半导体行业发展现状及发展分析.docx
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半导体行业发展现状及发展分析
半导体行业发展现状及发展分析
国内半导体企业从成本驱动走向技术创新驱动.近十年以来国内半导体企业在产品研发、技术创新方面取得了长足发展,华为海思的麒麟系列处理器（麒麟970AI处理器）、展讯的2G/3G/4G通讯基带芯片、汇顶科技的指纹识别芯片、兆易创新的NORflash和MCU等.半导体行业研发投入持续增长,研发费用占营收比例与美国的差距在逐步缩小.A股半导体企业年均研发费用从2007年的1572万元增长至2016年的1.59亿元,营收占比从2.8%增长至8.17%,高于国际上科技企业5%的研发营收占比,与美国常年处于10%以上的比例相比,差距在逐渐缩小.考虑到美国半导体企业的营收体量,比如英特尔每年研发投入在100亿美元左右,从研发投入的绝对值看国内仍然需要持续大规模投入.
2007～2016年A股半导体行业企业年均研发费用及其占平均营收比例持续增长
从IC设计顶级会议期刊ISSCC看,集成电路设计原始创新持续取得突破.ISSCC（IEEEInternationalSolid-StateCircuitsConference）是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,被誉为IC设计领域的世界奥林匹克大会、奥斯卡.每年来自全球最顶尖的工业界和学术界参会,包括英特尔、高通、英伟达等均参加,每年40%~50%的ISSCC论文来自工业界.中国从2005年起陆续在ISSCC上发表论文,至2017年累计有19篇入选,论文集中在模拟和处理器方面,其中,清华大学6篇、复旦大学6篇、中科院3篇、产业界有4篇.持续的研发投入在IC设计业结出硕果.2016年大陆IC设计业产值超过台湾,并且产值同比增速保持在两位数以上.由于市场需求在大陆,再加上大陆IC代工的崛起,台湾IC设计业将逐渐失去竞争力,未来大陆IC设计业将在全球崭露头角.
2016年大陆IC设计产值超过台湾
2005年至今中国大陆在ISSCC会议上发表的论
2017年上半年中国集成电路产业增速领跑全球,继续保持强势增长势头.中国半导体行业协会统计,2017年1~6月中国集成电路产业销售额为2201.3亿元,同比增长19.1%.其中,设计业同比增长21.1%,销售额为830.1亿元；制造业增速依然最快达到25.6%,销售额为571.2亿元；封装测试业销售额800.1亿元,同比增长13.2%.
2004~2016年国内IC产业销售额快速增长（亿元）
国内IC产业链收入占比（内15年,外16年）
IC封测行业相对其他环节技术差距最小、规模最大、最先受益全球半导体产业向大陆转移的环节.2017年全球前十大IC封测业中大陆占3位,其中长电科技通过收购星科金朋之后排名第三,仅次于台湾日月光和美国的安靠.
2017年全球前十大IC封测代工厂排名
排名
公司
2017E
2016
同比增长率
市占率
1
日月光
5207
4896
6.40%
19.20%
2
安靠
4063
3894
4.30%
15.00%
3
长电科技
3233
2874
12.50%
11.90%
4
矽品
2684
2626
2.20%
9.90%
5
力成
1893
1499
26.30%
7.00%
6
天水华天
1056
823
28.30%
3.90%
7
通富微电
910
689
32.00%
3.30%
8
京元电
675
623
8.30%
2.50%
9
联测
674
689
-2.20%
2.50%
10
南茂
596
568
4.90%
2.20%
伴随国内智能手机产业崛起和全球电子制造产业向大陆转移,国内半导体产业进入黄金发展阶段.受宏观经济复苏以及2009年低基数影响,2010年半导体板块个股平均营收和平均归母净利润同比增速出现波峰,随后在2011年回落触底,并开启新一轮向上增长.2011~2016年A股半导体个股平均营收不断增长,同比增速呈加速向上趋势.A股半导体板块中,个股营收平均值从2007年的5.62亿元增长至2016年的19.51亿元,CAGR为14.84%,个股营收中位数从2007年的4.69亿元增长至2016年的10.85亿元,CAGR为9.78%.
2007~2016半导体板块个股平均营业收入及同比增长率
2011年~2016年A股半导体个股平均归母净利润持续扩大,同比增速呈向上趋势.A股半导体板块中,个股归母净利润平均值从2007年的4929.99万元增长至2016年的1.38亿元,CAGR为12.10%,个股归母净利润中位数从2007年的3256.37万元增长至2016年的9854.94万元,CAGR为13.09%.
2007～2016年半导体行业个股平均归母净利润持续增长
从毛利率和净利率角度看,2007年~2016年A股半导体板块毛利率维持在20%以上,净利率处于6.5%~11.6%.受摩尔定律影响,IC产品每年均在降价,IC企业只有持续推出新产品、研发新技术、新工艺,才能维持较为稳定的毛利率.
2007～2016年A股半导体行业毛利率及净利率走势（单位：
%）
2017年政府工作报告提出2017年重点工作任务,其中包括：
1）加快培育壮大新兴产业,全面实施战略性新兴产业发展规划,加快新材料、人工智能、集成电路、5G等技术研发和转化,做大做强产业集群；2）大力改造提升传统产业,深入实施中国制造2025,加快大数据、云计算、物联网应用.在ICChina论坛上,工信部电子信息司司长刁石京表示：
“预计今年全球集成电路市场规模达到4000亿美元,作为全球规模最大、增速最快的中国集成电路市场规模也将达到1.3万亿元.工信部将围绕制造强国、网络强国战略,按照国家集成电路产业发展推进纲要战略部署,重点做好四方面工作：
一是突出顶层设计,按照供给侧结构性改革要求,持续完善18号文、4号文等文件；二是坚持创新驱动战略,组织实施好国家科技重大专项等,持续加大研发投入力度,突破关键核心技术；三是坚持市场需求导向,重视系统架构创新,围绕智能硬件、智能传感、智能网联汽车、智慧医疗等重大需求,加强产业链上下游协同；四是深化国际合作.”
