数字温度计课程设计报告Word文档格式.docx

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4位LED显示;

设计温度控制器原理图,并用proteus进行仿真;

用altiumdesigner画出PCB并制好印刷电路板;

设计和绘制软件流程图,用C语言进行程序编写;

焊接硬件电路,进行调试。

设计方案与选材

提及到温度的检测,我们首先会考虑传统的测温元件有热电偶和热电阻,而热电偶和热电阻测出的一般都是电压,再转换成对应的温度,需要比较多的外部硬件支持,硬件电路复杂,软件调试也复杂,制作成本高。

因此,本数字温度计设计采用智能温度传感器DS18B20作为检测元件,测温范围为-55°

C至+125°

C,最大分辨率可达0.0625°

C。

DS18B20可以直接读出被测量的温度值,而采用三线制与单片机相连,减少了外部的硬件电路,具有低成本和易使用的特点。

按照系统设计功能的要求,确定系统由三个模块组成:

主控制器STC89C51,温度传感器DS18B20,驱动显示电路。

总体电路框图如下:

 

DS18B20温度传感器

本设计的测温系统采用芯片DS18B20,DS18B20是DALLAS公司的最新单线数字温度传感器,它的体积更小,适用电压更宽,更经济。

实现方法简介

DS18B20采用外接电源方式工作,一线测温一线与STC89C51连接,测出的数据放在寄存器中,将数据经过BCD码转换后送到LED显示。

DS18B20温度传感器是美国DALLAS半导体公司最新推出的一种改进型智能温度传感器,与传统的热敏电阻等测温元件相比,它能直接读出被测温度,并且可根据实际要求通过简单的编程实现9~12位的数字值读数方式。

DS18B20的性能特点如下:

●独特的单线接口仅需要一个端口引脚进行通信;

●多个DS18B20可以并联在惟一的三线上,实现多点组网功能;

●无须外部器件;

●可通过数据线供电,电压范围为3.0~5.5V;

●零待机功耗;

●温度以9或12位数字;

●用户可定义报警设置;

●报警搜索命令识别并标志超过程序限定温度(温度报警条件)的器件;

●负电压特性,电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作;

DS18B20内部结构主要由四部分组成:

64位光刻ROM,温度传感器,非挥发的温度报警触发器TH和TL,高速暂存器。

DS18B20的管脚排列如图2-3-1所示。

64位光刻ROM是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列号。

不同的器件地址序列号不同。

图3.3DS18B20的内部结构

图3.4DS18B20的引脚分布图

64位ROM的结构开始8位是产品类型的编号,接着是每个器件的惟一的序号,共有48位,最后8位是前面56位的CRC检验码,这也是多个DS18B20可以采用一线进行通信的原因。

温度报警触发器TH和TL,可通过软件写入户报警上下限。

DS18B20温度传感器的内部存储器还包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EERAM。

高速暂存RAM的结构为8字节的存储器,结构如图2-3-2所示。

头2个字节包含测得的温度信息,第3和第4字节TH和TL的拷贝,是易失的,每次上电复位时被刷新。

第5个字节,为配置寄存器,它的内容用于确定温度值的数字转换分辨率。

DS18B20工作时寄存器中的分辨率转换为相应精度的温度数值。

该字节各位的定义如下图所示。

低5位一直为1,TM是工作模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式,DS18B20出厂时该位被设置为0,用户要去改动,R1和R0决定温度转换的精度位数,来设置分辨率。

图3.5DS18B20的字节定义

DS18B20高速暂存器共9个存存单元,如表所示:

表3-1DS18B20的引脚分布图

序号

寄存器名称

作 

0

温度低字节

以16位补码形式存放

4、5

保留字节1、2

1

温度高字节

6

计数器余值

2

TH/用户字节1

存放温度上限

7

计数器/℃

3

HL/用户字节2

存放温度下限

8

CRC

以12位转化为例说明温度高低字节存放形式及计算:

12位转化后得到的12位数据,存储在18B20的两个高低两个8位的RAM中,二进制中的前面5位是符号位。

如果测得的温度大于0,这5位为0,只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度;

如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘于0.0625才能得到实际温度。

高8位

S

26

25

24

低8位

23

22

21

20

2-1

2-2

2-3

2-4

表3-2DS18B20的字节存放表

由下图可以看到,Dsl8820的内部存储器是由8个单元组成,其中第0、1个存放测量温度值,第2、3分别存放报警温度的上下限值,第4单元为配置单元,5、6、7单元在DSl8820这里没有被用到。

对于第4个寄存器,用户可以设置温度转换精度,系统默认12bit转换精度,相当于十进制的0.0625℃,其转换时间大约为750磷。

具体见表2-4-1。

图3.6内部存储器结构图

表3-3温度精度配置

R1

R0

转换精度(16进制)

转换精度(十进制)

