拔河机器人教材Word格式.docx
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第一章系统设计方案
引言:
一些发达国家已把机器人制作比赛作为创新教育的战略性手段。
旨在通过大赛全面培养学生的动手能力、创造能力、合作能力和进取精神,同时也普及智能机器人的知识。
开展机器人的制作活动,是培养大学生的创新精神和实践能力的最佳实践活动之一,特别是机电专业和电子专业学生开展综合知识训练的最佳平台。
本文基于单片机控制及传感器原理,通过硬件电路制作和软件编程,制作了一个机器人,实现了机器人的自动运动的功能,从而实现两个机器人之间的拔河比赛的目标。
本设计以AVR单片机为核心,设计了一种基于ATmega16芯片的红外测距模块。
本系统主要包含系统硬件和系统软件两大部分。
1.1系统硬件设计方案
一、红外线简介
近二十年来,红外辐射技术已成为一门迅速发展的新兴技术科学。
它已广泛应用于生产,科研,军事,医学等各个领域。
红外辐射技术是发展测量技术、遥感技术和空间科学技术的重要手段。
红外辐射俗称红外线,又称红外光,它是一种人眼看不见的光线。
但实际上它和其他任何光线一样,也是一种客观存在的物质。
任何物体,只要它的湿度高于绝对零度,就有红外线向周围空间辐射。
它的波长介于可见光和微波之间,它的波长范围大致在
的频谱范围之内。
相对应的频率大致在
之间,红外线与可见光、紫外线、χ射线、γ射线和微波、无线电波一起构成了整个无限连续的电磁波谱,在红外技术中,一般将红外辐射分为四个区域,即近红外区、中红外区、远红外区和极远红外区。
为近红外区,
为中红外区,
为远红外区。
这里所说的远近是指红外辐射在电磁波谱中与可见光的距离。
红外辐射的物理本质
是热辐射。
物体的温度越高,辐射出来的红外线越多,红外辐射的能量就越强。
研究发现,太阳光谱各种单色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的,而且最大的热效应出现在红外辐射的频率范围内,因此人们又将红外辐射称为热辐射或热射线。
红外线在通过云雾等充满悬浮离子的物质时不易发生散射,有较强的穿透能力,还具有抗干扰能力强、易于产生、对环境影响小、不会干扰临近的无线电设备的特点,因而被广泛应用。
目前红外发射器件(红外发光二极管)发出的是峰值波长
之间的近红外光,红外接收器件(光敏二极管、光敏三极管)的受光峰值波长为
之间,恰好与红外发光二极管的光峰值波长相匹配。
红外光具有反射、折射、散射、干涉、吸收等特性。
能全部吸收投射到它表面的红外辐射的物体称为黑体;
能全部反射的物体称为镜体;
能部分反射、部分吸收的物体称为灰体。
严格地讲,在自然界中,不存在黑体镜体和透明体。
红外遥控的优点:
采用红外线发光二极管,结构简单,易于小型化,且成本底。
红外线调制简单,依靠调制信号编码可实现多路控制。
红外线不能通过阻挡物,不会产生信号串扰等误动作。
功率消耗小,反映速度快。
对环境无污染,对人、物无损害。
抗干扰能力强,工作可靠。
红外辐射的基本定律
基尔霍夫定律
基尔霍夫定律指出,一个物体向周围辐射热能的同时也吸收周围物体的辐射能。
如果几个物体处于同一温度场中,各物体的热发射本领正比于它的吸收本领,这就是基尔霍夫定律,可由下式表示
式中
---物体在单位面积和单位时间内发射出的辐射能;
—物体的吸收系数;
—常数,其值等于黑体在相同条件下发出的辐射能。
斯蒂芬-玻尔滋蔓定律
物体温度越高,发射的红外辐射能越多,在单位时间内其单位面积辐射的总能量
