C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx

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C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格

MSIComputer（Shenzhen）Co.,Ltd.

恩斯邁電子（深圳）有限公司

文件申請單（C-0-6-0-QP0501-01）

類別﹕

█正式

□暫行

區別：

□新建

█變更

□作廢

申請日期：

2008

年8月30

日

文件名稱：

MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

版本：

8.0

單位（部門）主管:

蔡輝展09051606

申請部門：

新技術整合課

文件編號：

C-5-5-2-QW09123

生效日期：

2008年09月20日

內容：

規范MSIHSF制程DIPprofile量測

申請人:

程釗鋒09051530

勞

制

企

消

產

設

造

主

費

品

營中

工

多

客

資

能

機

業系

人公

技測

樣備

文

力

媒

性

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稽運央法安

管業研資品

平統

力共

N產3

品資

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訊

整

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電

整技

品

核管關務全

理務發材保

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資事

採銷資

資

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確門

中

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服

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處處處處處

品

產品

源務

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品

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部

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審

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邱

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聖

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繳回

數量

簽

收

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品

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制

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板

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確

門

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專

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品

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理

部

管

部

理

部

邱

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周

聖

棋

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邱數量

聖

簽

峰

收

繳回

數量

簽

收

多

企

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消

媒

業

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費

多

平

費

體

業

制

系

性

制

媒

台

電

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制

平

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統

造

體

子

電

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專

工

制

品

專

工

制

品

專

子

專

工

制

品

案

程

造

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案

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造

保

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品

案

程

造

保

管

部

管

部

管

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造

保

理

部

理

部

張王張

楊

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吳

林林陳

袁

李吳朱

維秀志

明

文

龍龍文

和俊文

馨

芬

鈞蘭源

篤

宏

吉吉欽

明瑤玲

蔡邱林

輝偉德

展倫修

核准發行:

蔡輝展09051606

2008.1.28Ver:

5.0

MSIComputer（Shenzhen）Co.,Ltd.

恩斯邁電子（深圳）有限公司

文件履歷表（C-0-6-0-QP0501-02）

版次

變

更

理

由

變

更內容

生效日期

1.0

新增

2004.10.12

2.0

修改

修改第二頁

5.2.2.2&5.2.2.8

2005.01.17

刪除第四頁附件

修改5.2.2.5

3.0新增

4.0修改

5.0修改新增

6.0修改

7.0修改新增

8.0新增

新增5.3WaveSolder校驗，4.5.6

2005.05.18

頁表格

修改第一頁

5.1.1.2.1.d項.第2頁

2005.12.03

5.2.2.5項；修改第

5頁表格

新增第二頁

5.2.3項；新增錫銅

2006.11.07

焊錫規格

將全文RoHS字樣，修改為HSF，版

2006.12.30

本統一升級為6.0

刪除第2頁5.2中，各profile規格中

2007.10.15

的flux型號和錫棒廠商/型號

增加第3頁5.2.4中，profile制作注意

事項

修改P25.1.1.2.3測溫點的選擇（for

M/B）

2.2g

修改

5.2.3.7浸錫面焊錫點之最高

溫度為：

227℃-270℃

增加P45.5

Goldenprofile的建立

2008.9.20

增加P45.6

WI參數說明

頁數1234567

版序6.08.08.08.06.06.06.0

頁數

版序

2005.10.17Ver:

