固体物理 课后习题解答黄昆版第四章.docx

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固体物理课后习题解答黄昆版第四章

 

4.1,根据k

黄昆固体物理习题解答

 

第四章能带理论

=±π状态简并微扰结果,求出与E−及E+相应的波函数ψ−及ψ+?

,并说明它

a

们的特性.说明它们都代表驻波,并比较两个电子云分布ψ2说明能隙的来源(假设Vn=Vn*)。

<解>令k

=+π,k′=−π,简并微扰波函数为ψ=Aψk0

()

+Bψk0

()

0

a

*

a

⎡Ek()−EAVBn=0

0()

VAn+⎡Ek−EB⎦=

0

取EE+

带入上式,其中E+=Ek

0()+Vn

V(x)<0,Vn<0,从上式得到B=-A,于是

A⎡nπ

 

 

 

 

π

ψ

=A⎡ψ0()−ψk0′()⎤=

ix

ea

−e

ix

a

=2Asinnx

+

k

L⎣

L

a

取EE−,E−=Ek

0()−Vn

VAn=−VBn,得到AB

A⎡inπx−inπx⎤

 

π

ψ

=A⎡ψ0()−ψk0′()⎤=

ea

−e

a

=2Acosnx

k

L⎣

L

a

由教材可知,Ψ+及Ψ−均为驻波.在驻波状态下,电子的平均速度ν()为零.产生

驻波因为电子波矢

n

=时,电子波的波长

a

λ=2π=2a,恰好满足布拉格发射条件,这

kn

时电子波发生全反射,并与反射波形成驻波由于两驻波的电子分布不同,所以对应不同代入

能量。

4.2,写出一维近自由电子近似,第n个能带(n=1,2,3)中,简约波数kπ

=的0级波函数。

2a

1

1

r

1

π

1

i

2π1

x

imx

iximx

(m+)

ψ*

<解>

()

=

ikx=

e

ikxa

ee

=

e

2a

⋅e

a

=

e

a

4

k

L

⋅π=

L

 

*

L

π

1i2x

L

第一能带:

m

0,m=0,ψ()=

e

a

2a

bb′则b′→

 

k

⋅=−

L

 

 

m=−1,

i

x

i

π

∴ψ*()=

1

ix

e

第二能带:

a

a

(ea=e)2a

k

L

2a

1

π

1

第三能带:

c′→

⋅=

a

a

即m=

*

1,ψk()

=

L

ixix

e2a⋅ea

=

L

ix

e2a

解答(初稿)作者季正华-1-

 

4.3电子在周期场中的势能.

黄昆固体物理习题解答

1

22

2

2

mω⎡b−−(xna⎤

),

当nabxnab+

Vx()=0,

当(n-1)a+b≤≤xnab−

其中d=4b,ω是常数.试画出此势能曲线,求其平均值及此晶体的第一个和第二个禁带

度.

<解>(I)题设势能曲线如下图所示.

 

(2)势能的平均值:

由图可见,

 

Vx()是个以a为周期的周期函数,所以

Vx

()

=

1

∫Vx

L()

=

1

a

()

=

1

ab

()

L

ab

a∫−b

题设a=4b,故积分上限应为ab−=3b,但由于在[bb,3]区间内

[−,]区间内积分.这时,n=0,于是

Vx()0=,故只需在

 

=

1

b

=

mω2

b

22

=

mω2⎡

2

b−

1

x3b

=

1

mωb2

V

()

b−xdx)

bx

−b

−b⎥

a

−b

2a

−b

2a

3

6

(3),势能在[-2b,2b]区间是个偶函数,可以展开成傅立叶级数

Vx()=V+

V

=

2

2b

Vx

xdx=

1

b

∫Vx

xdx

0

=−∞

m

m

cos

2b

m

2b

0

()cos

2b

b

0

()cos

2b

 

第一个禁带宽度

E

=

V

m

=1代入上式,

E

=

mω2

b

22

(b−x)cos

πx

dx

g

2,

g

1

1

u

1

b

0

2

2b

利用积分公式

2

u

2

cos

mudu

=

m

2⎣

musinmu

+

2cosmu

⎤−

m

3

sinmu

Eg1=π

16mωb2

第二个禁带宽度

=

V

以m=2代入上式,代入上式

3

ω2

m

b

π

x

Eg2

22,

2

2mωb

E

g

2

=

b

0

22

(b−x)cos

b

dx再次利用积分公式有

Eg2=π

2

2

4.4用紧束缚近似求出面心立方晶格和体心立方晶格s态原子能级相对应的能带

解答(初稿)作者季正华-2-

 

Es(kv)函数

黄昆固体物理习题解答

解:

