EMC实验室规划与设计正式版.docx

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EMC实验室规划与设计正式版

EMC实验室规划与设计

要建好一个EMC实验室,作好规划设计是首要的。

规划设计包括哪些内容呢?

怎样才算一个好的规划设计呢?

建设一个EMC实验室耗资高昂，建成后改动困难，因此动工之前要全面考虑好。

通常规划设计包括:

a）确定EMC实验室的任务范围:

EMC的研究、实验范围非常广,从印制电路板（PCB）,到单机设计,到系统。

从任务性质看,有完成鉴定实验的,或完成生产与科研中的预测试的,有执行军标的,有执行民标的；

b）确定实验室的主要技术指标：

不同的技术指标所需采用的测量系统和实验设施大不一样,经费悬殊很大,因此技术指标要提得恰当,并非愈高愈好；

c）确定最佳效费比的实施方案；

d）确定先进合理的关键技术措施。

一个成功的规划设计应该是能满足当前和以后较长时期内所研制和检测的实验任务；能在完成主要的功能的同时,兼顾其他功能；花费的经费合理；实验室技术指标有先进性，前瞻性和可扩展性。

EMC实验室中屏蔽半暗室是最主要的组成単元，它的性能影响整个EMC实验室的主要技术指标,所需的费用占整个EMC实验室的较大比重,因此本章讨论的重点放在屏蔽半暗室上，第2节详述屏蔽半暗室的分析与论证，第3节讨论屏蔽半暗室的整体设计。

在第1节中为了清晰说明EMC实验室总体布局设计的要点，是以一个10m的EMC实验室为例子来阐述的。

1EMC实验室总体布局设计

1.1EMC实验室的组成

EMC实验室的组成见图1，通常包括以下几个单元：

a）屏蔽半暗室

为一屏蔽室，其天花板及4个侧壁铺有吸波材料，地板为导电面。

主要用于进行辐射发射（RE）实验和辐射敏感度（RS）实验。

b）传导测试室

为一屏蔽室,主要用于进行传导发射（CE）和传导敏感度（CS）实验。

c）控制室

为一屏蔽室，放置EMI和EMS测试系统。

d）功放室

为一屏蔽室，放置RS测量系统的功率放大器。

e）配电室

为上述a）—d）提供电源。

f）通风空调系统

为上述a）—d）提供通风及温度控制。

g）火情自动报警系统及消防设施

为上述a）—d）提供火情报警及消防设施。

h）电视监控系统

为屏蔽半暗室提供电视监控和实验现场的录像功能，兼有火情监测功能。

i）负载室

为放置受试发射机等效负载或其他相连设备的屏蔽室。

1.2设备尺寸

表1为EMC实验室典型测试设备的外形尺寸。

1.3布局图

图2为EMC实验室四个组成部分的布局的一种可能方案（10m法暗室）,将屏蔽半暗室、控制室和功放室相邻布置有利于缩短信号连线长度,减少电缆衰减。

将传导测试室布置在控制室另一侧也是为了缩短信号线长度,同时使受试设备从半暗室转送到传导测试室的距离不要过长。

图3为屏蔽半暗室内的设备布置图。

此暗室按10m法暗室在天花板和4个侧壁铺0.6m高的宽带复合型吸波材料。

在图中离左侧壁5m放置转台,受试设备实验时放在转台上。

在暗室中轴线上距转台一定距高放置接收天线（辐射发射测试时）或发射天线（辐射敏感度测试时）。

根据受试设备尺寸和测试标准（军标或民标）,按表2选取收发距离。

也就是说,天线可能离受试设备1m或3m或10m。

图3屏蔽半暗室设备布置图

注：

图中的序号请参见表1。

□为信号转接室。

表2收发距离的选取

屏蔽半暗室设置两个门：

大门在图中左下方,其宽度和高度按EUR最大尺寸决定，小门在图中左边，高2m×宽1m。

在图中下方中部和右部各设有一个信号转换窗口，分别与控制室、功放室相连。

在暗室天花板上设有6个高帽式灯箱，供暗室照明用。

在图中上边和下边的侧壁设有进风口和回风口。

暗室地板为双层结构，下层与四壁连成屏蔽壳体，上层为暗室的导电地平面，两层间隔0.3m，其间敷设电源线、信号线和转台。

地平面开有9个孔口，设有高频插座板，供天线射频电缆连接，并有电源插座。

图4为传导测试室的设备布置图。

图中右上方放置传导敏感度（CS）测试系统的两个19"机柜,其左面放置测试工作台（宽3m,深1m,高0.8m,桌面铺铝板或黄铜板,厚2mm,用铜箔与屏蔽室侧壁搭接,搭接电阻小于10mΩ）。