1.0

標準作業指導書

恩斯邁電子

主

題

MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

生效日期

2006年12月30日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

6.0

頁次

1.0目的

1.1

建立MSIHSF錫爐profile的標准規格，作為profile量測人員的參考依據。

1.2

規范MSIHSF錫爐profile的量測方法，以確保MSIHSF錫爐的焊錫品質。

2.0範圍

MSIHSF制程DIP段profile

3.0組織與權責

制造部各課，錫爐作業人員及錫爐profile測試人員

4.0流程圖

無

5.0作業內容、規定、注意事項

5.1MSIHSF制程DIPprofile量測規范

5.1.1MSIHSF制程DIPprofile測試板的制作

5.1.1.1所需材料

a.PCB板b.熱偶線d.銀膠

注：

不可使用高溫錫絲來固定測溫線（因為高溫錫絲含鉛量過高）。

5.1.1.2.1測溫點的選擇（forcard）：

a.BGA本體之中心位置（若有多顆BGA則選最大的一顆；如果沒有BGA，則選不小於48pinIC

或100pinQFP零件之焊點）；

a.BGA（最大顆）邊緣之錫球上（如無BGA可取消此點）；

b.BGA邊最小電容之焊點（如無BGA可取不小于48pinIC零件或100pinQFP零件）；

c.3/4通孔處（測溫頭要連接主要DIPconnectorPTH橫切面的75%處）；

e.DIP零件VGA、COM或USB接口之Throughhole通孔焊點（錫面露線頭）；

f.PCB板面（此profile量測點頇布置在載具未覆蓋區域的上表面）。

注：

如PCB板上無BGA零件、沒有大於或等於48pinIC與100pin的QFP零件,此機种可取消profile制作（但必頇測量板溫）。

5.1.1.2.2測溫點圖示

BGA本體之中心及其邊緣之錫球最小電容之焊接點IC之焊接點

DIP零件Throughhole焊接點PCB板面

錫面露出的測溫線在5mm以內

分

標準作業指導書

主題MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

類編號C-5-5-2-QW09123修訂版序

生效日期

8.0

頁

恩斯邁電子

2007年10月15日

次2

5.1.1.2.3測溫點的選擇（forM/B）：

a.PCA之北橋BGA本體之中心位置（若有多顆BGA,則選擇最大顆BGA）；

b.PCA之北橋（最大顆）BGA邊緣之錫球上；

c.PCA之板上最小電容零件之焊接點；

d.PCADIMM槽下之焊接點；

e.PCA之南橋BGA本體之中心位置；

f.PCA板面（此Profile量測點頇布置在載具未覆蓋區域的上表面）。

注：

1.如Bottomside有MOS或有大於或等於100pinQFP零件和48pinIC零件時需用其中一點取代

C項（按順

序：

MOS→QFP→IC）；

2.2.DELL特別要求：

c點改為北橋BGA邊緣與b點對角之錫球上。

g.DIP最小電容錫面零件腳

5.1.1.2.4測溫點圖示（forM/B）

北橋（BGA）本體中心、邊綠

南橋（BGA）本體中心

DIMM

槽下之焊接點

錫球與電容之焊點

5.1.1.2.5測溫點的選擇（forHP）

（a）.小BGA中心錫球；

（b）.小BGA角落錫球；

（c）.大BGA中心錫球；

（d）.大BGA角落錫球；

（e）.DIMM槽中間或邊緣SMTChip零件；

（f）.接口類零件錫面零件腳；

（g）.DIMM槽或PCI錫面零件腳；

（h）.DIP最小電容錫面零件腳；

5.1.2MSIHSF制程DIPprofile的量測步驟：

1.按要求制作profile測試板；

2.按規定之spec設定錫爐參數；

3.用實板調整軌道寬度（鏈條速度為零時才能調整）；

4.待鏈速及錫波穩定後測量錫波高度，並用測溫儀測錫溫，看其是否滿足spec；

5.將測溫線接頭依編號分別接上Datapaq上，將Datapaq置於隔熱盒內，並將隔熱盒放於一載具上；

6.在確定所有參數無誤後，方可以進行測試。

5.2MSIHSF制程DIPprofile規格：

5.2.1forNEC（MSIHSF）

5.2.1.1室溫至105℃溫升斜率<4℃/sec

5.2.1.2吃錫時間（平流波+擾流波）:

