组合逻辑电路最大延迟为T2max,最小为T2min。
问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。
（华为）17、给出某个一般时序电路的图，有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。
（未知）21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。
（未知）22、卡诺图写出逻辑表达使。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）23、化简F（A,B,C,D）=m（1,3,4,5,10,11,12,13,14,15）的和。
（威盛）24、pleaseshowtheCMOSinverterschmatic,layoutanditscrosssectionwithP-wellprocess.Plotitstransfercurve（Vout-Vin）AndalsoexplaintheoperationregionofPMOSandNMOSforeachsegmentofthetransfercurve?
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）25、TodesignaCMOSinvertorwithbalanceriseandfalltime,pleasedefinetherationofchannelwidthofPMOSandNMOSandexplain?
26、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？
（仕兰微电子）27、用mos管搭出一个二输入与非门。
（扬智电子笔试）28、pleasedrawthetransistorlevelschematicofacmos2inputANDgateandexplainwhichinputhasfasterresponseforoutputrisingedge.（lessdelaytime）。
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）29、画出NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistorlevel的电路。
（Infineon笔试）30、画出CMOS的图，画出tow-to-onemuxgate。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）31、用一个二选一mux和一个inv实现异或。
（飞利浦－大唐笔试）32、画出Y=A*B+C的cmos电路图。
（科广试题）33、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd。
（飞利浦－大唐笔试）34、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C（D+E）。
（仕兰微电子）35、利用4选1实现F（x,y,z）=xz+yz’。
（未知）36、给一个表达式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）。
37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。
（Infineon笔试）38、为了实现逻辑（AXORB）OR（CANDD），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？
1）INV2）AND3）OR4）NAND5）NOR6）XOR答案：
NAND（未知）39、用与非门等设计全加法器。
（华为）40、给出两个门电路让你分析异同。
（华为）41、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为…（仕兰微电子）42、A,B,C,D,E进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D,E中1的个数比0多，那么F输出为1，否则F为0），用与非门实现，输入数目没有限制。
（未知）43、用波形表示D触发器的功能。
（扬智电子笔试）44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。
（扬智电子笔试）45、用逻辑们画出D触发器。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）46、画出DFF的结构图,用verilog实现之。
（威盛）47、画出一种CMOS的D锁存器的电路图和版图。
（未知）48、D触发器和D锁存器的区别。
（新太硬件面试）49、简述latch和filp-flop的异同。
（未知）50、LATCH和DFF的概念和区别。
（未知）51、latch与register的区别,为什么现在多用register.行为级描述中latch如何产生的。
（南山之桥）52、用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图。
（华为）53、请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？
（汉王笔试）54、怎样用D触发器、与或非门组成二分频电路？
（东信笔试）55、Howmanyflip-flopcircuitsareneededtodivideby16?
（Intel）16分频？
56、用filp-flop和logic-gate设计一个1位加法器，输入carryin和current-stage，输出carryout和next-stage.（未知）57、用D触发器做个4进制的计数。
（华为）58、实现N位JohnsonCounter,N=5。
（南山之桥）59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？
（仕兰微电子）60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL，如设计计数器。
（未知）61、BLOCKINGNONBLOCKING赋值的区别。
（南山之桥）62、写异步D触发器的verilogmodule。
（扬智电子笔试）moduledff8（clk,reset,d,q）;inputclk;inputreset;input[7:
0]d;output[7:
0]q;reg[7:
0]q;always@（posedgeclkorposedgereset）if（reset）q<=0;elseq<=d;endmodule63、用D触发器实现2倍分频的Verilog描述？
（汉王笔试）moduledivide2（clk,clk_o,reset）;inputclk,reset;outputclk_o;wirein;regout;always@（posedgeclkorposedgereset）if（reset）out<=0;elseout<=in;assignin=~out;assignclk_o=out;endmodule64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：
a）你所知道的可编程逻辑器件有哪些？
b）试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。
（汉王笔试）PAL，PLD，CPLD，FPGA。
moduledff8（clk,reset,d,q）;inputclk;inputreset;inputd;outputq;regq;always@（posedgeclkorposedgereset）if（reset）q<=0;elseq<=d;endmodule65、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。
（仕兰微电子）66、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现10进制计数器。
（未知）67、用VERILOG或VHDL写一段代码，实现消除一个glitch。
（未知）68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解的）。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）69、描述一个交通信号灯的设计。
（仕兰微电子）70、画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。
（扬智电子笔试）71、设计一个自动售货机系统，卖soda水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱数。
（1）画出fsm（有限状态机）；
（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求。
（未知）72、设计一个自动饮料售卖机，饮料10分钱，硬币有5分和10分两种，并考虑找零：
（1）画出fsm（有限状态机）；
（2）用verilog编程，语法要符合fpga设计的要求；（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程。
（未知）73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之。
（威盛）74、用FSM实现101101的序列检测模块。
（南山之桥）a为输入端，b为输出端，如果a连续输入为1101则b输出为1，否则为0。
例如a：
0001100110110100100110b：
0000000000100100000000请画出statemachine；请用RTL描述其statemachine。
（未知）75、用verilog/vddl检测stream中的特定字符串（分状态用状态机写）。
（飞利浦－大唐笔试）76、用verilog/vhdl写一个fifo控制器（包括空，满，半满信号）。
（飞利浦－大唐笔试）77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：
y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。
y为二进制小数输出，要求保留两位小数。
电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。
（仕兰微电子）78、sram，falshmemory，及dram的区别？
（新太硬件面试）79、给出单管DRAM的原理图（西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9－14b），问你有什么办法提高refreshtime，总共有5个问题，记不起来了。
（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）80、PleasedrawschematicofacommonSRAMcellwith6transistors,pointoutwhichnodescanstoredataandwhichnodeiswordlinecontrol?