为
式中
—物体的绝对温度,273K;
--斯蒂芬-玻尔滋蔓常数,
;
---比辐射率,即物体表面辐射本领与黑体辐射本领的比值,黑体的
。
维恩位移定律
热辐射发射的电磁波中包含各种波长。
实验证明物体峰值辐射波长λm与物体自身的绝对温度T成反比。
即
该式称为维恩位移定律。
红外传感器(也称为红外探测器)是能将红外辐射能转换为电能的光敏器件,它是红外探测系统的关键部件,它的性能好坏,将直接影响系统性能的优劣。
因此,选择合适的、性能良好的红外传感器,对于红外探测系统是十分重要的
1.2红外传感器的分类
常见红外传感器可分为热传感器和光子传感器。
一、热传感器
热传感器是利用入射红外辐射引起传感器的温度变化,进而使有关物理参数发生相应的变化,通过测量有关物理参数的变化来确定红外传感器所吸收的红外辐射。
热探测器的主要优点是相应波段宽,可以在室温下工作,使用简单。
但是,热传感器相应时间较长,灵敏度较低,一般用于低频调制的场合。
热传感器主要类型有:
热敏传感器型,热电偶型,高莱气动型和热释放电型四种。
1、热敏电阻型传感器
热敏电阻是由锰、镍、钴的氧化物混合后烧解而成的,热敏电阻一般制成薄片状,当红外辐射照射在热敏电阻上,其温度升高,电阻值减少。
测量热敏电阻值变化的大小,即可得知入射的红外辐射的强弱,从而可以判断产生红外辐射物体的温度。
2、热电偶型传感器
热电偶是由热电功率差别较大的两种材料构成。
当红外辐射到这两种金属材料构成的闭合回路的接点上时,该接点温度升高。
而另一个没有被红外辐射辐照的接点处于较低的温度,此时,在闭合回路中将产生温差电流。
同时回路中产生温差电势,温差电势的大小,反映了接点吸收红外辐射的强弱。
利用温差电势现象制成的红外传感器称为热电偶型红外传感器,因其时间常数较大,相应时间较长,动态特性较差,调制频率应限制在10HZ以下。
3、莱气动型传感器
高莱气动型传感器是利用气体吸收红外辐射后,温度升高,体积增大的特性,来反映红外辐射的强弱。
它有一个气室,以一个小管道与一块柔性薄片相连。
薄片的背向管道一面是反射镜。
气室的前面附有吸收模,它是低热容量的薄膜。
红外辐射通过窗口入射到吸收模上,吸收模将吸收的热能传给气体,使气体温度升高,气压增大,从而使柔镜移动。
在室的另一边,一束可见光通过栅状光栏聚焦在柔镜上,经柔镜反射回来的栅状图像又经过栅状光栏投射到光电管上。
当柔镜因压力变化而移动时,栅状图像与栅状光栏发生相对位移,使落到光电管上的光量发生改变,光电管的输出信号也发生变化,这个变化量就反映出入射红外辐射的强弱。
这种传感器的特点是灵敏度高,性能稳定。
但响应时间性长,结构复杂,强度较差,只适合于实验室内使用。
4、热释电型传感器
热释电型传感器是一种具有极化现象的热晶体或称“铁电体”。
铁电体的极化强度(单位面积上的电荷)与温度有关。
当红外线辐射照射到已经极化的铁电体薄片表面上时,引起薄片温度升高,使其极化强度降低,表面电荷减少,这相当于释放一部分电荷,所以叫做热释电型传感器。
如果将负载电阻与铁电体薄片相连,则负载电阻上便产生一个电信号输出。
输出信号的大小,取决于薄片温度变化的快慢,从而反映入射的红外辐射的强弱。
由此可见,热释电型红外传感器的电压响应率正比于入射辐射变化的速率。
当恒定的红外辐射照射在热释电传感器上时,传感器没有电信号输出。
只有铁电体温度处于变化过程中,才有电信号输出。
所以,必须对红外辐射进行调制(或称斩光),使恒定的辐射变成交变辐射,不断的引起传感器的温度变化,才能导致热释电产生,并输出交变的信号。