5+/-0.5sec

5.2.1.3PCB上表面預熱溫度100℃-120℃

5.2.1.4BGAsolderball溫度<170℃

5.2.1.5零件面之峰值溫度<160℃

5.2.1.6錫溫255+/-5℃

5.2.1.7浸錫面焊錫點之最高溫度221℃-260℃

5.2.1.8120℃

5.2.2for錫銀銅（MSIHSF）（如DELL）

5.2.2.1室溫至105℃溫升斜率<4℃/sec

標準作業指導書

恩斯邁電子

主

題

MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

生效日期

2007年10月15日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

8.0

頁次

5.2.2.2吃錫時間2.5-5sec

5.2.2.3

PCB上表面預熱溫度80℃-100℃（DELL機種85℃~100℃）

5.2.2.4

BGAsolderball溫度<170℃

5.2.2.5零件面之峰值溫度<190℃

5.2.2.6錫溫260+/-5℃

5.2.2.7浸錫面焊錫點之最高溫度221℃-260℃

5.2.2.8120℃

5.2.3for錫銅（

MSI

）（如HP）

HSF

5.2.3.1室溫至105℃溫升斜率<4℃/sec

5.2.3.2吃錫時間2.5-5sec

5.2.3.3

BGAsolderball溫度<170℃

5.2.3.4零件面之峰值溫度<190℃

5.2.3.5PCB上表面預熱溫度100℃-120℃

5.2.3.6錫溫270+/-2℃

5.2.3.7浸錫面焊錫點之最高溫度為：

227℃-270℃

5.2.3.8120℃

5.2.4注意事項

5.2.4.1DIPProfile板上的測溫點銀膠量，剛好蓋住測溫點即可；

5.2.4.2DIPProfile板，背面測溫點的熱偶線必須由正面打孔穿過，且打孔位置與測溫點距離在

5mm以內；

Profile板放在相應的載具上時，測溫線不可被載具和板壓住

；

5.2.4.3量測profile時，不可將裝有Datapaq測溫器的隔熱盒直接置於

profile板之上進行量測，應准備

一個空過錫爐載具，隨profile板之後進爐，而隔熱盒應放置於此空載具之上進行

profile量測。

5.2.4.4生產異常時重新量測profile，若profile不合格時.需重新設定參數並將其更改參數填入錫爐操作參

數設定作業標準變更記錄表{參考錫爐操作參數設定作業標準變更記錄（C-5-1-2-QW0902-07）},

並再次量測profile（變更的參數必頇在

SOP的范圍內）。

5.2.4.5參數變更由錫爐操作員或錫爐領班變更並作記綠，由

ME人員確認。

5.3WaveSolder校驗（按客戶要求）

5.3.1使用測溫板如圖示，材質：

FR4（測溫板粘貼部分）（每次測試

200次頇要進行更換載具上的

FR4材質）

測溫線

FR4

5.3.2MSIHSF制程WaveSolder參數設定如下:

WS-350PC參數設定：

預熱一:

340℃.預熱二:

360℃.預熱三:

380℃.錫溫:

260℃.

鏈速:

100cm/min.LambadaWave:

25Hz.

CP-2002

參數設定：

預熱一.350℃.預熱二.370℃.預熱三.390℃.錫溫.260℃.

鏈速:

100cm/min.LambadaWave:

600rpm.

CP-2000

參數設定：

預熱一.350℃.預熱二.370℃.預熱三.390℃.錫溫.260℃.

鏈速:

100cm/min.LambadaWave:

450rpm.

5.3.3按上面的機台型號，設定固定參數，測試出25組數據統計分析建立校驗profile：

上下規格范圍

（中心值±3倍標准差），做出上下線作為校驗標准（用透明片制作），錫爐校驗profile（Calibrateprofile）統計

分析表（C-5-5-2-QW09123-01）

5.3.4每月月保養後（24-28日）由錫爐維護員用校驗板測試一次profile並與校驗profile規格作比較，檢查測出的校驗profile是否在校驗標准profile的規格內，對測試過的Profile要進行保存，填寫錫爐校

驗Profile測試紀錄表（C-5-5-2-QW09123-02），機台大保養後也頇要對其作校驗，以確保機台的溫度穩定。

5.3.5如果測出的校驗profile與其標准校驗profile的規格不符時，應檢查profile板是否完好，如無問

題，再重測profile，檢查是否符合規格並作紀錄。

如仍然不符合應請設備工程師處理（如檢查加

熱管道，溫度感應器⋯⋯有必要頇要請應商協助處理），等故障排除後再次測量profile，符合規

格後方可生產。

5.4工程profilewindow建立（按客戶要求）：

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頁次

5.4.3如果測出的產品profile與工程profilewindow規格不符時，應先檢查profile是否在spec以內，profile板是否完好，並重測次profile，如還不符應反應ME工程師進行分析處理（確認機台和測溫板無異常）.確認OK後方可生產。

5.4.1工程profilewindow的建立：

依據“5.2MSIHSF制程DIPprofile規格”做出的profilewindow（profilewindow頇用透明片制作，以便於對比）。

5.4.2工程profilewindow建立後要與每日量測的產品profile作對比，以確認產品profile在profilewindow的規格范圍之內，對測試過的profile要進行保存.並填寫錫爐產品profile確認紀錄表

（C-5-5-2-QW09123-03）。

5.5Goldenprofile的建立（forM/B-DELL）：

5.5.1每個機種均需要保留工程sample板。

5.5.2需把第一次調試OK的溫度profile圖用菲琳片打印出來並保存。

5.6WI參數說明

5.6.1參數包括通用參數和可變參數（通用參數：

sop有定義其設定標准；可變參數：

根據實際制程進行設定的參數）

5.6.2可變參數位於WI的參數設置表格中，通用參數位於WI注意事項中。

6.0參考文件、附件及編號

6.1CP-2002錫爐作業管理規范（C-5-1-5-QW0948）

6.2錫爐校驗Profile統計分析表（C-5-5-2-QW09123-01）

6.3錫爐校驗Profile測試紀錄表（C-5-5-2-QW09123-02）

6.4錫爐產品Profile確認紀錄表（C-5-5-2-QW09123-03）

標準作業指導書

恩斯邁電子

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MSIHSF制程DIPProfile量測規范及標准規格

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6.0

頁次

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恩斯邁電子（深圳）有限公司

錫爐校驗Profile統計分析表

（

）

C-5-5-2-QW09123-01

線別：

機台編號：

年

月

日

次數

樣本

備注

填寫管控數據，如最高溫度.升溫斜率..

升溫時間等參數。

等

4X4

5X5

6X6

7X7

8X8

9X9

10X10

11X11

12X12

⋯⋯⋯⋯

求和ΣX

平均值X

標准差δ

上限

建立

中心線

規格

下限

說明：

數據之統計必頇來源于實際量測的Profile之真實數值。

標準作業指導書

恩斯邁電子

主

題

MSIHSF制程DIPProfile量測規范及標准規格

生效日期

2006年12月30日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

6.0

頁次

MSIC

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