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建立小信号模型的意义建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路建立小信号模型的思路当放大电路的输入信号电压很小时,就可以把三当放大电路的输入信号电压很小时,就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替,从而极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替,从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。

电路来处理。

由于三极管是非线性器件,这样就使得放大电路由于三极管是非线性器件,这样就使得放大电路的分析非常困难。

建立小信号模型,就是将非线性器件的分析非常困难。

建立小信号模型,就是将非线性器件做线性化处理,从而简化放大电路的分析和设计。

做线性化处理,从而简化放大电路的分析和设计。

BJT的小信号建模的小信号建模1H参数小信号模型参数小信号模型vBEvCEiBcebiCBJT双口网络双口网络vCE=0VvCE1V21.H参数小信号模型参数小信号模型vBEvCEiBcebiCBJT双口网络双口网络=IC/IBvCE=constic=ib3H参数小信号模型参数小信号模型vBEvCEiBcebiCBJT双口网络双口网络42、小信号模型的应用注意事项:

、小信号模型的应用注意事项:

HH参数都是小信号参数,即微变参数或交流参数。

参数都是小信号参数,即微变参数或交流参数。

HH参数都是微变参数,所以只适合对交流信号的分析。

参数都是微变参数,所以只适合对交流信号的分析。

HH参数与工作点有关。

参数与工作点有关。

53、H参数的确定参数的确定一般用测试仪测出;一般用测试仪测出;rbe与与Q点有关,可用图点有关,可用图示仪测出。

示仪测出。

一般也用公式估算一般也用公式估算rbe)()()(mAmV261200EQbeIrb+W6从输入特性看:

vBE是iB和vCE的函数vBE=f1(iB,vCE)从输出特性看:

iC是iB和vCE的函数iC=f2(iB,vCE)iBvBEiCvCEibicvbevce4、h参数的导出7从输入特性看:

vBE是iB和vCE的函数vBE=f1(iB,vCE)从输出特性看:

iC是iB和vCE的函数iC=f2(iB,vCE)对两个表达式求全微分i输入r反向传输f正向传输o输出e共射接法ibicvbevce4、h参数的导出8

(1)vCE=常数,iB=常数的意义vCE=常数dvCE=0即输出端只有直流输出,没有交流输出。

相当于输出端交流短路。

iB=常数diB=0即输入端只有直流电流输入,没有交流电流。

相当于输入端交流开路。

因为此时只有直流电流和电压,所以是在静态工作点附近的情况。

ibicvbevce5、参数的意义和求法95、参数的意义和求法

(2)短路输入阻抗物理意义:

反映了输入电压对输入电流iB的控制能力。

几何意义:

表示输入特性的Q点处的切线的斜率的倒数单位:

,102103在小信号的情况下是常数。

(常称为输入电阻)iBvBEvBEiB对输入的小交流信号而言,三对输入的小交流信号而言,三极管相当于电阻极管相当于电阻hierbe。

ibicvbevce105、参数的意义和求法(3)开路电压反馈系数物理意义:

反映了输出回路vCE对输入回路vBE影响的程度几何意义:

在输入特性上表示Q点附近输入特性曲线横向的疏密。

它是一个无量纲的量(10-4)。

vBEiBvBEvCEibicvbevce115、参数的意义和求法(4)短路电流放大系数物理意义:

晶体管对电流的放大能力,即几何意义:

在输出特性上表示Q点附近输出特性曲线的纵向疏密。

它是一个无量纲的量。

(10102)iCiCvCEiBibicVbeVce126、参数的意义和求法(5)开路输出导纳物理意义:

反映了输出电压vCE对输出电流iC的控制能力几何意义:

保持iB不变,有vCE,则引起iC,反映了输出特性曲线的倾斜程度。

单位:

西门子(S)(10102S)iCiCvCEVCEibicvbeVce13ibicvbevce5、参数的意义和求法

(1)vCE=常数,iB=常数的意义(5)开路输出导纳

(2)短路输入阻抗(3)开路电压反馈系数(4)短路电流放大系数说明:

由于四个参数的量纲各不相同,这种参数系统是不同量纲的混合,称为混合参数。

h即英语中的“混合”。

在小信号的情况下,四个参数都可以看作是常数。

14vbeibvceicvbevceic很小,很小,一般忽略。

一般忽略。

cbe6、等效电路的引出ibibhoecehiebhrevce+-1/hoe很大,一般忽略。

很大,一般忽略。

rbeibibbceic15vbevceicrbeibibbce7、注意的问题

(1)电压源和电流源的性质它们是虚构的它们是受控源它们的极性不能随意假定

(2)等效电路只对微变成分等效(3)h参数是在Q点附近求出的,因此它们与Q点的位置有关,Q点不同、等效电路的参数也不同。

ibibrcecerbebhrevce+-16vceibrcecebrbbrberbbrbeeibrcecCbeCbc考虑到基区的体电阻的参数等效电路如图:

高频工作时,结电容不能忽略,故高频等效电路的如图17

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