MAX4475.docx
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MAX4475
MAX4575/MAX4576/MAX4577是低电压，
高静电放电（ESD）保护，双单
极/单掷（SPST）模拟开关。
常
关闭（NO）和常开（NC）引脚
对±15kV的ESD保护而不闭锁或损坏。
每个交换机可以处理轨到轨®模拟信号。
关断漏电流0.5nA在25°C。
这些
适合低失真音频模拟开关
应用和首选的解决方案
在自动化测试设备或机械继电器
开关电流所需的应用程序。
他们
具有低功耗的要求（0.5μW），需要更少的
电路板空间，比机械更可靠
继电器。
每个设备控制的TTL/CMOS输入
电压等级是双边的。
这些开关的功能保证操作
+2V至+12V单电源供电，使他们的理想
使用电池供电的应用。
电阻
70Ω（最大），交换机之间的匹配，0.5Ω（典型值）
单位在指定的信号范围内（2Ω典型）。
MAX4575有两个无开关，MAX4576
两个NC交换机和MAX4577有一个NO和
一个NC开关。
这些器件采用8引脚
μMAX和SO封装。
应用
电池供电系统
音频和视频信号路由
低电压数据采集系统
采样和保持电路
通信电路
继电器替代品
概述
MAX4575/MAX4576/MAX4577是低电压，
高静电放电（ESD）保护，双单
极/单掷（SPST）模拟开关。
常
关闭（NO）和常开（NC）引脚
对±15kV的ESD保护而不闭锁或损坏。
每个交换机可以处理轨到轨®模拟信号。
关断漏电流0.5nA在25°C。
这些
适合低失真音频模拟开关
应用和首选的解决方案
在自动化测试设备或机械继电器
开关电流所需的应用程序。
他们
具有低功耗的要求（0.5μW），需要更少的
电路板空间，比机械更可靠
继电器。
每个设备控制的TTL/CMOS输入
电压等级是双边的。
这些开关的功能保证操作
+2V至+12V单电源供电，使他们的理想
使用电池供电的应用。
电阻
70Ω（最大），交换机之间的匹配，0.5Ω（典型值）
单位在指定的信号范围内（2Ω典型）。
MAX4575有两个无开关，MAX4576
两个NC交换机和MAX4577有一个NO和
一个NC开关。
这些器件采用8引脚
μMAX和SO封装。
应用
电池供电系统
音频和视频信号路由
低电压数据采集系统
采样和保持电路
通信电路
继电器替代品
____________________________Features
？
NO/NC引脚的ESD保护
±15kV的（人体模型）
±15KV（IEC1000-4-2气隙放电）
±8千伏（IEC1000-4-2接触放电）
？
与MAX4541/MAX4542/MAX4543引脚兼容
？
保证电阻
+5V时的70Ω（最大）
在+3V，150Ω（最大）
？
通电阻平坦度
2Ω（典型值）为+5V
在+3V，6Ω（典型值）
？
电阻匹配
0.5Ω（典型值）为+5V
在+3V，0.6Ω（典型值）
？
保证0.5nA漏电流在TA=+25°C
？
2V至+12V单电源电压
？
TTL/CMOS逻辑兼容
？
低失真：
0.015％
？
-3dB带宽>300MHz的
？
轨到轨信号范围
MAX4575/MAX4576/MAX4577
±15kVESD保护，低电压，双通道，单刀单掷，
CMOS模拟开关
________________________________________________________________马克西姆综合产品1
19-1762;冯07/00;
对于免费样品和最新文献，参观访问www.maxim-或电话1-800-998-8800。
对于小订单，电话1-800-835-8769。
轨到轨是日本摩托罗拉公司的注册商标。
订购信息
部分温度。
范围的PIN封装
MAX4575EUA：
-40°C至+85°C8μMAX
MAX4575ESA-40°C至+85°C8
MAX4576EUA：
-40°C至+85°C8μMAX
MAX4576ESA-40°C至+85°C8
MAX4577EUA：
-40°C至+85°C8μMAX
MAX4577ESA-40°C至+85°C8
顶视图
开关显示为逻辑“0”输入
SO/μMAX
MAX4575
MAX4575
逻辑开关
0
1
关
开
8
7
6
5
1
2
3
4
V+
IN1
COM2
接地二氧化氮
IN2
COM1
第1页
引脚配置/
功能框图/真值表
引脚配置/功能框图/真值表
继续在数据表的末尾。
MAX4575/MAX4576/MAX4577
±15kVESD保护，低电压，双通道，单刀单掷，
CMOS模拟开关
2_______________________________________________________________________________________