中国半导体需求量占全球比重稳步上升（单位：
十亿美元）
国家集成电路产业基金（以下简称“大基金”）产业链布局成效显著.成立3年来,大基金所投项目55个,包括40家IC企业,涵盖集成电路完整产业链,总共承诺出资1003亿元,承诺投资额占首期募集资金的72%,实际出资额为653亿元,约占首期募集资金的50%.在承诺投资额中,IC设计业、制造业、封测业、装备材料业的投资金额占比分别为17%、65%、10%、8%.我们认为,从产业链承载的功能与技术布局的角度看,大基金下一个阶段将重点布局IC设计、MEMS、材料与设备、功率半导体等方向.大基金定位长期财务投资者,通过海外收购、二级市场协议转让、IPO前增资入股、定增等多种方式精准布局IC产业的战略标的,形成了国家虚拟“IDM”平台,帮助众多企业实现业务转型升级、并购整合、产业投融资、做大做强等功能.
按照IC产业链,国家集成电路产业基金布局的主要企业
中国半导体晶圆代工产能缺口大,技术制程相对国外领先企业落后2~3代.2016年全球半导体晶圆代工企业28纳米及以下节点占收入的40%.然而国内最先进的代工厂中芯国际仅能实现28纳米生产（占营收比例相对较低）,14纳米技术尚在研发中,仍落后全球领先企业2~3代.
2016年全球半导体纯代工厂按制程划分销售占比
全球300mm晶圆厂产能集中度
中国IC自主生产量与消耗量区别极大,自给率仍然处于较低水平.中国IC市场自给率在2008年仅为8.7%,2014年为12.8%,预计2018年为16.0%,2018年供需缺口将达到1135亿美元.因此国内自2014年集成电路发展纲要发布以来,各地陆续新建大量晶圆代工厂,以满足国内市场需求.
2006~2018年中国IC市场自给率分析（单位：
10亿美元）
中国半导体制造产能以12英寸为主.截止2016年底,中国在运营的12英寸制造产线合计为11条,产能合计为54万片/月；在运营的8英寸产线为18条,8英寸产能为67.1万片/月.据此测算,中国当前半导体制造产能为84万片/月（以12英寸产能计）.
国内在运营的12英寸及8英寸晶圆制造Fab汇总
晶圆
序号
公司
工厂代码
工艺
设计产能（KW/M）
12英寸
1
SK海力士
HC1
20nmCMOS
100
2
HC2
20nmCMOS
70
-
3
英特尔
FAB68
65~90nmCMOS
40
4
三星电子
FABx1
46~25nmCMOS
120
5
联芯集成
FAB12X
55~40nmCMOS
50
6
华力微
FAB1
90~45nmCMOS
35
7
武汉新芯
FAB1
90~65nmCMOS
25
8
中芯国际
FABB1（FAB4）
90~55nmCMOS
45
9
FABB1（FAB6）
90~55nmCMOS
-
10
FABB2A
45~28nmCMOS
35
11
FABS2（B）
0.35µm~28nmCMOS
20
8英寸
1
德州仪器
CFAB
0.35~0.18µmAnalog
50
11
中车时代
FAB3
0.35µmDMOS
10
10
台积电
FAB10
0.25~0.13µmCMOS
100
2
和舰科技
FAB1P1
0.5~0.13µmCMOS
65
3
FAB1P2
0.5~0.13µmCMOS
-
12
中航微电子
FAB1
0.35~0.18µmCMOS
40
4
华虹宏力
FAB1
1.0~0.13µmCMOS
164
5
FAB1C
MEMS
6
FAB2
0.35µmCMOS
7
FAB3
0.25µm~90nmCMOS
8
华润上华
FAB2
0.5~0.13µmCMOS
60
9
上海先进
FAB3
0.25µmCMOS
16
13
中芯国际
FAB15
0.35~0.15µmCMOS
20
14
FAB7
0.35~0.15µmCMOS
43
15
FABS1（FAB1）
0.35~0.11µmCMOS
100
16
FABS1（FAB2）
0.35~0.11µmCMOS
-
17
FABS1（FAB3）
0.35~0.11µmCMOS
-
18
FAB9
0.18~0.13µmMEMS
3
国内新建多座晶圆制造产能,“十三五”期间将陆续投产.全球将于2017-2020年间投产62座半导体晶圆厂,其中26座设于中国大陆,占全球总数的42%.我们认为,在巨大的芯片供需缺口、国家政策/地方政府的持续引导、产业资本的积极投入背景下,“十三五”期间,国内半导体晶圆制造厂建设将直接带动国内半导体材料、设备的发展.截至2016年底,中国在建的12英寸晶圆产线有11条,在建产线产能合计为58万片/月（其中包括24万片/月的存储器产能）,拟建的12英寸产线有10条,拟建产线合计产能为50万片/月.假设上述在建的和拟建的12寸产线顺利投产,2020年中国将新增超过100万片/月的12英寸产能.
国内在建的12英寸晶圆制造Fab汇总
序号
晶圆尺寸
公司
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