10分）

答：

都属于共射极电路，

3、如果硅光电池负载是R,画出等效电路。

写出流过负载I电流方程及Uoc,Isc表达式，阐明含义

硅光电池工作原理和等效电路为下图：

（a）光电池工作原理图（b）光电池等效电路图（c）进一步简化

（4分）

从图（b）中可以得到流过负载RL电流方程为：

（1）

其中，SE为光电池光电敏捷度，E为入射光照度，Is0是反向饱和电流，是光电池加反向偏压后浮现暗电流。

（2分）

当i＝0时，RL＝∞（开路），此时曲线与电压轴交点电压普通称为光电池开路时两端开路电压，以VOC表达，由式

（1）解得：

（2）.。

。

（4分）

当Ip》Io时，

当RL＝0（即特性曲线与电流轴交点）时所得电流称为光电流短路电流，以Isc表达，因此Isc＝Ip＝Se·E（3）。

。

（4分）

从式

（2）和（3）可知，光电池短路光电流Isc与入射光照度成正比，而开路电压Voc与光照度对数成正比。

4.光伏探测器工作模式分为哪几种？

为什么（分类根据）？

她们重要区别？

（10分）

答:

光伏探测器工作模式分为光电导工作模式和光伏特工作模式，它工作模式则由外偏压回路决定。

在零偏压开路状态，PN结型光电器件产生光生伏特效应，这种工作原理成光伏工作模式。

当外回路采用反偏电压，即外加P端为负，N端为正电压时。

无光照时电阻很大，电流很小；有光照时，电阻变小，电流就变大，并且流过它光电流随照度变化而变化。

从外表看，PN结光伏探测器与光敏电阻同样，同样也具备光电导工作模式，因此称为光导工作模式。

重要区别：

器件处在光伏工作模式时，器件内阻远低于负载电阻，相称于一种恒压源；在光电导模式下，器件内阻远不不大于负载电阻，此时器件相称于恒流源。

阐述题（共26分）

1.为什么说光外差检测方式是具备天然检测薄弱信号能力？

（12分）（第六章）

而中频电流输出相应电功率为：

，其中RL为光电探测器负载电阻。

因此，

这里横线是对中频周期求平均。

从物理过程观点看，直接探测是光功率包络变换检波过程；而光频外差探测光电转换过程不是检波，而是一种“转换”过程，即把以ωS为载频光频信息转换到以ωIF为载频中频电流上，这一“转换”是本机振荡光波作用，它使光外差探测天然地具备一种转换增益。

为了衡量这种转换增益量值，咱们以直接探测为基准加以描述。

为此令

把

（1）和

（2）式代入（3）中得到：

普通在实际应用中，PL>>PS因而M>>1，M大小和PS量值关于。

例如假定PL=0.5mw，那么在不同PS值下，M值将发生明显变化。

列举数值如表1所示：

从表1数值举例中看出，在强光信号下，外差探测并没有多少好处，在薄弱光信号下，外差探测器体现出十分高转换增益。

例如，在

量级时，

也就是说，外差探测敏捷度比直接探测将高

量级，因此咱们可以说，光外差探测方式具备天然探测薄弱信号能力。

三、简答：

（每小题6分，共30分）

1、简述半导体工作原理，它有哪些特点？

对工作电源有什么规定？

半导体激光器（LD）工作原理：

半导体材料是LD激活物质，在半导体两个端面精细加工磨成解理面而构成谐振腔。

半导体p-n结在内建电场下达到平衡；当外加正偏压时，外加电压削弱内建电场，使空间电荷区变窄，载流子扩散运动加强，构成少数载流子注入，从而在p-n结附近产生导带电子和价带空穴复合，复合产生能量释放，某些以光形式释放出来，由于解理面谐振腔共振放大作用实现受激反馈，实现定向发射而输出激光。

特点：

体积小、重量轻、寿命长、具备高转换效率，从紫外到红外均可发光，输出功率从几mw到几百mw，在脉冲输出时，可达数W，单色性比He-Ne激光器差。

对工作电源规定是稳定

2、光源选取基本规定有那些？

①源发光光谱特性必要满足检测系统规定。

按检测任务不同，规定光谱范畴也有所不同，如可见光区、紫外光区、红外光区等等。

有时规定持续光谱，有时又规定特定光谱段。

系统对光谱范畴规定都应在选取光源时加以满足。

②光对光源发光强度规定。

为保证光电测试系统正常工作，对系统采用光源发光强度应有一定规定。

光源强度过低，系统获得信号过小，以至无法正常测试，光源强度过高，又会导致系统工作非线性，有时还也许损坏系统、待测物或光电探测器，同步还会导致不必要能源消耗而导致挥霍。