二、光子传感器
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照射下,产生光子效应,使材料电学性质发生变化。
通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。
利用光子效应所制成的红外传感器。
统称光子传感器。
光子传感器的主要特点灵敏度高,响应速度快,具有较高的响应频率。
但其一般须在低温下工作,探测波段较窄。
按照光子传感器的工作原理,一般可分为内光电和外光电传感器两种,后者又分为光电导传感器、光生伏特传感器和光磁电传感器等三种。
1、外光电传感器(
器件)
当光辐射在某些材料的表面上时,若入射光的光子能量足够大时,就能使材料的电子逸出表面,这种现象叫外光电效应或光电子发射效应。
光电二极管、光电倍增管等便属于这种类型的电子传感器。
它的响应速度比较快,一般只需几个毫微秒。
但电子逸出需要较大的光子能量,只适宜于近红外辐射或可见光范围内使用。
2、光电导传感器(
当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫光电导现象。
利用光电导现象制成的传感器称为光导传感器,如硫化铅、硒化铅、锑化铟、碲隔汞等材料都可制光电导传感器。
使用光电导传感器时,需要制冷和加一定的偏压,否则会使响应率降低,噪声大,响应波段窄,以致使红外线传感器损坏。
3、光生伏特传感器(
当红外辐射照射在某些半导体材料的PN结上时,在结内电场的作用下,自由电子移向N区,如果PN结开路,则在PN结两端便产生一个附加电势,称为光生电动势。
利用这个效应制成的传感器或PN结传感器。
常用的材料为砷化铟、锑化铟、碲化汞、碲锡铅等几种。
4、光磁电传感器(
当红外辐射照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴将向内部扩散,在扩散中若受强磁场的作用,电子与空穴则各偏向一方,因而产生开路电压,这种现象称为光磁电效应。
利用此效应制成的红外传感器,叫做光磁电传感器。
光磁电传感器不需致冷,响应波段可达
左右,时间常数小,响应速度快,不用加偏压,内阻极低,噪声小,有良好的稳定性和可靠性。
但其灵敏度低,低噪声前置放大器制作困难,因而影响了使用。
1.3红外线测距发射与接收器件介绍
红外线测距是利用红外光来传送控制指令信号,因此,作为红外测距中的红外光发射器件的红外发光二极管和红外光接收器件的红外光敏管,是构成红外测距系统的基本器件。
一、红外线发射器件
1、红外线发射器件的结构与原理
红外线发射器件是最长用的为红外发光二极管,它与普通发光二极管的结构原理以及制作工艺基本相同,是只有一个PN结的半导体器件,只是所有的材料不同,制造红外发光二极管砷化钾,砷铝钾等,其中应用最多的是砷化钾。
红外发光二极管一般采用环氧树脂,玻璃,塑料等封装,除白色透明材料封装外,还可见到用蓝色透明材料封装的。
红外发光二极管按发光功率的大小,可分为小功率,中功率,大功率三种。
另外,红外发光二极管除顶面发光型外,还有侧面发光型。
小功率管一般采用全塑封装,也有部分是采用陶瓷底座,顶端用玻璃或环氧树脂透镜封装的,中大功率管一般采用带螺纹金属底座,以便安装散热片。
随着发光功率得提高,相应体积的管子也增大。
2、红外发光二极管的主要参数
(1)正向工作电流
是指红外发光二极管长期工作时,允许通过的最大平均电流,因为电流通过PN结时,要消耗一定的功率而引起管子发热,如管子长期超过
