湿法腐蚀操作学习总结.pptx
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湿法腐蚀操作湿法腐蚀操作学习学习总结总结一一.公共部分公共部分1.坚膜：
坚膜：
u氧化层湿法腐蚀工艺坚膜温度为1255，u坚膜总时间为50分钟，使用大烤箱；u金属后湿法腐蚀工艺坚膜温度为1205，坚膜总时间为35分钟，使用小烤箱；u注：
注：
放入硅片，关烘箱门到开烘箱门之间的时间为总时间；u流程卡有注明的按照流程卡要求。
坚膜温度不够、时间不够，都会导致腐蚀的钻蚀、浮胶、脱胶。
钻蚀就是腐蚀图形边线被腐蚀成锯齿状；浮胶、脱胶会导致不应该被腐蚀的地方被腐蚀。
一一.公共部分公共部分2.打胶（打底膜打胶（打底膜）u作坚膜的硅片从烘箱取出后冷却10分钟左右即打胶；u凡坚膜过的硅片，均要及时完成打胶，待腐蚀；若超过8小时不能打胶的，需要重新坚膜再打胶；u每周一早班测试打胶速率：
使用“512”光刻胶，坚膜50分钟后测胶厚，用打胶程序打胶6.0分钟，测上、中、下三点胶厚，计算平均值，记录；u打胶速率在50-120A/分钟则符合要求；否则报告工艺工程师，待指示；u所有坚膜后的晶片打胶时间均为6.0分钟，流程卡有特殊注明的则按流程卡要求生产。
2.打胶（打底膜）不良会导致的问题打胶（打底膜）不良会导致的问题u不论光刻时选用多大的曝光量、显影时间多长，显影出来的窗口都会留有一定的残余光刻胶，这层光刻胶必须去除才能保证腐蚀图形的正常。
u光刻胶在坚膜过程中会挥发出一定量的溶剂，部分会附着于图形窗口内，需要去除，若不去除干净，会导致腐蚀时染色等异常。
u坚膜、打胶过程中，特别要注意划伤，即使是轻微的划伤，他会导致腐蚀时图形异常，若腐蚀时才发现，划伤部分的产品只能报废了。
二二.BOE腐蚀腐蚀1.条件及点检：
条件及点检：
uBOE腐蚀液：
6：
1BOE；u腐蚀温度：
221，酸槽内实测为准，每班做片前测一次；u换酸周期：
累计做片120050片或时间满3天，满足其中一条即更换新酸，换酸后测腐蚀速率；u腐蚀速率在105050A方可生产，否则通知工艺工程师，待指示；u每周一、周五早班做片前作一次腐蚀速率监控，测上、中、下三点算平均，速率在105050A/分钟即符合要求，否则报告工艺工程师，待指示；二二.BOE腐蚀腐蚀2.注意事项：
注意事项：
u距坚膜出炉时间8小时以内的批次（已打过胶了）可直接作BOE腐蚀；超过8小时则重新坚膜、打胶。
重新坚膜的时间重新坚膜的时间为为10分钟；打胶时间为分钟；打胶时间为6.0分钟分钟；u每班第一次做片，必须先作试片（按流程提供的参考时间中心值），冲水转干，自检合格再批量做片，若有异常，及时通知工艺工程师；u本班内，没有CD要求的批次不再作试片，直接按流程卡提供的参考时间（中心值中心值）做片；若有CD要求，必须作试片（试片时间按流程卡提供的参考时间中心值中心值），试片OK再作批量，若CD不合格，通知工艺工程师，待指示；u凡有硅片正进行BOE腐蚀，操作员不能离开操作台附近！
二二.BOE腐蚀腐蚀3.BOE做片操作：
做片操作：
u做片前，检查水槽，应盛满DI水；u待腐蚀硅片在DI水中DIP2次；u硅片从DI水槽取出，抖一下提把，再放入BOE酸槽；u硅片放入BOE中DIP35次（硅片不出液面），（硅片不出液面），开始计时；u腐蚀过程中，每隔23分钟DIP35次（硅片不出液面）（硅片不出液面）；u腐蚀时间到，硅片在BOE酸槽里DIP2-3次，提出液面后在酸槽正上方抖一下提把，即放入盛满DI的水槽，在水槽中DIP35次，开始冲水；u冲水过程中，取下提靶，放入水槽一侧和硅片一起冲水；二二.BOE腐蚀腐蚀4.BOE腐蚀后去胶前检查腐蚀后去胶前检查u照强光灯，表面颜色均匀、一致；u每花篮抽最后一片，显微镜用10倍物镜数检查上、中、下、左、右五点的腐蚀情况；u要求：
线条清晰、无双线，腐蚀区域是纯白色，无脱胶、浮胶等；u有CD要求的工序，读游标CD；u有要求测氧化层剩余厚度的批次，测试时注意尽量找大的图形测试，调焦至显微镜里的六边形清晰测试；u自检合格即可用H2SO4+H2O2去胶，否则报告工艺工程师，待指示。
提醒：
提醒：
腐蚀时间长的批次，如发射区腐蚀、锑埋层腐蚀工序，最后几分钟加经常作DIP，否则容易残留100多埃不容易蚀净。
三铝腐蚀三铝腐蚀1.1.条件及点检条件及点检u做片前注意观察面板显示温度，要符合要求4446，每天夜班用温度检测一次；u酸液开循环，无N2，温度稳定，u换酸周期：
每天12：
00前后视做片情况换酸，换掉两瓶，换酸前需提前30分钟把机台酸槽循环关掉，换酸后开循环和N2，至温度重新稳定1h左右才可以做试片，另液面不够时要及时补充，补充后也要开循环至温度稳定后30分钟才可作片。