因而在设计时，必要对探测器所需获得最大、最小光适量进行对的预计，并按预计来选取光源。

③对光源稳定性规定。

不同光电测试系统对光源稳定性有着不同规定。

普通依不同测试量来拟定。

稳定光源发光办法诸多，普通规定期，可采用稳压电源供电。

当规定较高时，可采用稳流电源供电。

所用光源应当预先进行月化解决。

当有更高规定期，可对发出光进行采样，然后再反馈控制光源输出。

④对光源其她方面规定。

光电测试中光源除以上几条基本规定外；尚有某些详细规定。

如灯丝构造和形状；发光面积大小和构成；灯泡玻壳形状和均匀性；光源发光效率和空间分布等等，这些方面都应当依照测试系统规定给以满足。

3、光电倍增管供电电路分为负高压供电和正高压供电，阐明两种电路各有什么特点？

采用阳极接地，负高压供电。

这样阳极输出不需要隔直电容，可以直流输出，普通阳极分布参数也较小。

可是在这种状况下，必要保证作为光屏蔽和电磁屏蔽金属筒距离管壳至少要有10～20mm，否则由于屏蔽筒影响，也许相称大地增长阳极暗电流和噪声。

如果接近管壳处再加一种屏蔽罩，并将它连接到阴极电位上，则要注意安全。

采用正高压电源就失去了采用负高压电源长处，这时在阳极上需接上耐高压、噪声小隔直电容，因而只能得到交变信号输出。

可是，它可获得比较低和稳定暗电流和噪声。

5、为什么结型光电器件在正向偏置时，没有明显光电效应？

它必要在哪种偏置状态？

为什么？

由于p-n结在外加正向偏压时，虽然没有光照，电流也随着电压指数级在增长，因此有光照时，光电效应不明显。

p-n结必要在反向偏压状态下，有明显光电效应产生，这是由于p-n结在反偏电压下产生电流要饱和，因此光照增长时，得到光生电流就会明显增长。

四、阐述题（45分）

2.在“反向偏置”电路中，有两种获得输出电压U0办法：

一种是从负载电阻RL上获得电压U0，另一种是从二极管两端获得电压U0。

论述两种办法特点及它们之间联系。

（10分）

2、在“反向偏置”电路中，两种获得输出电压U0办法：

一种是从负载电阻RL上获得电压U0，如图a所示，另一种是从二极管两端获得电压U0，如图b所示。

（1）对于图a）所示电路，光电信号是直接取出，即U0=ILRL，而对于b）图，光电信号是间接取出，U0=UC-ILRL；（3分）

（2）两种电路输出光电信号电压幅值相等，但相位是相反；（3分）

（3）这两种办法只适合照射到P—N结上光强变化缓慢和恒定光状况，这时光电二极管结电容不起作用，二极管自身串联电阻很小，事实上可以略去不计。

（2分）

（4）当二极管光电流与暗电流接近时，光电信号难以取出，因而，运用反偏法检测薄弱恒定光时不利。

（2分）

1在光度单位体系中，基本单位是如何定义。

什么是光视效能？

在光度体系中，被选作基本单位不是光量或光通量，而是发光强度，其单位是坎德拉（1分）。

定义为一种光源发出频率为

单色辐射，如果在一给定方向上辐射强度为

，则该光源在该方向上发光强度为1坎德拉（2分）。

光度量和辐射度量之间可以用光是效能与光视效率联系起来。

光视效能描述某一波长单色光辐射通量可以产生多少相应单色光通量。

即光视效能Kλ定义为同一波长下测得光通量与辐射通量比之，即

单位：

流明/瓦特（lm/W）。

4阐明光子效应和光热效应各自特点。

1.光子效应：

指单个光子性质对产生光电子起直接作用一类光电效应。

探测器吸取光子后，直接引起原子或分子内部电子状态变化。

光子能量大小，直接影响内部电子状态变化。

（2分）

特点：

光子效应对光波频率体现出选取性，响应速度普通比较快。

（1分）

2.光热效应：

探测元件吸取光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态变化，而是把吸取光能变为晶格热运动能量，引起探测元件温度上升,温度上升成果又使探测元件电学性质或其她物理性质发生变化。

