晶圆项目投资估算.docx
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晶圆项目投资估算
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一、SWOT分析法模型
SWOT分析基于内外部竞争环境和竞争条件下的态势分析,就是将与研究对象密切相关的各种主要内部优势、劣势和外部的机会和威胁等,通过调查列举出来,并依照矩阵形式排列,然后用系统分析的思想,把各种因素相互匹配起来加以分析,从中得出一系列相应的结论。
运用这种方法,可以对研究对象所处的情景进行全面、系统、准确的研究,从而根据研究结果制定相应的发展战略。
根据优势、劣势与机会、威胁两两组合,SWOT分析可以形成SO、WO、ST、wT四种不同类型的组合战略。
SO战略(优势一机会):
是一种发展企业内部优势与利用外部机会的战略,是种理想的战略模式。
当企业具有特定方面的优势,而外部环境又为发挥这种优势提供有利机会时,可以采取该战略。
WO战略(劣势一机会):
是利用外部机会来弥补内部劣势,使企业改劣势而获取优势的战略。
存在外部机会,但由于企业存在一些内部劣势而妨碍其利用机会,可采取措施先克服这些劣势。
ST战略(优势一威胁):
是指企业利用自身优势,回避或减轻外部威胁所造成的影响。
WT战略(劣势一威胁):
是一种旨在减少内部劣势,回避外部环境威胁的防御性技术。
SWOT分析法在应用于企业发展战略制定时,首先应根据企业优劣势分析和机会威胁分析,画出SWOT分析图,然后根据SWOT分析结果,在SWOT分析图上找到企业相应的位置,从而进行相应的战略选择。
SWOT分析图划分为4个象限,根据企业所在的不同位置,应采取不同的战略。
SWOT提供了4种战略选择:
在右上角的企业拥有强大的内部优势和众多的机会,企业应采取增加投资、扩大生产、提高市场占有率的增长性战略;在右下角的企业尽管具有较大的内部优势,但必须面临严峻的外部挑战,应利用企业自身优势,开展多元化经营,避免或降低外部威胁的打击,分散风险,寻找新的发展机会;处于左上角的企业,面临外部机会,但自身内部缺乏条件,应采取扭转性战略,改变企业内部的不利条件;处于左下角的企业既面临外部威胁,自身条件也存在问题,应采取防御性战略,避开威胁,消除劣势。
二、分年投资计划表的编制
估算出项目建设投资、建设期利息和流动资金后,应根据项目计划进度的安排,编制分年投资计划表。
实际工作中往往将项目总投资估算表、分年投资计划表和资金筹措表合而为编制“项目总投资使用计划与资金筹措表”。
总投资及构成一览表
单位:
万元
序号
项目
指标
占总投资比例
1
总投资
34963.92
100.00%
1.1
建设投资
27512.50
78.69%
1.1.1
工程费用
24368.09
69.69%
1.1.1.1
建筑工程费
12159.18
34.78%
1.1.1.2
设备购置费
11501.11
32.89%
1.1.1.3
安装工程费
707.80
2.02%
1.1.2
工程建设其他费用
2394.18
6.85%
1.1.2.1
土地出让金
979.25
2.80%
1.1.2.2
其他前期费用
1414.93
4.05%
1.2.3
预备费
750.23
2.15%
1.2.3.1
基本预备费
411.92
1.18%
1.2.3.2
涨价预备费
338.31
0.97%
1.2
建设期利息
368.68
1.05%
1.3
流动资金
7082.74
20.26%
项目投资计划与资金筹措一览表
单位:
万元
序号
项目
数据指标
占总投资比例
1
总投资
34963.92
100.00%
1.1
建设投资
27512.50
78.69%
1.2
建设期利息
368.68
1.05%
1.3
流动资金
7082.74
20.26%
2
资金筹措
34963.92
100.00%
2.1
项目资本金
19915.96
56.96%
2.1.1
用于建设投资
12464.54
35.65%
2.1.2
用于建设期利息
368.68
1.05%
2.1.3
用于流动资金
7082.74
20.26%
2.2
债务资金
15047.96
43.04%
2.2.1
用于建设投资
15047.96
43.04%
2.2.2
用于建设期利息
2.2.3
用于流动资金
2.3
其他资金
三、项目背景分析
晶圆是指制作硅半导体集成电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。