面心立方晶格——s态原子能级相对应的能带函数

s(v)=εs−J0−∑v−ikv⋅Rv

EkJ(Rs)es

=

RsNearest

——s原子态波函数具有球对称性

v

v

=−∫ϕξ−

v

v

v

0

vv

ξ>

JJR

0*

RU

d

0

1=()s

)[()ξ−V()]()}

 

s

v

ε

=−

i

s

vv

−⋅

i

Ek

()

s

J

0−J1

RNearest

eikR

s

s

——任选取一个格点为原点

——最近邻格点有12个

12个最邻近格点的位置

⎧aa⎧a

 

a

 

 

a

 

a

2

a

2

a

0

⎪0,

2

a

2

a

2

a

0,

2

a

2

2

0

0,

2

2

2

0,

2

a

2

a

a

2

a

0

0,

a

2

a

a

2

a

a

2

a

0,

a

2

a

0

0,

0,

2

2

ava

2

v

2

2

2

v=i+vj+0kv

s

Ek

()

ε

=−

J

vv

−⋅

eikR

s

Rs22

s

0−J1

RNearest

vv

vv

v

avav+v

a

s

−⋅ikRs=

−(++

xyz

)(i+j0)

=

i2(kx+ky)2

−ac

e

e

22

ka

e

ka

b

4

——类似的表示共有12项

=

ka

ka

y

(cos

x

2

isinx)(cos

2

2

isiny)

2

——归并化简后得到面心立方s态原子能级相对应的能带

Eks()v=εs−J0

ka

ka

kaka

ka

ka

−J

4(cos1xcos

y

+

cos

x

cos

z

+

cos

y

cosz)

2

2

2

2

2

2

 

——对于体心立方格子,任选取一个格点为原点

 

解答(初稿)作者季正华-3-

 

 

a

 

a

 

a

 

 

a

黄昆固体物理习题解答

 

aa

2

2

2

2

2

2

a

2

a

2

a

2

a

2

a

2

a

2

⎪−

a,

2

a,

 

a,

2

a,

a

2

a

a,

2

a,

 

a,

2

a,

 

a

2

a

2

2

2

2

2

2

ava

a

v

v=i+vj+kv

R

s

s

Ek

()

ε

=s−

J

0−J1

e

vv

−⋅

ikR

s

22

2

RNearest

vv

vv

v

avavav

a

s

−⋅ikR=

−(++

)(

i+j+k

=

i(k++kk)

e

s

e

ka

xyz

ka

222

ka

e

2

xyz

ka

ka

ka

——类似的表示共有8项

=

(cos

x

2

isinx)(cos

2

y

2

isiny)(cos

2

z

2

isinz)

2

——归并化简后得到体心立方s态原子能级相对应的能带

ka

ka

ka

s

v=ε−−

x

y

z

Ek

()

J

J

8cos

cos

cos

s

0

1

2

2

2

4.7,有一一维单原子链。

间距为a。

总长度为Na。

(1),用紧束缚近似求出原子s态能级

对应的能带E(k)函数。

(2)求出其能态密度函数的表达式。

(3),如果每个原子s态只有一

个电子,求等于T=0K的费米能级EF0及EF0处的能态密度。

r

ε

=−

ika

ika

ε

=−−

J

kaE

J

ka

J−Je+e

J

2cos

2cos

<解>

(1),()

r

s

01

s

0

1

0

1

()

⎢⎡Ek=−EJ

0

−∑

()

s

−⋅ikRrs

 

NE

L

=××2

dk

=

2Na

×

1

=

N

(2),

()2

π

dE

π

Jaka

πJsinka

2

2sin

1

0

r

Na

1

2Nak0

π

(3),

N

=∫

kF

2()2dk

=⋅2⋅

2k

0

=

F

∴k0=

0

0

0

=−

π

π

2

F

π

0

=

F

N

2a

=

N

E=Ek

()

EJ

2cos

aENE

(F)

π

F

F

1

2a

s

πJ

1

sin2

a

⋅a

π

J

1

4.8,证明一个自由简单晶格在第一布里渊区顶角上的一个自由电子动能比该区一边中点大

2倍.(b)对于一个简单立力晶格在第一布里渊区顶角上的一个自由电子动能比该区面心上

大多少?

(c)(b)的结果对于二价金属的电导率可能会产生什么影响7

<解>(a)二维简单正方晶格的晶格常数为a,倒格子晶格基矢A=2πˆ

iB

a

解答(初稿)作者季正华-4-

=

2πˆ

a

 

第一布里渊区如图所示

 

π

a

π

黄昆固体物理习题解答

−0

a

−π

 

π

 

π

⎛⎞⎛⎞

 

=

ˆ

B

K

ˆ+

=⎜⎟⎜⎟

.