（2分）

特点：

原则上对光波频率没有选取性，响应速度普通比较慢。

（1分）

（在红外波段上，材料吸取率高，光热效应也就更强烈，因此广泛用于对红外线辐射探测。

）

二简答题，共30分，每题6分（规定简朴扼要）

1光电探测器性能参数涉及哪些方面。

（得分点：

回答为什么制定性能参数得2分，详细参数每两个得1分，共4分，本题总分6分）

为了评价探测器性能优劣，比较不同探测器之间差别，从而达到依照详细需要合理对的选取光电探测器件目，制定了一套性能参数。

普通涉及积分敏捷度，也成为响应度，光谱敏捷度，频率敏捷度，量子效率，通量阈和噪声等效功率，归一化探测度及工作电压、电流、温度及入射光功率容许范畴。

2光子效应和光热效应（给出两种效应概念得2分,给出两种效益特点得2分,对两种效能探测器时间特性能进行简朴阐明得2分）

答：

光子效应是指单个光子性质对产生光电子起直接作用一类光电效应。

探测器吸取光子后，直接引起原子或分子内部电子状态变化。

光子能量大小，直接影响内部电子状态变化大小。

由于，光子能量是h

，h是普朗克常数，

是光波频率，因此，光子效应就对光波频率体现出选取性，在光子直接与电子互相作用状况下，其响应速度普通比较快。

光热效应和光子效应完全不同。

探测元件吸取光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态变化，而是把吸取光能变为晶格热运动能量，引起探测元件温度上升,温度上升成果又使探测元件电学性质或其她物理性质发生变化。

因此，光热效应与单光子能量h

大小没有直接关系。

原则上，光热效应对光波频率没有选取性。

只是在红外波段上，材料吸取率高，光热效应也就更强烈，因此广泛用于对红外线辐射探测。

由于温度升高是热积累作用，因此光热效应响应速度普通比较慢，并且容易受环境温度变化影响。

值得注意是，后来将要简介一种所谓热释电效应是响应于材料温度变化率，比其她光热效应响应速度要快得多，并已获得日益广泛应用。

3请简要说出InSb和PbS光敏电阻特性。

（得分点：

每种光敏电阻有1分，写出光敏电阻重要参数得4分，本题总分6分）

（1）PbS近红外辐射探测器,波长响应范畴在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm,内阻（暗阻）大概为1MΩ,响应时间约200μs

（2）InSb在77k下,噪声性能大大改进,峰值响应波长为5μm,响应时间短（大概50×10-9s）

4为什么说光电池频率特性不是较好?

（得分点：

2个因素，每一种得分3分，本题总分6分）

答:

光电池总来说频率特性不是较好,这是由于两个方面因素:

第一,光电池光敏面普通做较大,因而极间电容较大;第二,光电池工作在第四象限,有较小正偏压存在,因此光电池内阻较低,并且随入射光功率变差,因而光电池频率特性不好.

1、温度变化与自发极化强度有何关系？

答：

晶体整体温度微小变化ΔT产生自发极化强度Ps变化可表达为Δ¯Ps=¯PΔT式中¯P为热释电系数矢量，普通有三个分量Pi（i=1.2，3）Pi=dPsi∕dT（单位c∕㎡k）

在与电热释电晶体自发极化强度Ps轴垂直表面内浮现束缚电荷面密度等于Ps，晶体内部电荷中和束缚电荷平均时间て=ε∕r这里ε为晶体介电常数，r为晶体电导率，多数热释电晶体て值在1——1000s之间。

2、热电势探测器能否测量直流信号？

为什么？

答：

用于人体热释电探测器，它工作波长为7——15μm，人体辐射为9μm，图中被测物体（或人体）所辐射红外线通过遮光盘调制产生调制频率为ƒ红外光照摄热释电晶体，当ƒ>1∕て时，晶体内自由电荷来不及中和表面束缚电荷变化成果就使在垂直于极化强度Ps两端面间浮现交流电压，在端面上敷以电极，并接上负载电阻就有电流通过，在负载R两端就有交流电压输出，设温度变化率为dT∕dt，极化强度Ps对时间变化率为dPs∕dt，电极面积为A，则AdPs∕dt就相称于电路上电流，于是电压输出与温度变化率成正比。

3、硅光电池为什么使用梳状电池？

答：

梳状电极：

大面积光敏面采用梳状电极可以减少光载流子复合，从而提高转换率，减少表面接触电阻。

4、为什么有些光敏二极管在制作PN结同步还做出一种环极？

答：

无光照时反向电阻很大（MΩ级）只有打在PN结附近，使PN结空间电荷区（耗尽层）产生光生电子空穴对时它们与P区、N区少数载流子一起在PN结内电场作用下做定向移动形成光电流，此时它反向电阻大为减少，普通只有1KΩ到几百欧，当负偏压增长时耗尽层加宽使光电流增大，敏捷度提高，光电流与入射光照度成线性关系。