运行,会因过热而烧毁,因此,使用的最大平均正向工作电流不得超过
(2)光功率
是指输入到发光二极管的电功率转化为光输出功率的那一部分。
光功率越大,发射距离越远。
(3)峰值波长
是指红外发光二极管所发出近红外光中,光强最大值所对应的发光波长,在选用红外接收管时,其受光峰值波长应尽量靠近
(4)反向漏电流
是指管子未被反向击穿时反向电流的大小,希望它越小越好。
(5)响应时间t0
由于红外发光二极管PN结电容的存在,影响了它的工作频率。
现在,红外发光二极管的相应时间一般为
最高工作频率为几十
3、红外发光二极管使用事项及简易测试:
争相平均工作电流不要太大,管子的正向平均工作电流不得超过产品参数给出的工作电流。
加装散热片:
对中大功率管,工作电流一般较大,为了管子不因发热损坏,应根据实际使用电流的大小,考虑加装散热片。
防水、防油污、防机械损伤:
有些红外发光二极管在制作时管芯装在管座上,未加装帽封装,使用时要注意防水、防油污及机械损伤,如作为远距离控制,可加装聚光透镜,这样不仅可以大大提高作用距离,同时聚光透镜也是管子的一种封装保护。
红外发光二极管安装方法:
红外发光二极管安装在发射器上时,应有发射窗口,窗口可用红色或白色透明有机玻璃封口,以便能够透过红外线,又能防尘。
当然,红外发光二极管也裸露在外。
红外发光二极管测试方法:
红外发光二极管测试方法非常简单,用万用表RX1K档测量,正向电阻在30KΩ左右,反向电阻在200KΩ以上的管子是好的。
反向电阻越大,漏电流越小,质量越好。
若反向电阻只有几十KΩ,说明管子质量不好,但可使用。
若管子的正向的反向电阻都为无穷大或为零,说明管子是废品,不能使用。
二、红外光敏二极管
1、红外光敏二极管原理与结构
我们知道半导体具有光电效应,即用光照半导体,可使半导体的电阻率发生变化。
利用半导体的光电效应可以制成光电二极管,不同的半导体材料对不同波长的入射光的响应是不同的。
光敏二极管有顶面受光和侧面受光两种形式。
它也是采用塑料、玻璃、环氧树脂等材料封装。
2、光敏二极管的主要参数
(1)光电流IL:
是指在一定反向电压下,入射光强为某一定值时流过管子的电流。
光敏二极管的光电流一般为几十μA,并与入射光强成正比。
(2)暗电流ID:
是指在一定反向电压下,无光照时流过管子的电流。
一般在50V反压下,ID小于0.1μA。
(3)反向工作电压UR:
是指在无光照时,光敏二极管反向电流小于0.2μA-0.3μA时,允许的最高反向工作电压,一般在10V左右,最高可达几十伏。
(4)峰值波长λp:
是指光敏二极管光谱响应最灵敏的波长范围,一般为0.88μM-0.94μM。
3、光敏二极管的简单测试
(1)电量测量法:
一般用万用表RX1K档,光敏二极管的正向电阻较普通二极管大些,约十几KΩ左右,反向电阻随光照变化。
无光照时(用物体将管子挡住,不让光照射),反向电阻接近无穷大,说明漏电流大。
管子的反向电阻至少应在500KΩ以上,有光照射时(在较强日光或灯光下),反向电阻越小越好,一般应在20KΩ以下。
若有光照射时反向电阻为穷大或为零,说明管子是坏的。
光敏二极管的引线较长的一根是正极。
(2)电量测量法:
一般用万用表电压档0.5V或1V档测量,万用表的“+”、“-”分别与光敏二极管“+”、“-”相连,在光照下,电压表指示一般可达0.3V-0.4V,说明光敏二极管是好的。
三、红外光敏三极管
光敏二极管的光电流仅为μA级,光敏灵敏度还不够高,而光敏三极管的光电流可达MA级,且具有较高的灵敏度。