（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）81、名词:
sram,ssram,sdram名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDRIRQ:
InterruptReQuestBIOS:
BasicInputOutputSystemUSB:
UniversalSerialBusVHDL:
VHICHardwareDescriptionLanguageSDR:
SingleDataRate压控振荡器的英文缩写（VCO）。
动态随机存储器的英文缩写（DRAM）。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSIVCO（压控振荡器）RAM（动态随机存储器），FIRIIRDFT（离散傅立叶变换）或者是中文的，比如：
a.量化误差b.直方图c.白平衡______________________________________________________________1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。
（仕兰微面试题目）2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。
（未知）答案：
FPGA是可编程ASIC。
ASIC:
专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。
根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。
与门阵列等其它ASIC（ApplicationSpecificIC）相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？
（仕兰微面试题目）4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？
（仕兰微面试题目）5、描述你对集成电路设计流程的认识。
（仕兰微面试题目）6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。
（仕兰微面试题目）7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。
（未知）8、从RTLsynthesis到tapeout之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）9、Asic的designflow。
（威盛VIA2003.11.06上海笔试试题）10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。
（威盛）11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。
（扬智电子笔试）先介绍下IC开发流程：
1.）代码输入（designinput）用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码语言输入工具：
SUMMITVISUALHDLMENTORRENIOR图形输入:
composer（cadence）;viewlogic（viewdraw）2.）电路仿真（circuitsimulation）将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确数字电路仿真工具：
Verolog：
CADENCEVerolig-XLSYNOPSYSVCSMENTORModle-simVHDL:
CADENCENC-vhdlSYNOPSYSVSSMENTORModle-sim模拟电路仿真工具：
***ANTIHSpicepspice，spectremicromicrowave:
eesoft:
hp3.）逻辑综合（synthesistools）逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真中所没有考虑的门沿（gatesdelay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。
最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程？
（仕兰微面试题目）13、是否接触过自动布局布线？
请说出一两种工具软件。
自动布局布线需要哪些基本元素？
（仕兰微面试题目）14、描述你对集成电路工艺的认识。
（仕兰微面试题目）15、列举几种集成电路典型工艺。
工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？
（仕兰微面试题目）16、请描述一下国内的工艺现状。
（仕兰微面试题目）17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
（仕兰微面试题目）18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？
（仕兰微面试题目）19、解释latch-up现象和Antennaeffect和其预防措施.（未知）20、什么叫Latchup?
（科广试题）21、什么叫窄沟效应?
（科广试题）22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？
什么是增强型、耗尽型？
什么是PNP、NPN？
他们有什么差别？
（仕兰微面试题目）23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？
（仕兰微面试题目）24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。
（Infineon笔试试题）25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。
（科广试题）26、Pleaseexplainhowwedescribetheresistanceinsemiconductor.Comparetheresistanceofametal,polyanddiffusionintranditionalCMOSprocess.（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）27、说明mos一半工作在什么区。
（凹凸的题目和面试）28、画p-bulk的nmos截面图。
（凹凸的题目和面试）29、写schematicnote（？
），越多越好。
（凹凸的题目和面试）30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。
（未知）31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。
IC设计的话需要熟悉的软件:
Cadence,Synopsys,Avant，UNIX当然也要大概会操作。
32、unix命令cp-r,rm,uname。
（扬智电子笔试）_____________________________________________________________单片机、MCU、计算机原理1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。
简述单片机应用系统的设计原则。
（仕兰微面试题目）2、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。
该2716有没有重叠地址？
根据是什么？
若有，则写出每片2716的重叠地址范围。
（仕兰微面试题目）3、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管（共阳）的原理图。
（仕兰微面试题目）4、PCI总线的含义是什么？
PCI总线的主要特点是什么？
（仕兰微面试题目）5、中断的概念？
简述中断的过程。
（仕兰微面试题目）6、如单片机中断几个/类型，编中断程序注意什么问题；（未知）7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由8051完成。
简单原理如下：
由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速，占空比越大，转速越快；而占空比由K7-K0八个开关来设置，直接与P1口相连（开关拨到下方时为"0"，拨到上方时为"1"，组成一个八位二进制数N），要求占空比为N/256。
（仕兰微面试题目）下面程序用计数法来实现这一功能，请将空余部分添完整。
MOVP1，#0FFHLOOP1：
MOVR4，#0FFH
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