极限值
电气特性单+5V电源
（V+=+4.5V至+5.5V的，VIH=2.4V，VIL=0.8V，TA=TMIN至TMAX，除非另有规定。
典型值在V+=+5V，
TA=+25°C）（注2）
超出“绝对最大额定值”中所列的强调，可能会造成永久性设备损坏。
这些仅仅是极限参数和功能
设备的操作，在这些或超出规格的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
暴露
长时间工作在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。
V+至GND..............................................................-0.3V至+13V
IN_，COM_，NO_，NC_至GND（注1）.......-0.3V至（V+0.3V）
连续电流（NO_，NC_，COM）.............................±10毫安
峰值电流（NO_，NC_，COM_;脉冲1ms的10％的关税
周期）................................................................................±30毫安
每个方法IEC1000-4-2ESD保护（NO_，NC_）
气隙放电.........................................................±15kV的
联系放电...........................................................±千伏
每个方法3015.7的ESD保护
NO_，NC_...........................................................................±15kV的
V+，GND，IN_，COM_........................................................±2.5KV
连续功耗（TA=70℃）
8引脚μMAX（减免4.1mW/℃以上70℃）.............330MW
8引脚SO（减免8MW/°C以上70°C）.....................640MW
工作温度范围
MAX457_E_A................................................-40°C至+85°C
存储温度范围.............................--65°C至+150°C
最大的模具温度..............................................+150°C。
引脚温度（焊接，10S）.................................+300℃
参数符号条件最小典型最大单位
模拟开关
输入电压范围
VCOM_，
VNO_，
VNC_
0V+V
TA=+25°C4570
上电阻RON
V+=+4.5V，
ICOM_为1mA时，
VNO_或VNC_=3.5V，TA=TMIN至TMAX75
Ω
TA=25°导通电阻匹配与C0.52
通道（注3）
ΔRON
V+=+4.5V，
ICOM_为1mA时，
VNO_或VNC_=3.5V，TA=TMIN至TMAX3
Ω
TA=25℃24
导通电阻平坦度（注4）RFLAT（ON）
V+=+4.5V，集成电路OM_=1M，
VNO_或VNC_=1V，
2.25V，3.5V，TA=TMIN至TMAX5
Ω
关断漏电流TA=25°C-0.50.010.5
（NO_或NC_）（注5）
INO_，INC_
V+=5.5V
VCOM_=1V，4.5V
VNO_或VNC_=4.5V，1V，TA=TM-5到商标AX5
nA的
COM_关断漏电流TA=25°C-0.50.010.5
（注5）
ICOM_（关）
V+=5.5V
VCOM_=1V，4.5V
VNO_或VNC_=4.5V，1V，TA=TM-5到商标AX5
nA的
TA=25℃-10.021
COM_上的泄漏电流
（注5）
ICOM_（上）
V+=5.5V
VCOM_=1V，4.5V
VNO_或VNC_=1V，
4.5V或浮动，TA=TM到TMAX-1010
nA的
注1：
NO_，NC_，COM_，或IN_超过V+或GND的信号通过内部二极管钳位。
正向电流限制到最大
额定电流。
MAX4575/MAX4576/MAX4577
±15kVESD保护，低电压，双通道，单刀单掷，
CMOS模拟开关
_______________________________________________________________________________________3
电气特性单+5V电源（续）