高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。
硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。
目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
硅材料占比约为整个半导体市场的95%,其他材料主要是化合物半导体材料,以第二代半导体材料GaAs晶圆和第三代半导体材料SiC,GaN晶圆为主。
其中,硅晶圆以逻辑芯片,存储芯片等等为主,是应用广泛的半导体晶圆材料。
GaAs晶圆以射频芯片为主,主要应用场景是低压,高频率;第三代半导体材料以高功率,高频率芯片为主,主要应用场景是大频率,高功率。
目前,随着DRAM与NAND闪存等技术的升级,对12英寸晶圆片的需求量急剧提升。
6英寸及以下规格的晶圆片则主要应用于普通消费电子元器件领域。
8英寸硅晶圆片主要应用于集成电路、芯片以及工业电子元器件领域。
目前晶圆片以12寸晶圆为主,占比达到60%以上。
受终端半导体市场需求上行影响,半导体晶圆制造产能也随之提升,根据ICInsight数据,2018年晶圆产能为1945万片/月,预计到2022年晶圆产能将上升至2391万片/月,较2018年增长22.93%,年复合增长率为5.3%。
根据ICInsight统计数据,2018年中国晶圆产能243万片/月(等效于8寸晶圆),中国大陆晶圆产能占晶圆产能12.5%。
根据ICInsight对未来产能扩张预测,随着半导体制造硅晶圆产能持续向中国转移,2022年中国大陆晶圆厂产能将达410万片/月,占产能17.15%。
2018-2022年中国硅晶圆产能的年均复合增长率达14%,远高于产能年均复合增长率5.3%。
根据SEMI数据显示,硅晶圆片价格在2008年受金融危机影响,价格呈断崖式下跌,在2016年达到近十年以来的低谷。
从2016年开始半导体硅片价格步入复苏通道,且上涨势头强劲,从2016年的0.67美元/平方英寸逐渐上涨至2019年的0.95美元/平方英寸。
由于半导硅片企业在上一个行业低谷中纷纷减产,而新产线的达成一般至少要两年时间,短期内半导体硅片产能无法快速提升。
芯片企业选择接受逐渐上涨的硅片价格而避免缺少原材料带来的机会成本。
因此,目前的半导体硅片市场还处于紧平衡状态,半导体硅片进一步涨价的趋势将延续。
近年来中国大陆地区的产能扩张使其排名不断攀升,ICInsights预计到2022年有望跃升为第二,仅次于中国台湾地区。
至2019年底,中国大陆地区产能占的14%。
相比之下,北美地区的产能份额将在预测期内进一步逐渐下降。
ICInsights预测主要是由于该地区的大型无晶圆厂商将持续依赖代工厂(主要是中国台湾地区)。
此外,欧洲地区的产能份额也将进一步缩小。
四、建设期利息的估算方法
估算建设期利息应按有效利率计息。
项目在建设期内如能用非债务资金按期支付利息,应按单利计息;在建设期内如不支付利息,或用贷款支付利息应按复利计息。
项目评价中对借款额在建设期各年年内按月、按季均衡发生的项目,为了简化计算,通常假设借款发生当年均在年中使用,按半年计息,其后年份按全年计息。
对借款额在建设期各年年初发生的项目,则应按全年计息。
建设期利息的计算要根据借款在建设期各年年初发生或者在各年年内均衡发生,采用不同的计算公式。
五、建设期利息估算的前提条件
进行建设期利息估算必须先完成以下各项工作:
1.建设投资估算及其分年投资计划;
2.确定项目资本金(注册资本)数额及其分年投入计划;
3.确定项目债务资金的筹措方式(银行贷款或企业债券)及债务资金成本率银行贷款利率或企业债券利率及发行手续费率等)。
建设期利息估算表
单位:
万元
序号
项目
合计
第1年
第2年
1
借款
1.1
建设期利息
368.68
368.68
0.00
1.1.1
期初借款余额
15047.96
1.1.2
当期借款
15047.96
15047.96
0.00
1.1.3
当期应计利息
368.68
368.68
0.00
1.1.4
期末借款余额
15047.96
15047.96
1.2
其他融资费用
1.3
小计
368.68
368.68
0.00
2
债券
2.1
建设期利息
2.1.1
期初债务余额
2.1.2
当期债务金额
2.1.3
当期应计利息
2.1.4
期末债务余额
2.2
其他融资费用
2.3
小计
3
合计
368.68
368.68
0.00