转换时间

9bit

0.5

93.75ms

1

10bit

0.25

187.5ms

11bit

0.125

375ms

12bit

0.0625

750ms

由表3-3可见,DS18B20温度转换的时间比较长,而且分辨率越高,所需要的温度数据转换时间越长。

因此,在实际应用中要将分辨率和转换时间权衡考虑。

高速暂存RAM的第6、7、8字节保留未用,表现为全逻辑1。

第9字节读出前面所有8字节的CRC码,可用来检验数据,从而保证通信数据的正确性。

当DS18B20接收到温度转换命令后,开始启动转换。

转换完成后的温度值就以16位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速暂存存储器的第1、2字节。

单片机可以通过单线接口读出该数据,读数据时低位在先,高位在后,数据格式以0.0625℃/LSB形式表示。

当符号位S=0时,表示测得的温度值为正值,可以直接将二进制位转换为十进制;

当符号位S=1时,表示测得的温度值为负值,要先将补码变成原码,再计算十进制数值。

表2-4-2是一部分温度值对应的二进制温度数据。

表3-4温度精度配置

温度/℃

二进制表示

十六进制表示

+125

0000011111010000

07D0H

+85

0000010101010000

0550H

+25.0625

0000000110010000

0191H

+10.125

0000000010100001

00A2H

+0.5

0000000000000010

0008H

0000000000001000

0000H

-0.5

1111111111110000

FFF8H

-10.125

1111111101011110

FF5EH

-25.0625

1111111001101111

FE6FH

-55

1111110010010000

FC90H

DS18B20完成温度转换后,就把测得的温度值与RAM中的TH、TL字节内容作比较。

若T>TH或T<TL,则将该器件内的报警标志位置位,并对主机发出的报警搜索命令作出响应。

因此,可用多只DS18B20同时测量温度并进行报警搜索。

在64位ROM的最高有效字节中存储有循环冗余检验码(CRC)。

主机ROM的前56位来计算CRC值,并和存入DS18B20的CRC值作比较,以判断主机收到的ROM数据是否正确。

DS18B20的测温原理是这这样的,器件中低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器1;

高温度系数晶振随温度变化其振荡频率明显改变,所产生的信号作为减法计数器2的脉冲输入。

器件中还有一个计数门,当计数门打开时,DS18B20就对低温度系数振荡器产生的时钟脉冲进行计数进而完成温度测量。

计数门的开启时间由高温度系数振荡器来决定,每次测量前,首先将-55℃所对应的一个基数分别置入减法计数器1、温度寄存器中,计数器1和温度寄存器被预置在-55℃所对应的一个基数值。

减法计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当减法计数器1的预置值减到0时,温度寄存器的值将加1,减法计数器1的预置将重新被装入,减法计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数,如此循环直到减法计数器计数到0时,停止温度寄存器的累加,此时温度寄存器中的数值就是所测温度值。

其输出用于修正减法计数器的预置值,只要计数器门仍未关闭就重复上述过程,直到温度寄存器值大致被测温度值。

另外,由于DS18B20单线通信功能是分时完成的,它有严格的时隙概念,因此读写时序很重要。

系统对DS18B20的各种操作按协议进行。

操作协议为:

初使化DS18B20(发复位脉冲)→发ROM功能命令→发存储器操作命令→处理数据。

由于DS18B20采用的“一线总线”结构,所以数据的传输与命令的通讯只要通过微处理器的一根双向I/o口就可以实现。

DSl8B20约定在每次通信前必须对其复位,具体的复位时序如图2-4-2所示。

图3.7复位时序图

图2-4-3中所示,tRSTL为主机发出的低电平信号,本文中有AT89S52提供,tRSTL的最小时延为

,然后释放总线,检查DSl8B20的返回信号,看其是否已准备接受其他操作,其中tPDHIGH时间最小为

,最长不能超过

,否则认为DS18B20没有准备好,主机应继续复位,直到检测到返回信号变为低电平为止。

表3-5DS18B20的ROM操作指令

操作指令

33H

55H

CCH

F0H

ECH

含义

读ROM

匹配ROM

跳过ROM

搜索ROM

报警搜索ROM

表3-6DS18B20的存储器操作指令

4EH

BEH

48H

44H

D8H

B4H

内部复制

温度转换

重新调出

读电源

主机一旦检测到DS18B20的存在,根据DS18B2的工作协议,就应对ROM进行操作,接着对存储器操作,最后进行数据处理。

在DS18B20中规定了5条对ROM的操作命令。

见表2-4-3。

主机在发送完ROM操作指令之后,就可以对DS18B20内部的存储器进行操作,同样DS18B20规定了6条操作指令。

见表2-4-4。

DS18B20的读、写时序图见图2-4-3。

图3.8DS18B20的读写时序图

2.DS18B20的使用方法

  由于DS18B20采用的是1-Wire总线协议方式,即在一根数据线实现数据的双向传输,而对AT89S51单片机来说,硬件上并不支持单总线协议,因此,我们必须采用软件的方法来模拟单总线的协议时序来完成对DS18B20芯片的访问。