（V+=+4.5V至+5.5V的，VIH=2.4V，VIL=0.8V，TA=TMIN至TMAX，除非另有规定。
典型值在V+=+5V，
TA=+25°C）（注2）
参数符号条件最小典型最大单位
逻辑输入
IN_输入高电平VIH2.4V
IN_输入低的VIL为0.8V
逻辑输入漏电流IINVIN=0或V+-11μA
开关动态
TA=25℃90150
开启时间
的tON
VCOM_=3V，
RL=300Ω，CL=35pF，
图1TA=TM到TMAX180
NS
TA=+25°C5080
关闭时间
TOFF
VCOM_=3V，
RL=300Ω，CL=35pF，
图1TA=TM到TMAX100
NS
TA=25°先断后通，使C545
（MAX4577）
VCOM_=3V，
RL=300Ω，CL=35pF，TA=TM到TMAX4
NS
通道带宽的-3dB带宽
小号IGNAL=0DBM，国际扶轮N=柔T=50Ω，CL=5P楼
连接克URE2
300兆赫
电荷注入的QVGE公司ñ=2V，CL=1.0nF，注册岩土工程师ñ=0，连接克UR发送34PC
NO_或NC_关电容的COFF
VNO_=VNC_=GND时，F=1MHz的，
图4
20pF的
COM_关断电容CCOMOM-（关）VC=GND时，F=1MHz的，图412pF的
COM_电容CCOMOM-（ON），VC=VNO_，VNC_=GND时，F=1MHz的，为20pF
RL=50Ω，CL=5PF，F=1MHZ，连接克UR发送2-75
关断隔离（注7）VISO
RL=50Ω，CL=5PF，F=10MHZ，连接古热2-45
分贝
RL=50Ω，CL=5PF，F=1MHFI克URZ，E6-90
串扰（注8）VCT
RL=50Ω，CL=5PF，F=10MHZ，连接古热6-70
分贝
总谐波失真THDRL=00Ω，F=20Hz到20KHž0.015％
静电放电可控硅控股电流IH110mA的
ESD可控硅控股电压VH3伏
电源供应器
电源电压范围V+212伏
TA=25℃1
正电源电流I+
V+=5.5V，
当VIN=0或V+，TA=TM到TMAX的10
微安
MAX4575/MAX4576/MAX4577
±15kVESD保护，低电压，双通道，单刀单掷，
CMOS模拟开关
4_______________________________________________________________________________________
电气特性单+3V供电
（V+=+2.7V至+3.6V，VIH=2.0V，VIL=0.6V，TA=TMIN至TMAX，除非另有规定。
典型值是在TA=+25°C）（注2）
参数符号条件最小典型最大单位
模拟开关
输入电压范围
VCOM_，
VNO_，
VNC_
0V+V
TA=+25°C70120
上电阻RON
V+=2.7V;
ICOM_为1mA;
VNO_或VNC_=1.5V，TA=TMIN到TMAX150
Ω
TA=25°导通电阻匹配与C0.63
通道（注3，第8）
ΔRON
V+=2.7V;集成电路OM_=1M一个;
VNO_或VNC_=1.5V，TA=TMIN到TMAX4
Ω
TA=+25°C6月12日通电阻平坦度
（注4，8）
RFLAT（上）
V+=2.7V;集成电路OM_=1M一个;
VNO_或VNC_=0.5V，
1.5V，2.2VTA=TMIN至TMAX15日
Ω
逻辑输入
IN_输入高电平VIH2.0V，
IN_输入低的VIL0.6V的
逻辑输入漏电流IINVIN=0或V+-11μA
开关动态特性
TA=25°C150250
开启时间ton
VCOM_=1.5V，
RL=300Ω，CL=35pF，
图1TA=TMIN至TMAX300
NS
TA=25°C60100
关断时间toff
VCOM_=1.5V，
RL=300Ω，CL=35pF，
图1TA=TMIN至TMAX150
NS
先断后TA=25℃5
（MAX4577）
VCOM_=1.5V，
RL=300Ω，CL=35pFTA=TMIN至TMAX4
NS
电荷注射Q
VGEN=1.5V，CL=1.0nF，RGEN=0，
图3
5件
静电放电可控硅控股电流IH110mA的
ESD可控硅控股电压VH3伏
电源供应器
电源电压范围V+212伏
TA=25℃1
正电源电流I+
V+=3.6V，
VIN=0或V+TA=TMIN至TMAX10
微安
注2：
代数公约，其中最负的值是一个最低和最积极的价值是最高的，是用来
本数据表。
注3：
ΔRON=RON（最大）-罗恩（MIN）。
注4：
平坦度定义为测量超过最大导通电阻最低值之间的差异
指定的模拟信号范围。
注5：
泄漏参数是100％测试，在TA（MAX），和相关保证在25°C。
注6：
关断隔离=20log10（VCOM/VNO），VCOM=输出，VNO=输入关闭开关。