区边中点的波矢为KA

2

a

角顶点的波矢为

B

a

⎝⎠a⎝⎠

ε=h

2

2

2)

自由电子能量

2m

Kx+Ky+Kz

π2

π

2

ε

h

2

h

2⎛⎞

h

2⎛⎞

A点能量

A

=

2=

Kx

⎜⎟=⎜⎟,

2m

⎝⎠

2ma

⎝⎠

2ma

⎡π2

π

2⎤

π

2⎤

2

2

⎛⎞⎛⎞

2

⎛⎞

ε

=h

2

2)=h

+

=h

2

B点能量

B

Kx+Ky

⎢⎜⎟⎜⎟⎥

⎢2⎜⎟

⎝⎠⎥

所以εε/

BA=

2m

2m⎢⎝⎠a

⎝⎠

a

2

π

m

a

π

π

A

=

⎛2⎞

ˆ

iB

=

⎛2⎞

ˆ

jC

=

⎛⎞

k,

b)简单立方晶格的晶格常数为a,倒格子基矢为

第一布里渊区如图7—2所示.

 

2

⎜⎟,

⎝a⎠

⎜⎟

⎝a⎠

⎜⎟

⎝a⎠

2

π

A点能量ε

==h⎜⎟⎛⎞

A2ma

⎝⎠

;

 

解答(初稿)作者季正华-5-

 

2

黄昆固体物理习题解答

 

2⎡π2

 

π

 

2

 

π

 

2⎤

 

2

 

 

π

 

2⎤

ε

h

h

⎛⎞⎛⎞⎛⎞

=h

⎛⎞

B点能量

=

2

2

2

=

+

+

B

Kx+Ky+Kz

⎢⎜⎟⎜⎟⎜⎟⎥

⎢3⎜⎟

⎝⎠⎥

所以εεB/

2m

A=3

⎝⎠⎝⎠a⎝⎠a

2m⎢a

m

2

a

(c)如果二价金属具有简单立方品格结构,布里渊区如图7—2所示.根据自由电子

ε=

h2(2

2

2)

理论,自由电子的能量为

2m

Kx+Ky+Kz

3

,FerM面应为球面.由(b)可知,内

切于4点的内切球的体积

4ππ⎛⎞

⎜⎟,于是在K空间中,内切球内能容纳的电子数为

ππ

3

π

3⎝⎠a

4

3

⎛⎞

⎜⎟

⎝⎠

a

2

V

()3

=

3

N

=

1.047N其中V=Na

3

二价金属每个原子可以提供2个自由电子,内切球内只能装下每原子1.047个电子,

余下的0.953个电子可填入其它状态中.如果布里渊区边界上存在大的能量间隙,则余

下的电子只能填满第一区内余下的所有状态(包括B点).这样,晶体将只有绝缘体性

质.然而由(b)可知,B点的能员比A点高很多,从能量上看,这种电子排列是不利的.事

实上,对于二价金属,布里渊区边界上的能隙很小,对于三维晶体,可出现一区、二区

能带重迭.这样,处于第一区角顶附近的高能态的电子可以“流向”第二区中的能量较

低的状态,并形成横跨一、二区的球形Ferm面.因此,一区中有空态存在,而二区中

有电子存在,从而具有导电功能.实际上,多数的二价金届具有六角密堆和面心立方结

构,能带出现重达,所以可以导电.

4.9半金属交叠的能带

22

Ek=E(0)

−hk

m

=

0.18m

1

()

1

2m1

1

h2vv

Ek

()

=

()

+

kk

0

2

),

m

2

=0.06m

2

Ek20

2m

2

其中E1(0)为能带1的带顶,Ek2()0为能带2的带底.

E1(0)−Ek2()0.10eV由于能带的

交叠,能带1中的部分电子转移到能带2中,而在能带1中形成空穴,讨论T=0K时的费

密能级

解:

半金属的能带1和能带2如图所示

22

Ek=E(0)

−hk

1

()

1

2m1

h2vv

Ek

=

()+

(kk)2

2

()

Ek20

2m2

0

 

k=

2[(0)mE11−Ek1()]

h

解答(初稿)作者季正华-6-

 

能带1的能态密度

黄昆固体物理习题解答

 

2

NE

=

V

dS

k

()2

∫∇

∇=h

1

∇=h

(2)

3

k

E

k

E

m

1

NE

=

V

dS

kE

NE

=

E

2[(0)1−Ek1()]/m1

V4πk2

1

()2

(2)

3

∫∇

k

E

1

()2

3

(2)h2[(0)E1−Ek1()]/m

1

3

NE

()

=

2V

2m

()

12

E

(0)

Ek

()

1

22

1

(2)

h

同理能带2的能态密度

3

NE

()

=

2V

2m

Ek()−Ek

()

2

22

22

2

0

(2)

h

半金属如果不发生能带重合,电子刚好填满一个能带。

由于能带交叠,能带1中的电子填

充到能带2中,满足

E

E0

1(0)

NEdE=

F

NEdE

E0

F

E

1

()

V

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