半导体器件习题及答案.docx
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半导体器件习题及答案
第1章半导体器件
一、是非题（注:
请在每小题后[]内用"√"表示对,用"×"表示错）
1、P型半导体可通过在本半导体中掺入五价磷元素而获得。
（）
2、N型半导体可以通过在本征半导体中掺入三价元素而得到。
（）
3、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（）
4、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）
5、N型半导体的多数载流子是电子，所以它带负电。
（）
6、半导体中的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。
（）
7、半导体中的空穴的移动是借助于邻近价电子与空穴复合而移动的。
（）
8、施主杂质成为离子后是正离子。
（）
9、受主杂质成为离子后是负离子。
（）
10、PN结中的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（）
11、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（）
12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
（）
13、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
14、二极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的反向击穿特性。
（）
15、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（）
16、有人测得某晶体管的UBE=，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=20μA=35kΩ。
（）
17、有人测得晶体管在UBE=，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=Ω。
（）
18、有人测得当UBE=，IB=10μA。
考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到
（）
二、选择题
（注:
在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论）
.1、在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数
2、在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。
A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对
3、半导体中的载流子为_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴
4、N型半导体中的多子是_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子
5、P型半导体中的多子是_________。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子
6、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有
很大关系。
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度C.晶体缺陷
7、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
当PN结外加反向电压
时，扩散电流漂移电流，耗尽层。
A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变
8、二极管正向电压从增大15%时，流过的电流增大_______。
（A1．15%B1．大于
15%C1．小于15%）当流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压______。
（A2．增大B2．减小；C2．基本不变）
9、温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线________。
（A1．上移B1．下移C1．不变）说明此时反向电流________。
（A2．减小B2．增大C2．不变）.
10、在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[]I=2mA<2mA>2mAD.不能确定
图图图
11、图所示电路中电源V=5V不变。
当温度为20OC时测得二极管的电压UD=。
当温
度上生到为40OC时,则UD的大小将是[]
A.仍等于B.大于C.小于D.不能确定
12、设图电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。
当温度上升
到40℃时，则I的大小将是。
A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mA
13、图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流mA,反向击穿电压为5V,击
穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[]
A.0.1mAB.mAC.5mAD.15mA
14、二极管的主要特性是[]
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性
15、在下图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮
的灯是_________。
A.bB.cC.a
16、二极管电路如下图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______。
（设二极管的导通压降0）A.5.6V
图图图图
17、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______（设二极管的导通压降为
18、二极管电路如上图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电
压Vo为______。
（设二极管的导通压降为、电路如下图所示。
试估算A点的电位为_________。
（设二极管的正向压降为。
）
A.6.7VB.6VC.D.
20、已知如下图所示电路中VA＝0V，VB＝5V，分析二极管的工作状态后，可确定Vo
的值为_____。
（设二极管的正向压降为。
）
图图图（a）图（b）
21、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为，可求出图（a）
中电路的输出电压Vo为_______；可求出图（b）中电路的输出电压Vo为_______；可
求出图（c）中输出电压Vo为_______；可求出图（d）中输出电压Vo为_______。
A.0.7VG..13V
图（c）图（d）图（a）图（b）
22、已知DZ1、DZ2的稳压值分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得图（a）路中，
输出电压为_________；可求得图（b）中输出电压为_________。
A.1VB.5VC.6VD.13VE.7V
23、二极管的双向限幅电路如右图所示。
设vi为幅值大于
直流电源VC1（=－VC2）值的正弦波，二极管为理想器件。
则可画出vo的波形为_________。
A.a）B.b）C.c）D.d）
24、在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。
二极管的性能
最好的是_________。
A.a）B.b）C.c
管号
加正向电压时的电流
加反向电压时的电流
a）
1μA
b）
5mA
μA
c）
2mA
5μA
25、一个硅二极管在正向电压UD=时，正向电流ID=10mA。
若UD增大到（即增加10%），
则电流ID。
A.约为11mA（也增加10%）；B.约为20mA（增大1倍）；
C.约为100mA（增大到原先的10倍）；D.仍为10mA（基本不变）。
26、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三
个电极时以测出最为方便。
A.中极间电阻B.各极对地电位C.各极电流
27、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，正向结电压
UBE。
A.变大B.变小C.不变
28、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性
曲线之间的间隔将。
A.上移B.下移C.左移D.右移E.增大F.减小G.不变
29、双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是。
A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏
C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏
30、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型
是。
型硅管型硅管型锗管型锗管
31、某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是。
A.
饱和B.放大C.截止D.已损坏
2V6V
图图
32、三极管的穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流的倍.+βC.β
33、三极管工作在饱和区时，b-e极间为，b-c极间为；工作在放大区时，b-e
极间为，b-c极间为。
A.扩散电流B.漂移电流
34、某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。
若它的工作电压VCE=10V，
则工作电流IC不得超过mA（B.15mAC.1mA）；若工作电压VCE=1V，
则工作电流不得超过mA（B.15mAC.1mA）；若工作电流IC=1mA，则
工作电压不得超过V（A.30VB.10VC.1V）。
三、计算题
1.写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝。
图
2.已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图
3电路如图所示，已知ui＝10sinωt（v），试画出ui与uO的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图
4电路如图所示，已知ui＝5sinωt（V），二极管导通电压UD＝。
试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
图
5电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝。
试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
图
6现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为。
试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？
各为多少？
（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？
各为多少？
7已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?
为什么？
图
8已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
图
9.在图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝，
正向电流在5～15mA时才能正常工作。
试问：
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
图
10电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。
试分别画出uO1和uO2的波形。
图
11.有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子？
为什么？
12测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图
13.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图
14电路如图所示，晶体管导通时UBE＝，β=50。
试分析VBB为0V、1V、三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。
图
15.电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
图
16电路如图所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝，饱和管压降|UCES|＝；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝。
试问：
当uI＝0V时uO＝？
当uI＝－5V时uO＝？
图
17分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图
第1章半导体器件习题答案
一、判断题
1．×2．×3．√4．×5．×6．×7．√8．√9．√
10．×11．√12．×13．√14．×15．×16．×17．√18．×
二、选择题
1．B2．D3．D4．A5．B6．CA7．AEBD8．B1B29．B1B2
10．C11．C12.C13.B14.C15.B16.C17.B18.D19.D20.C
21．GBCA22.AC23.A24.B25.C26.B27.AAB28.CAE29.B
30．A31.D32.B33.AAAB34.BAA
三、计算题
≈，UO2＝0，UO3≈－，UO4≈2V，UO5≈，UO6≈－2V。
＝6V，UO2＝5V。
3.ui和uo的波形如图
4.波形如解图所示。
5.波形如图所示
6.
（1）两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。
7.
（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故
当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最小稳定电流IZmin，所以
UO＝UZ＝6V
同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
（2）
29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
8.稳压管的最大稳定电流：
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin,所以其取值范围为：
9.
（1）S闭合。
（2）R的范围为
10.解：
波形如解图所示
图图
11.选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较好。
12解：
晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表所示。
解表
管号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
13.答案如解图所示。
14解：
（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。
（2）当VBB＝1V时，因为
μA
所以T处于放大状态。
（3）当VBB＝3V时，因为
μA
所以T处于饱和状态。
15解：
取UCES＝UBE，若管子饱和，则
所以，
时，管子饱和。
16解：
当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。
当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝。
因为
17解：
（a）可能（b）可能（c）不能
（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能
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