注7：
任意两个交换机之间。
注8：
由设计保证。
MAX4575/MAX4576/MAX4577
±15kVESD保护，低电压，双通道，单刀单掷，
CMOS模拟开关
_______________________________________________________________________________________5
典型工作特性
（V+=5V，TA=25°C，除非另有规定。
）
0
40
20
80
60
100
120
160
140
180
00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0
导通电阻与威科姆及
电源电压
MAX4575-01
威科姆（五）
罗恩（Ω）
V+=1.8V
V+=2.5V
V+=3.3V
V+=5V
0
10
30
20
40
50
60
00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0
导通电阻与威科姆
和温度
MAX4575-02
威科姆（五）
罗恩（Ω）
TA=85°C
TA=25°CTA=-40°C
1
-40-1510356085
开/关断漏电流
与温度
1000
10
100
MAX4575-03
温度（℃）
漏电流（PA）
开
关
0
2
6
4
8
10
12
-40-1510356085
电源电流
和VCC和温度
MAX4575-04
温度（℃）
电源电流（nA）
V+=5V
0
10
50
40
20
30
70
60
90
80
100
-40-1510356085
开通和关断时间
与温度
MAX4575-05
温度（℃）
吨/TOFF（NS）
的tON
TOFF
V+=5V
VCOM=3V
0
40
20
80
60
120
100
140
开通和关断时间
与供电电压
MAX4575-06
电源电压（V）
吨/TOFF（NS）
036912
的tON
TOFF
0
40
20
80
60
120
100
140
开通和关断时间
与威科姆（V+=3V）
MAX4575-07
威科姆（五）
吨/TOFF（NS）
00.51.01.52.02.53.0
V+=3V
的tON
TOFF
0
20
10
40
30
50
60
80
70
90
1.01.52.02.53.03.54.04.55.0
开通和关断
与威科姆（V+=5V）
MAX4575-08
威科姆（五）
吨/TOFF（NS）
的tON
TOFF
V+=5V
-10
-5
5
0
10
15
20
012345
电荷注入与威科姆
MAX4575-09
威科姆（五）
电荷注入（PC）
V+=3V
V+=5V
MAX4575/MAX4576/MAX4577
±15kVESD保护，低电压，双通道，单刀单掷，
CMOS模拟开关
6_______________________________________________________________________________________
典型工作特性（续）
（V+=5V，TA=25°C，除非另有规定。
）
20
-120
0.010.11101001000
频率响应
-100
MAX4575-10
频率（MHz）
损耗（dB）
-60
-40
-80
-20
0
ON损耗
关断损耗
串扰
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
101001K10K100K
总谐波失真
+噪音撞楕
MAX4575-11
频率（Hz）
THD+N（％）
V+=5V
600ΩIN和OUT
密码
MAX4575MAX4576MAX4577
名称功能
1-1的NO1模拟开关1常开
-1-NC1模拟开关1常闭
222COM1模拟开关1-普通
333IN2的数字控制输入2
444GND地
5--二氧化氮模拟开关2常开
-55NC2模拟开关2常闭
6662-普通COM2模拟开关
777IN1的数字控制输入1
888V+正电源电压输入
引脚说明
详细说明
MAX4575/MAX4576/MAX4577双SPST
CMOS模拟开关电路提供±15kV的
NO和NC引脚上的ESD保护。
的CMOS
交换机建设提供轨至轨信号处理
同时几乎没有消耗功率。
每两
交换机是由一个独立控制的TTL/CMOSlevel-
兼容的数字输入。
应用信息
不要超过绝对最大额定值，因为
超越上市收视率的压力可能会造成永久性
损坏设备。
建议适当的电源排序
所有CMOS器件。
始终序列V+第一，其次
通过逻辑输入，NO/NC，或COM。
操作注意事项
高压电源
MAX4575/MAX4576/MAX4577
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