图中左边设有一个门,下边开有60cm×60cm的窗口,窗口四周框边用20mm厚的铜板制成,开有导电密封衬垫槽,供测量电磁屏蔽材料和部件的屏蔽效能用,也可供测量通风截止波导窗的屏蔽效能和电源、信号滤波器的插入损耗和屏蔽效能用。

平时用盖板盖上,保持屏蔽室的电磁密封。

盖板与窗口边框用螺钉固定,边框上的螺孔为盲孔，深度10mm左右。

图中上方右边设有一个信号转接窗口,与控制室相连。

图中左方和右方顶壁上设有进风口和回风口。

图4传导测试室设备布置图（俯视图）

图5为控制室内的设备布置平面图。

图中左侧壁开一个门,高2m宽1m，供进出用，右侧壁开一个门，高2m宽1m，供进入功放室用。

图中上方右边放置RS测量系统，其左边放置EMS系统计算机，上边右边放置EMI测量系统，其右边放置EMI系统计算机，在两个计算机之间放置电视监测显控器和转台显控器、火情自动报警显控器。

它们均布置在一个高0.3m宽2m深0.8m的台面上，台面左方放置UPS电源。

在EMl系统和EMS系统计算机前各设一个操作员椅。

图中上边左角设一个信号转接窗与暗室相连，右侧璧上方设一个信号转接窗与功放室相连，下方右侧设一个信号转接窗与传导测试室相连。

左下方和右上方顶壁各设进风口和回风口。

图6为功放室内的设备布置平面图。

图中右侧壁放置1GHZ以下的放大器，右上角设一个信号转接窗与暗室相通，上方侧壁右边设一个信号转換窗与控制室相通。

上方侧壁左边有一个门与控制室相通。

下方侧壁和上方顶壁开有进风口和回风口。

1.4电气连接

1.4.1射频信号和控制信号连接

EMC实验室包括四个部分，测量设备分布在传导测试室、控制室和功放室，EUT在半暗室和传导测试室，在这4个组成部分之间有大量的射频信号电缆和控制信号电缆相互连接并穿过各屏蔽室，因此有两点需要考虑：

一是穿过屏蔽室时不要降低或破坏屏蔽效能，二是在电缆穿过屏蔽室前加滤波器。

具体设计在后面的1.7中详述。

EMC实验室四部分之间的信号连接总图如图7所示。

图8单独示出频率为1GHZ以下的RS测量的信号连接。

图9示出频率为1GHZ以上的RS测量的信号连接，移动机架上放置两个机柜,包括1GHZ以上的信号源、功率放大器、功率计，天线在机柜背面的支架上，这样可使他们之间的射频衰減值減到最小，并可方便地按EUT的大小移动到所需位置。

图10示出所有频率时RE测量的信号连接。

在按军标测量时,天线高EUT1m远；按民标测量时，EUT横向尺寸<1.2m时采用3m法，天线高EUT3m远，当EUT横向尺寸>1.2m时采用10m法，天线离EUT10m远，这三种情况分别通过暗室地板上中轴线上距转台不同距离的信号转接窗内的高频插座来连接接收天线。

图11示出CE测量的信号连。

图12示出CS测量的信号连接。

图13示出火情自动报警系统的信号连接。

国14示出电视监测系统的信号连接。

EMC实验室四个组成部分的信号通道明细表详见1.7节。

1.4.2电源连接

EMC实验室的供电配电间内的50Hz、400Hz和直流电源,通过四个屏蔽室的电源滤波器（其位置见图7）送至EMC实验室的四个组成部分。

电源连接见图15。

1.5转台

在EMC测量的RE测试中,要求EUT最大辐射发射方向对准测量天线，因此需要将EUT放在转台上，作360°方位转动。

1.5.1转台的技术要求

根据暗室的功能要求，对转台的技术要求如下表:

转台的转速设定应与EMI测试系统软件一致。

为了使转台回到初试位置，将转速调到高速可以节省时间。

转速的控制和位置指示均在控制室，但为了在调整时便于室内人员的操纵，使用手持遥控器是很方便的，它用软线与控制室内的转台显控器相连。

转台台面中央孔用于受试设备电源线、信号线的进入。

1.5.2转台结构

图16是一种转台的结构示意图。

1.6屏蔽门

EMC实验室的各个屏蔽室屏蔽效能主要决定于屏蔽门的设计和加工。

根据不同的使用要求，国内外的屏蔽门可以归纳为以下几类:

a）插刀簧片式屏蔽门

图17为单刀双簧，图18为双刀四簧。

簧片多数为指形簧片，由薄的青铜片模压成形，并热处理。

也有采用Z形簧片的（如图19）。

门的运动方式有旋轴式和平移直插式。

一般宽度在1.2m以下的多为旋轴式，2m以上宽度的多为平移直插式，宽度在1.2m-2m的常采用双扇旋轴式（如图20所示）,其中左扇使用中大多处在锁定状态，当需通过大的设备时才打开。

门的旋转有手动和电动两种（极少情況下有采用气动或液压）。

b）气囊式屏蔽门

此类门均为平移门，到位后气囊由气压机充气，气囊膨胀，推动簧片紧压在门的四周，形成电磁密封。

参见图21。

各种尺寸的门均可采用气囊式屏蔽门。

图21屏蔽室气囊式屏蔽门结构图

1.7信号通道布置与转接窗设计

1.7.1信号通道布置

1.7.1.1屏蔽半暗室信号通道明细表

1.7.1.2传导测试室信号通道明细表

1.7.1.3控制室信号通道明细表

1.7.1.4功放室信号通道明细表

1.7.2转接窗设计

1.7.2.1信号电缆的转接

第一种形式是螺钉固定的转接窗口，在屏蔽室壁上的信号转接窗口按图22所示安装双层转接板，在板上按需要布置若干个双阴直通射频插座。

为了直通双阴插座固定时不要转动，在双层转接板上钻的孔中,有一个板上为“D”形。

上述转接板在有的要求屏蔽效能低的场合，也可只用単层。

另外图22为安装在侧壁时的场合，此种结构也适用于在地板下的安装，如图23所示。

第二种形式为焊接的转接窗口，如图24所示，窗口转接板（单层）尺寸为600mm宽、300mm高，对于在屏蔽室设计时已确定的射频插座和光纤插座、总线插座，可布置在窗口板的左边和中部，在右边留出一个矩形孔口，有盖板固定，作为将来可能增加插座的预留安装板，盖板在将来可按需要打孔，打完孔可方便地安装好插座后再固定到转换板上。

转换板与屏蔽室侧壁采用连续焊接。

1.7.2.2多芯电缆的转接

a）采用宽频带高性能信号滤波器

对于要求高插入损耗的滤波器,可选用国内已研制成功的宽频带信号滤波器,其技术指标如下表所示:

b）采用圆形多芯滤波连接器

对于在屏蔽室之间的信号转接,当要求插入损耗不太高时，可采用圆形多芯滤波连接器,其插损如下：

其外形如图25。

1.7.2.3采用多线滤波阵列板

当要求插入损耗不太高时，也可采用多线滤波阵列板，其插损如下:

1.7.3信号转接窗的位置选择

考虑到屏蔽半暗室四个侧壁都铺有吸波材料，与其它三个屏蔽室的信号连线数量多，因此国内外的屏蔽半暗室都采用架空地板的结构形式，这些信号线及电源线都铺设在架空地板的下面，通过若干个窗口引到地板上面来，不用时这些窗口用盖板盖上，因此暗室地板上很干净，看不到许多电缆。

至于传导测试室、控制室、功放室，就不必采用架空地板的形式，它们之间信号转换的窗是设置在屏蔽室的侧壁上，它们与暗室的信号转接窗也是在其侧壁上，但处在暗室架空地板下的侧壁上，如图26所示。

1.7.4信号线贯通箱

不少场合希望信号线缆在通过屏蔽室时不要断开，此时可采用信号线贯通箱的设计，它可避免外部干扰随信号线缆带入屏蔽室内部，同时还能保证屏蔽室屏蔽效能不降低。

2屏蔽半暗室的分析与论证

2.1概述

在EMC测试与试验中,屏蔽半暗室是一项必不可少的设施。

对一个设备或系统进行辐射发射（RE）和辐射敏感度（RS）试验时，以前还可以在开阔试验场（0ATS）上进行，近30年来随着环境电磁噪声强度和密度的不断增加，很难找到符合标准要求的OATS。