光敏二极管缺陷：

暗电流较大

为了减少无光照时反向漏电流（暗电流）影响有些光敏二极管（如2DU型）在制作PN结同步还做出一种环形扩散层引出电极称为环极，如图所示因环极电位比负极电位高因此反向漏电流（暗电流）直接从环极流过而不再通过负极从而可以减少负极与正极之间暗电流。

5、两种高速光电二极管构造特点和原理？

（PIN、APD）

答：

PIN光电二极管构造特点：

P层和N层之间增长了一层很厚高电阻率本征半导I

增长I区长处：

（1）由于I区相对P区和N区是高阻，在反偏工作状况下，它承受极大某些电压降，使耗尽区增大，这样展宽了光电转换有效工作区，使敏捷度增大

（2）又由于PIN结光电二极管工作电压是很高反偏电压，使PIN结耗尽层加宽，电场强光生电流加速因而大幅度减少了载流子在构造内漂移时间元件响应速度加快

电路特点：

反偏电压高

APD光电二极管构造特点：

在光照时P+层受光子能量激发电子从所带电跃迁到导带，在高电场作用下，电子从高速通过P层产生碰撞电离，形成大量新生电子空穴对，并且它们也从电场中获得高能量与从P+层来电子一起再次碰撞P区其她原子，又产生大批新生电子

6、光纤传感器种类？

答：

光纤传感器普通可分为两大类：

一类是功能型传感器，又称FF型光纤传感器，它是运用光纤自身特性，把光纤作为敏感元件，既感知信息又传播信息，因此又称传感型光纤传感器。

另一类是非功能型传感器，又称NF型光纤传感器，它是运用其她敏感元件感受被测量变化，光纤仅作为光传播介质，用以传播来自于远处或难以接近场合光信号，因而，也称为传光型光纤传感器。

8、光电导效应：

在物质受到辐射光照射后，材料电学性质发生了变化（电导率变化、发射电子、产生感应电动势等）现象称为光电效应。

外光电效应：

是指受到光辐射作用后，产生电子发射现象。

内光电效应：

是指受到光照射物质内部电子能量状态产生变化，但不存在表面发射电子现象。

光电导效应：

半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子明显增长而电阻减小现象。

光生伏特效应：

光照在半导体PN结或金属半导体接触面上时，会在PN结或金属半导体接触两侧产生光电动势。

本征光电导效应：

只有光子能量m不不大于材料禁带宽度Eq入射光，才干激发出电子空穴对，使材料产生光电导效应现象

光热效应：

某些物质受到光照后，由于温度变化而导致材料性质发生变化现象

温差电效应：

由两种材料制成结点浮现温差而在两结点间产生电动势回路产生电流

杂质光电导效应：

是指杂质半导体中施主或者受主吸取光子能量后电离，产生自由电子或空穴，从而增长材料电导率现象

10、光电管、光电倍增管光谱特性取决于什么、构造和原理

答：

光电管：

光谱特性——阴极材料不同步，对不同波长光敏感度不同工作原理和构造如图。

光电倍增管：

光谱响应宽特别是对红光和红外光。

工作原理：

阴极在光照下发射出光电子，光电子受到电极间电场作用而获得较大能量，当电子以足够速度打到倍增电极上时，倍增电极便会产生二次电子发射，使得向阳极方向运动电子数目成倍增长，通过多极倍增，最后到达阳极被收集而形成阳极电流随着光信号变化、在倍增极不变条件下，阳极电流也随光信号而变化达到把小光信号变成大电信号目。

构造：

光阳极K，倍增极D，阳极A

11、为什么功能型光纤传感器在构造上是持续？

答：

功能型传感器运用光纤自身特性，把光纤作为敏感元件既感知信息又传播信息，光纤与被测对象互相作用时光纤自身构造参量（尺寸和形状）发生变化，光纤传光特性发生有关变化，光纤中光波参量受到相应控制即在光纤中传播光波受到了被测对象调制，空载波变为调制波，携带了被测对象信息，另一层意思，光纤与被测对象作用时，光纤自身构造参量并不发生变化，而光纤中传播光波自身发生了某种变化，携带了待测信息

13、PIN结光电二极管增长了一层I区有什么长处？

答：

（1）由于I区相对于P区高阻，在反偏工作状况下，它承受极大某些电压降使耗尽区增大，这样展宽了光电转换有效工作区，使敏捷度增大

（2）又由于PIN结光电二极管工作电压是很高反偏电压，使PIN结耗尽层加宽电场强光生电流加速，因而大幅度减少了载流子在构造漂移时间，元件响应速度加快

14、为什么说光纤传感器不受电磁场干扰？

答：

由于光纤传感器是运用光波传播信息，而光纤是一种多层构造圆柱体，由石英玻璃或塑料制成电绝缘耐腐蚀传播媒质，并