u换酸后的第一批硅片，要先做试片。
u距坚膜出炉时间在8小时以内的批次（已打过胶了）可直接作铝腐蚀；超过8小时则重新坚膜、打胶再作铝腐蚀，坚膜时间为30分钟，打胶时间为6.0分钟。
三铝腐蚀三铝腐蚀2.铝腐蚀做片：
u硅片隔片放置于晶舟；u每班作的第一批片子，要先做试片，以下为正常做片参考时间，换酸后的试片时间视做片时“白雾”产生快慢适当调整。
u3.0um的铝，试片参考时间为640；u1.8um的铝，试片参考时间为430；u1.0um的铝硅，试片时间为210。
u实际做片时，要注意观察做片过程中的温度变化和反应情况：
u若温度主要在45.5以上时间较多，可稍为减少腐蚀时间；u若温度主要在45或以下，要稍为增加腐蚀时间。
u试片合格则批量做片，若试片不合格，报告工艺工程师，待指示；3.23.2铝腐蚀做片：
铝腐蚀做片：
铝腐蚀做片：
铝腐蚀做片：
u每班后续的批次，可以不再试片，依前面的批量腐蚀时间做片（不同铝层厚度除外）；u特别注意：
15左右提起晶舟一次，完全提出液面并停留2-3秒或抖一下提把，当硅片表面能观察到较明显的白雾，表明提起晶舟的间隔时间太长，即应该增加的次数。
u注意观察硅片腐蚀中表面的变化，提高目视判断能力，当硅片表面的图形变得清晰，没有白雾状产生，再增加20-30秒即可。
u腐蚀前，先将水槽注满DI水，留意水压是否正常，若水压太低，停止做片，报告站长，待指示；u腐蚀时间到，将硅片从酸槽提出来，尽快在DI水里快速DIP8-10次（表面没有明显的粘稠酸迹），即刻开始冲水，注意DI水的压力，压力异常及时通知站长；DI水槽注满水后，再DIP5-8次，取下提靶，和硅片一起冲水；三铝腐蚀三铝腐蚀3.样片检查u强光灯下，表观无异常颜色及条纹；u显微镜下，铝条之间完全无铝，腐蚀干净、铝条边线清晰、基本陡直、无缺口、无毛刺；u显微镜下，无脱胶、浮胶等现象。
u铝硅腐蚀的硅片，显微镜下，铝条要求如上，硅点细密、均匀，划片道及铝条间无大颗粒。
漂硅点u酸液配方：
硝酸：
醋酸：
氢氟酸=12：
34：
1；u漂硅点的时间为20秒（干法刻蚀的铝硅漂10秒）；u操作：
u首先将水槽注满DI水；u直接将硅片放入酸槽中静置20秒，中间不DIP；u时间到，迅速提出晶舟放入DI水槽，DIP5-8次，开循环冲水，10个cycle;u换酸周期：
每做满30050片或3天，符合一个条件即换酸，换酸后需用提靶将酸液搅拌均匀，静置1h后方可生产；若液位不够，则按照比例添加新酸，添加新酸后搅拌均匀，1小时后才可生产。
注意：
若漂硅点之后硅片有异常，通知工艺工程师，待指示。
四四.钝化腐蚀钝化腐蚀1.条件及点检条件及点检u每周一、周五，早班作腐蚀速率测试，腐蚀速率在45005500A/分钟之间即合格，否则报告工艺工程师，待指示；u腐蚀液配方：
现有钝化腐蚀液中加入1/10的醋酸（即：
钝化腐蚀液：
钝化腐蚀液：
醋酸醋酸=10:
1）酸槽温度：
2123，每天夜班检测一次温度；u换酸周期：
每作满1000100片或3天，符合一个条件即换酸；换酸后测腐蚀速率；u做片前检查水槽的水压是否正常、若水压偏低，暂停做片，报告站长，待指示；u检查显板温度是否正常，不符合要求，暂停做片，待温度符合。
四四.钝化腐蚀钝化腐蚀2.湿法钝化腐蚀做片操作湿法钝化腐蚀做片操作u做片时，硅片隔片放置；u水槽注满足DI水；u关掉操作台面灯光，关上黑帘，整个腐蚀过程严禁拉开黑帘！
整个腐蚀过程严禁拉开黑帘！
u放入硅片，DIP3次，硅片不能出液面；u每20秒DIP2次，或一直作缓慢的DIP，所有DIP都不能出液面；u腐蚀时间依最近一次所测得的速率计算，参考时间：
3.0分钟；u腐蚀时间到，迅速放入水槽快速DIP8-10次，即刻冲水，注意水压是否正常，若有异常，及时通知站长；uDI水槽注满水时，再水槽注满水时，再DIP5-8次（硅片不出水面），次（硅片不出水面），冲水过程中，提靶取下来放入水槽中一起冲水，冲水10个Cycle；u冲水、转干后，尽快作自检，自检合格，尽快去胶；六.铝腐蚀、钝化腐蚀后的去胶1.条件：
条件：
u腐蚀冲水转干后到开始去胶之间的时间间隔不能超过120分钟。
u保持台面干净，尤其是酸槽与水槽间干净；u铝腐蚀和钝化腐蚀的硅片，首先用“干法去胶机”去胶60分钟，再用金属去胶液煮90分钟（正常时间），在金属去胶液中要求每十分钟DIP5-8次，晶片不出液面；u换酸周期：
每满1000100片或3天，满足一个条件即换新酸；u湿法去胶之前，先将DI水槽注满水，注满水以后，才可以将去胶槽的盖子打开，放入硅片进行去胶；u注水过程中检查水压是否正常、检查去胶酸槽温度是否在80-90之间，若有异常，通知站长，待指示。
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