根据标准要求，环境电磁噪声电平应在标准RE界限值6dB以下才不至产生明显的测量误差。

国此，不要说一个EMC实验室或研究中心，就是一般的电子电器设备制造厂要对其产品进行EMC的预测试，也都需建屏蔽半暗室。

军用EMC标准规定RE和RS试验是在距被测设备（EUT）lm远处，国此对屏蔽半暗室只要求在屏蔽室局部铺设吸波材料（见图27），而且对吸收波材料的反射损耗（反射系数）的要求也较低。

（见表8）

民用EMC标准规定RE测试是在距EUT3m或10m或30m远处,而且规定了暗室归一化场地衰减（NSA）与OATS理论值的偏差不大于±4dB。

对RS测试，要求在EUT所在处垂直面上场（75%采样点）的不均匀度小于0~6dB。

频率范围上，军标对吸波材料的低端是80MHz，民标对RE的NSA要求低端是30MHz，RS的场均匀度要求低端是26MHz。

国此，总的说来，民标对暗室的吸波材料的要求比军标要严得多。

由于建造一个暗室要考虑到如何充分发挥其作用，而且军品与民品的定位也不是一成不变的，一些军品以后也可能会进入民品市场，因此也需要符合民用EMC标准，再说今后一个单位，即或以军品为主，也会逐渐拓宽到民品范围，就算自己不生产民品，也可能需为其他单位的民品作测试，因此目前国内凡新建EMC暗室的，都兼顾军、民标准要求。

2.2暗室功能

暗室功能如下：

1）按国军标GJB152A《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》进行产品EMC检测，EMC故障诊断及排除故障试验；

2）按国军标GJB1386-92《系统电磁兼容性要求》对电子电气系统进行EMC试验，故障诊断及排故试验；

3）为EMC研究提供一个理想的实验环境；

4）按EMC国标对民用产品进行EMC检测。

（注）这里所说的暗室均指屏蔽半暗室，即在屏蔽壳体内的天花板和四个侧壁铺吸波材料，地平面不铺吸波材料，这样可与OATS等效，在军、民用EMC标准中均规定是屏蔽半暗室，这主要是由于以前的EMC标准制订是以OATS为基础的，采用半暗室后有继承性。

至于用作天线测量、RCS测量、仿真试验、天线罩测量的暗室均为全暗室，包括地板在内的六个面均铺吸波材料，以等效自由空间。

2.3主要技术指标

1）频率范国

由需贯彻的军标或民标的要求决定

2）暗室静区性能

a）静区尺寸

以转台旋转轴为轴线，一定直径（取决受试件大小）的圆柱体。

b）在30MHz-18GHz频率范围内，暗室静区的归一化场地衰減（NSA）与理想开阔场理论值相差不大于±4dB。

c）在26MHz-18GHz频率范围内，在转台地板上0.8-2.3m高度的1.5m×1.5m垂直面上，场均匀度:

75%的测点场强幅值偏差在0-+6dB以内。

3）屏蔽效能：

参见表9。

4）接地电阻：

≤1Ω

5）通风空调

通常暗室内的换气率不低于3次/小时

室内温度：

10℃-28℃

6）消防

a）设计、安装均符合《消防防火规范》；

b）具有自动火情声光报警能力。

7）照明

通常距地面0.8m处的工作区的照度不低于100-400LUX，其他区域可降低到50LUX，但不应有暗角。

8）转台

直径×m承重×T

9）暗室尺寸

暗室长、宽、高根据受试设备和执行的EMC标准决定。

10）暗室地平面不平度

2.4技术指标的确定

2.4.1暗室使用频率范围

暗室使用频率范围的选择取决于暗室的功能，为满足国军标GJB152A和国标GB9254等的要求，它涉及到以下两方面：

a）吸波材料的选型

为满足30MHz-18GHz的归一化场地衰减要求，通常暗室需采用铁氧体片与渗碳泡沫角锥或空心角锥复合型的宽带吸波材料。

报据文献报道,对于10m法暗室,为满足归一化场地衰减偏差≤±4dB要求，吸波材料在30-1000MHz垂直入射时反射系数应小于-20dB，45°入射角时小于-15dB。

