肖特基二极管文档格式.docx

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随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

　　典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极（阻档层）金属材料是钼。

二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。

加负偏压-E时，势垒宽度就增加。

肖特基二极管的结构

　　肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；

反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

部分在触式肖特基二极管主要参数与代换型号

肖特基二极管分为点触式肖特基二极管（也称肖特基势垒二极管）和面触式肖特基二极管（也称硅功率肖特基二极管），前者反向恢复时间短（小于１ｎｓ），工作频率高（大于２ＧＨｚ），额定正向电流通常在１Ａ以下，主要用于示波器取样、计算机的门电路或微波通信电路中作混频器、检波器、高速开关或小电流的高频整流用。

手者反向恢复时间稍长但仍在１０ｎｓ以内，额定正向电流以通常在数百安，主要用于开关电源及保护电路中作续流和整流。

特基二极管F5KQ100

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肖特基二极管30CPQ140

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肖特基二极管30CPQ100

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肖特基二极管30CPQ090

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肖特基二极管30CPQ060

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肖特基二极管30CPQ045

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肖特基二极管MBRS260T3G

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肖特基二极管MBRS130T3G

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肖特基二极管MBRS320T3G

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肖特基二极管MBRS340T3G

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肖特基二极管MBRS140T3G

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肖特基二极管MBRS240LT3

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肖特基二极管MBRS230LT3

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肖特基二极管MBRS2040LT

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肖特基二极管MBR20100

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肖特基二极管MBR3045

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肖特基二极管MBR2545

MBR2545

肖特基二极管MBR2045

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肖特基二极管MBR1545

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肖特基二极管MBR1045

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肖特基二极管MBR745

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肖特基二极管MBR3100

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肖特基二极管MBR360

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肖特基二极管DSC01232

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肖特基二极管SB3040

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肖特基二极管IN5817

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肖特基二极管IN5819

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肖特基二极管IN5818

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肖特基二极管IN5822

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肖特基二极管HER107

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肖特基二极管HER207

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肖特基二极管HER307

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肖特基二极管FR105

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肖特基二极管FR2050

肖特基二极管的结构

肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成（如图1所示）。

肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。

它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图1所示。

肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图2。

采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。