红外光敏三极管的结构与原理:
红外光敏三极管与普通三极管结构一样,具有两个PN结,一般基极无引线,它可以等效成一个bc结是光敏二极管的三极管。
无光照时,只有很小的集电极-基极漏电流,所以光敏三极管暗电流很小。
在光照时,集电极-基极的反向电流就会因光照增大很多。
当三极管的电流放大系数为时,光敏三极管的光电流要比相应光敏二极管的光电流大。
红外光敏三极管的主要参数
(1)最大功耗:
是指光敏三极管能够安全工作而不致损坏的最大耗散功率,光敏三极管的最大功耗一般为几十
(2)最高工作电压:
是指在光照射时,在管子不被击穿的前提下集电极与发射极之间的最高工作电压,一般为10V-几十V。
光电三极管的其它参数,如光电流IL暗电流ID等与光敏二极管定义相同。
红外光敏三极管的简单测试
(1)电阻测量法:
用万用表
档,首先,万用表红表笔接C极,黑表笔接E极(管子长脚为E极,短脚为C极),由于这种接法管子所加电压极性(E为“+”、C为“-”)不符合正常工作条件,因此无论是有光照还是无光照,管子两端电阻都是非常大的,一般应接近无穷大。
然后将红、黑笔调换,这种接法下所加符合正常工作条件,当无光照时(用物体遮住管子,使其不受任何光照),电阻多在无穷大附近,否则认为漏电流太大。
当有光照时(将管子移致强光线下),电阻应从原来的无穷大变为几百欧,至少也应有几千欧以下,否则说明管子灵敏度太底;
若电阻为无穷大,说明管子是坏的。
将光敏三极管的C极与E极之间接上10V左右的工作电压(C为“+”、E为“-”)并在回路里接上电流表,当无光照射时,电流指示为暗电流,小于
当有光照时,电流指示光电流;
一般在
之间,有的管子可达
1.4红外线测距的工作原理
对某一特定物体距离的测量是光学仪器领域的热门课题之一。
在机器人视觉方面,快速精确的测距系统使机器人迅速准确地判断目标与机器人的距离,以便使机器人迅速做出相应的判断和动作。
各种测距方法很多,目前应用较多的主要有PSD测距法、超声时间法、带运动机构的双象比较法和反射能量法。
PSD测距法利用三角测距原理,用一种称之为位置敏感器件(PositionSensitiveDevice)的PSD元件来获得二路输出信号,根据这二路信号来获得物体的距离量值。
超声时间法测量一束超声波从发射到反射回仪器的时间来判断被测距离。
带运动机构的双象比较法则比较复杂,系统中有二套光路对被测物体成像,其中一套光路是经过可运动的反光镜获得的,接收系统及时比较二套光路来的图像,当二者一致时,就可根据可运动反光镜的位置来获得物体的距离信息。
反射能量法中仪器发射一束光(通常是近红外光)照射到被测物体表面,仪器同时接收被测物体的反射光能量,根据接收到的反射光能量来判断被测物体的距离。
我们在红外测距系统就是采用反射能量法。
红外传感器的测距基本原理为红外发射电路的红外发光管发出红外光,经界限标志反射后,由红外接收电路的光敏接收管接收前方物体反射光,据此判断前方是否有界限标志。
根据发射光的强弱可以判断物体的距离,由于接收管接收的光强随是随反射物体的距离变化而变化的,因而,距离近则反射光强,距离远则反射光弱。
因为红外线是介于可见光和微波之间的一种电磁波,因此,它不仅具有可见光直线传播、反射、折射等特性,还具有微波的某些特性,如较强的穿透能力和能贯穿某些不透明物质等。
红外传感器包括红外发射器件和红外接收器件。
自然界的所有物体只要温度高于绝对零度都会辐射红外线,因而,红外传感器须具有更强的发射和接收能力。
1.5红外线测距的基本结构