对于1-40GHz频率范围，吸波材料垂直入射及45°角入射的反射系数也应不高于上述数值，参见图28。

关于复合型宽带吸波材料，要注意以下两点:

a）与铁氧体片组合的渗碳聚氨酯泡沫角锥，其含碳量不同于单独使用的角锥,对于这点，国内第一次（1995年）研制复合型吸波材料时并不清楚，而是沿用常规的角锥吸波材料的含碳量配方。

b）复合型吸波材料与屏蔽室之间宜加一层胶合板，如图29所示。

根据国外文献报道，增加这层电介质（胶合板）对改善反射系数是有益的。

b）屏蔵效能要求

从国内制造水平，在频率范围1MHz-10GHz内屏蔽效能达到100dB是不困难的，但是在（10kHz-1MHz）和高频（10GHz-40GHz）要达到较高的屏蔽效能，对焊缝、门、通风截止波导窗的设计和制造必须十分小心。

屏蔽半暗室的屏蔽效能要求应适当，并非越高越好，要从效费比考虑。

最终的效果要求是暗室内的环境电平只要低于标准限值6dB就可以了。

2.4.2尺寸的选择

暗室尺寸的选择原则是:

a）功能的需要

b）合理的效费比

c）前瞻性，考虑今后的发展留有必要的余地，因为一旦建成再变化尺寸就很困难。

国军标GJB152A和美军标MIL-STD-462D均规定在RE和RS测试时，天线与EUT的距高为1m。

国标民用EMC标准对RE测试的收发距离通常是按受试设备（EUT）的尺寸来选择,见表10。

因此国外通常有3m法半暗室，10m法半暗室，30m法开阔试验场之分，近年来欧盟标准又出现5m法全暗室用于EUT尺寸<2m的标准（草案）。

在开阔试验场情況，场地范围不应小于椭圆区，该椭圆长轴为2倍收发距离，短轴为

倍收发距离。

在半暗室情況，由于有吸波材料，长度和宽度可以比椭圆区尺寸稍短些。

例如：

10m法暗室，屏蔽室长度可以描短于20m，宽度可稍短于17m。

半暗室的高度按下式选取:

（m）

式中R为收发距离，m。

2.4.3静区性能

a）静区尺寸

在保证一定的NSA和场均匀性条件下，静区尺寸将直接影响到暗室尺寸的选取。

静区尺寸越大，暗室尺寸必须越大。

b）NSA

通常暗室要求在30MHz-18GHz内NSA误差不大于±4dB，在目前国外水平看,这并不是最高的。

文献报道，今天满足NSA的±4.0dB的半暗室只是普通水平，某些10m法半暗室NSA低至土2.8dB，一般的10m法半暗室容易满足表11列出的NSA要求：

对于1GHz以下的测量,采用表12列出的天线按ANSIC63.4-1992测试，天线应按ANSIC63.5-1988校准。

在暗室招标中要与暗室承建单位明确天线的校准方法，因为天线校准方法的不同将影响NSA的测量结果。

对于1GHz以上频率NSA测量，目前国际上尚无公认的NSA测量方法,但国外现在新建的暗室对1-18GHz的NSA也参照ANSIC63.4进行测量。

c）场均匀性

从国内外的暗室建造情況来看,只要暗室的NSA达到±4dB,一般都能满足场均匀性0-+6dB的要求，但场均匀性仍需单独进行检测。

根据文献,为保证此指标，吸波材料在80-1000MHz内垂直入射时的反射系数应小于-18dB，所以比NSA对吸波材料的要求松些。

2.4.4屏蔽效能的选择

暗室屏蔽效能如何选择?

是否越高越好?

回答是否定的。

从目前国外水平，1MHZ-10GHZ可达到120dB的屏蔽效能（如用于TEMPEST的屏蔽室）,但这要很高的成本。

选择合适的屏蔽效能的论证过程如下:

a）从暗室完成RE实验来考虑,通常应先实测暗室所在处的电磁环境,设测到的电场强度为E1（dB），磁场强度为H1（dB）。

暗室需执行的EMC标准的电场发射限值设为E2（dB）（如GJB151A的RE102限值）,磁场发射限值为H2（dB），则暗室的屏蔽效能SE应为:

SE（电场）=E1-E2+6（dB）

SE（磁场）=H1-H2+6（dB）

这就是说，所需的屏蔽效能只要使环境电平低于标准限值6dB就可以了。

通常情況下屏蔽效能为70dB就满足此要求。

b）从暗室完成RS实验来考虑

为避免污染环境，国外标准规定在离辐射源100m远的电场应低于15µV/m。

设按民标在发射天线高受试件3m处产生10v/m电场（参见图30（a））:

所需屏蔽效能SE为：

设按军标在离受试件1m处产生10v/m电场（图30（b））:

所需屏蔽效能SE为:

设按军标在高受试件1m处产生200v/m电场（图30（c））:

所需屏蔽效能SE为：

从以上分析看出，暗室的屏蔽效能选择主要按RS考虑，RS测试时所需的场强越高，对屏蔽效能要求就越高。

对于军标，如果测量场强不超过200V/m,那么选择100dB就够了,具有这种能力的屏蔽室可以做电场要求最大不超过150V/m的民标辐射敏感度测试（3m法）。

2.4.5暗室地平面不平度

为避免EMI信号失真，地平面应满足由瑞利规则确定的不平度要求,与地平面最大变化高度,波长,入射波擦地角、EUT和接收天线高度、间隔距离和信号波长的函数有关。

例如在1000MHZ,EUT和接收天线分别在1m和4m高度，在3m法暗室地平面最大允许的不平度是4.5cm，在30m场地是14.7cm。

3屏蔽半暗室总体设计

3.1吸波材料的选型与布置

3.1.1概述

众所周知，一个屏蔽暗室的性能主要取决于三个方面:

1）暗室尺寸;2）吸波材料布置;3）吸波材料品质。

关于暗室尺寸选择已在2.4.2节作了论证和分析,本节讨论吸波材料品质和选型、吸波材料的布置设计。

对于常见的矩形半暗室,当确定收发天线的位置后,暗室的五个内表面（天花板和4个侧壁）的吸波材料并非都起着同等作用，其中镜面区的吸波材料对暗室静区性能影响最大，通常铺设性能最好的吸波材料,其余区域可以铺性能稍差的吸波材料,这样可得到暗室建造最佳效费比。

下一节从电磁传播的基本理论出发，给出暗室镜面区的计算模型,按此模型进行计算可为吸波材料布置方案提供依据。

3.1.2镜面区计算模型

在收、发天线之间的电波传播空间中,根据惠更斯-菲涅尔原理可在传播路径划分为多个菲涅尔区。

以收发天线连线为轴线，与轴线相位差小于π的区域为同相区,称为第一菲涅尔区，它是以收发天线为两个焦点的一个椭圆球,由收/发天线到椭球面上任一点的连线长度与两焦点距离之差为

（

为波长）。

由发射天线经椭球内任一点到接收天线的电波与收发间直达波的相位差≤π,为同相相加。

紧邻第一菲涅尔椭球区，与其球面的相位差小于π的区域也是一个椭球区,称为第二菲涅尔区，依次向外的椭球区称为第三、第四、……菲涅尔区。

第一、第三菲涅尔区同相，第二、第四菲涅尔区同相，相邻的反相。

工程上常把第一菲涅尔区作为对电波传播起主要作用的区域,称为传播主区,只要在主区内满足自由空间条件，无障碍物，就可以认为电波是在自由空间传播。

当收发天线置于暗室中,由于暗示地平面为良导电面，对电波有镜象反射作用,此时可认为电波是从发射天线的镜象发出到达接收天线。

此时以镜象与接收天线为两焦点的菲涅尔椭球面与地平面的交线通常称为镜面区。

至于暗室天花板和四个侧壁，虽然铺有吸波材料，但吸波材料仍有一定的反射，也存在镜面区口。

我们需要作的就是计算这五个面的镜面区的形状、大小与位置。

3.1.3吸波材料的选型

3.1.3.1宽频段吸波材料的国内外现状

a）国外现状

从文献及样本上收集的国外宽频段吸波材料有以下四种:

1）0.61m高含碳7%的角锥+6mm厚铁氧体片+1.27cm厚胶合板构成的复合型，其结构如图32所示。

这里称为“A”型。

其反射系数见图33。

b）国内现状

1）复合型宽频段吸波材料

国内在1995年由701研究所、宜宾899厂、南京紫金山天文台吸波材料厂三家共同研制成功宽带复合型吸波材。

首先由899厂研制出铁氧体片，它由Fe304、镍、锌按一定配方烧结后研磨成六面光滑平坦的片