  由于DS18B20是在一根I/O线上读写数据,因此,对读写的数据位有着严格的时序要求。

DS18B20有严格的通信协议来保证各位数据传输的正确性和完整性。

该协议定义了几种信号的时序:

初始化时序、读时序、写时序。

所有时序都是将

图3.9DS18B20的复位时序

图3.10DS18B20的读时序

图3.11DS18B20的写时序

主机作为主设备,单总线器件作为从设备。

而每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始,如果要求单总线器件回送数据,在进行写命令后,主机需启动读时序完成数据接收。

数据和命令的传输都是低位在先。

对于DS18B20的读时序分为读0时序和读1时序两个过程。

  对于DS18B20的读时隙是从主机把单总线拉低之后,在15秒之内就得释放单总线,以让DS18B20把数据传输到单总线上。

DS18B20在完成一个读时序过程,至少需要60us才能完成。

DS18B20的写时序,对于DS18B20的写时序仍然分为写0时序和写1时序两个过程,

对于DS18B20写0时序和写1时序的要求不同,当要写0时序时,单总线要被拉低至少60us,保证DS18B20能够在15us到45us之间能够正确地采样IO总线上的“0”电平,当要写1时序时,单总线被拉低之后,在15us之内就得释放单线

proteus仿真设计

画出电路仿真图进行仿真

硬件电路设计

运用altiumdesigner软件画出原理图

然后建立PCB工程布线,布局。

打印出PCB用热转印机转印到覆铜板上然后腐蚀制版,再焊接元器件。

电路焊接板图片如下:

软件程序设计

根据焊接的硬件电路PO口控制数码管的段码即显示什么数字根据分析得到编码为ucharcodetable1[]={

0x3f,0x06,0x5b,0x4f,

0x66,0x6d,0x7d,0x07,

0x7f,0x6f,0x77,0x7c,

0x39,0x5e,0x79,0x71};

//不带小数点的数码管编码

ucharcodetable2[]={

0xbf,0x86,0xdb,0xcf,

0xe6,0xed,0xfd,0x87,

0xff,0xef,0xf7,0xfc,

0xb9,0xde,0xf9,0xf1};

//加小数点

分别为不加小数点和加小数点的数码管编码。

P2口控制数码管位选对数码管进行扫描显示。

最终设计出的程序为:

/********************************************************

/*DS18B20测温程序*/

/*目标器件:

AT89S51*/

/*晶振:

11.0592MHZ*/

/*编译环境:

Keil7.50A*/

/********************************************************/

/*********************************包含头文件********************************/

#include<

reg51.h>

/*******************************共阴LED段码表*******************************/

unsignedcharcodetab[]={

unsignedcharcodetab2[]={

/*********************************端口定义**********************************/

sbitDQ=P3^3;

//数据传输线接单片机的相应的引脚

/*********************************定义全局变量******************************/

unsignedchartempL=0;

//临时变量低位

unsignedchartempH=0;

//临时变量高位

floattemperature;

//温度值

/*******************************************************************

函数功能:

延时子程序

入口参数:

k

出口参数:

********************************************************************/

voiddelay(unsignedintk)

{

unsignedintn;

n=0;

while(n<

k)

{n++;

}

return;

/********************************************************************

数码管扫描延时子程序

voiddelay1(void)

{

intk;

for(k=0;

k<

400;

k++);

}

数码管显示子程序

voiddisplay(intk)

P2=0x07;

P0=tab[k/1000];

delay1();

P2=0x0b;

P0=tab[k%1000/100];

P2=0xfd;

P0=tab2[k%100/10];

P2=0x0e;

P0=tab[k%10];

P2=0xff;

/****************************************************************

DS18B20初始化子程序

*****************************************************************/

Init_DS18B20(void)

unsignedcharx=0;

DQ=1;

//DQ先置高

delay(8);

//延时

DQ=0;

//发送复位脉冲

delay(85);

//延时(>

480ms)

//拉高数据线

delay(14);

//等待(15~60ms)

向DS18B20读一字节数据

dat

ReadOneChar(void)

unsignedchari=0;

unsignedchardat=0;

for(i=8;

i>

0;

i--)

{

DQ=1;

delay

(1);

DQ=0;

dat>

>

=1;

DQ=1;

if(DQ)

dat|=0x80;

delay(4);

}

return(dat);

向DS18B20写一字节数据

WriteOneChar(unsignedchardat)

for(i=8;

i--)

{

DQ=dat&

0x01;

delay(5);

dat>

}

delay(4);

向DS18B20读温度值

temperature

ReadTemperature(void)

Init_DS18B20();

//初始化

WriteOneChar(0xcc);

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