在自主移动机器人的拔河和路径规划过程中,机器人须依赖于外部环境信息的获取,测量规定的距离。
目前,机器人测距传感器有红外、超声波、激光及视觉传感器。
激光传感器和视觉传感器价格贵,对控制器的要求较高,因而,在移动机器人系统中多采用红外及超声波传感器。
拔河机器人在行进过程中需要不断地获取关于前方和后方规定距离的信息,从而对机器人进行有效地控制。
由于机器人体积小,对传感器要求精度高,因此采用单片机进行控制。
ATmega16芯片内有8通道、具有10位精度的A/D转换模块,我们利用这种单片机设计了一个红外测距系统。
由于超声波测距存在盲区问题,故为了解决超声波传感器的盲区问题,系统加入了红外测距传感器模块。
该模块由红外发射电路、红外接收电路、RS485通讯、ATmega16芯片、反馈运动电路等组成。
其红外测距传感器模块组成框图如图1-1所示:
MCU
ATmega
16
红外发送电路
红外接收电路
RS
485
运动
图1-1红外测距传感器模块组成框图
1.6ATmega16单片机简介
ATmega16是基于增强的AVRRISC结构的低功耗8位CMOS微控制器。
由于其先进的指令集以及单时钟周期指令执行时间,ATmega16的数据吞吐率高达1MIPS/MHz,从而可以缓减系统在功耗和处理速度之间的矛盾。
AVR内核具有丰富的指令集和32个通用工作寄存器。
所有的寄存器都直接与算术逻辑单元(ALU)相连接,使得一条指令可以在一个时钟周期内同时访问两个独立的寄存器。
这种结构大大提高了代码效率,并且具有比普通的CISC微控制器最高至10倍的数据吞吐率。
ATmega16单片机封装形式如图1-2所示:
图1-2单片机封装形式
*ATmega16单片机引脚说明
引脚符号
引脚名称与功能
VCC
数字电路的电源
GND
地
端口PA(PA7..PA0)
端口A为A/D转换器的模拟输入端,端口A为8位双向I/O口,具有可编程的内部上拉电阻。
其输出缓冲器具有对称的驱动特性,可以输出和吸收大电流。
作为输入使用时,若内部上拉电阻使能,端口被外部电路拉低时将输出电流。
在复位过程中,即使系统时钟还未起振,端口A处于高阻状态
端口B(PB7..PB0)
端口B为8位双向I/O口,具有可编程的内部上拉电阻。
在复位过程中,即使系统时钟还未起振,端口B处于高阻状态。
端口B也可以用做其他不同的特殊功能
端口C(PC7..PC0)
端口C为8位双向I/O口,具有可编程的内部上拉电阻。
在复位过程中,即使系统时钟还未起振,端口C处于高阻状态。
如果JTAG接口使能,即使复位出现引PC5(TDI)、PC3(TMS)与PC2(TCK)的上拉电阻被激活。
端口C也可以用做其他不同的特殊功能
端口D(PD7..PD0)
端口D为8位双向I/O口,具有可编程的内部上拉电阻。
其输出缓冲器具有对称的驱动特性,可以输出和吸收大流。
作为输入使用时,若内部上拉电阻使能,则端口被外部电路拉低时将输出电流。
在复位过程中,即使系统时钟还未起振,端口D处于高阻状态。
端口D也可以用做其他不同的特殊功能
RESET
复位输入引脚。
持续时间超过最小门限时间的低电平将引起系统复位。
持续时间小于门限间的脉冲不能保证可靠复位
XTAL1
反向振荡放大器与片内时钟操作电路的输入端
XTAL2
反向振荡放大器的输出端
AVCC
AVCC是端口A与A/D转换器的电源。
不使用ADC时,该引脚应直接与VCC连接。
使用ADC时应通过一个低通滤波器与VCC连接
AREF
A/D的模拟基准输入引脚
ATmega16有如下特点:
16K字节的系统内可编程Flash(具有同