数字电子技术基础习题及答案.docx
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数字电子技术基础习题及答案
运放题库
1.如图所示，均为理想运算放大器，求输出电压的值。
2.一放大电路如图所示，已知均为理想运算放大器，试写出输出电压与输入电压之间的关系式。
3.电路如图所示，请回答：
（1）预实现的运算关系（K为常数，）电阻之间应有什么关系设均为理想运算放大器。
（2）在实际电路中，输入电压的大小应受什么限制
4.计算图中所示电路的值。
设均为理想运算放大器。
5.设图中的均为理想运算放大器，写出输出电压的表达式。
6.写出图中电路工作在t秒后的表达式。
设为稳定直流电压，V，运算放大器都是理想的。
7.图示电路中，均为理想运算放大器，电容器上的初始电压为零。
（1）各组成何种基本应用电路
（2）列出与输入电压的关系式。
8.试用两个集成运算放大器设计一个电路，使其输出电压与输入电压之间满足下列关系：
。
可供选用的电容种类有1000pF,10uF;电阻种类有，10k,20k,100k,1M。
9.设图9-1中的运算放大器都是理想的，输入电压的波形如图9-2所示,电容器上的初始电压为零，试画出的波形。
10.设图中的都是理想运算放大器。
（1）说明各组成何种电路；
（2）写出的表达式，电容上的初始电压设为零。
11．测量放大电路如图所示，均为理想运算放大器。
若，试分别求对输入信号的函数关系。
12．试写出图中电路的输出电压的表达式。
设均为理想运算放大器，。
13.设图中各运算放大器均具有理想的特性，问：
（1）各个运放分别构成什么电路
（2）输出电压与各输入电压是什么关系
14．已知图中的集成运放都是理想运算放大器，求输出电压。
15.增益可调的同相串联型差动运算放大电路如图所示。
设均为理想运算放大器，求：
（1）当没有接入时，与的关系式；
（2）接入后，和的表达式。
16.电路如图所示，试写出当时负载电流的表达式。
设均为理想运算放大器。
17.设图中所示电路中，运算放大器是理想的，，。
试计算下列各值：
（1）当时，＝
（2）要使时，维持在0V，则＝（设电容器两端的初始电压）
（3）设t＝0时V，求t＝2s时＝
18.如图所示电路中，均为理想运算放大器，输入电压均自t＝0时接入，求的表达式。
设t＝0时电容器上的电压。
19.电路如图所示，设运算放大器都是理想的，求输出电压与输入电压之间的传递函数。
20.用图中所示电路可以模拟微分方程。
试求微分方程的系数A和B。
设所用的运算放大器都具有理想的特性。
信号产生电路试题
1．（12分）
根据相位平衡条件判断下列各电路能否产生自激振荡（要求在电路上标出瞬时极性），若能，写出振荡频率表达式。
2．（12分）
根据相位平衡条件判断下列各电路能否产生自激振荡（要求在图上标出瞬时极性符号），各图中标明C1的电容为耦合电容或旁路电容。
（1）图（a）、（b）电路若可振荡，试说明理由并写出其振荡频率的表达式；若不能振荡，请修改成能振荡的电路。
（2）图（c）电路中当Rs＝1kΩ，Rf取何值时才能使电路起振，写出振荡频率的表达式。
3．（10分）
图示是用运算放大器构成的音频信号发生器的简化电路。
问：
大致调到多大才能起振
为双联电位器，可从0调到Ω,是求震荡频率的调节范围。
0．01μ
∞
3．3K
R1
1k
2k
Rf2
Rf1
R
R
R
∞
Vo
+
-
4．（10分）
图（a）所示RC串并联正弦振荡电路接好后，不能振荡
请找出图中的错误并在图中加以改正。
改正后的电路如振荡频率f0=480HZ，试确定R的值（其中C=μF）。
若将负反馈支路上的电阻R1改为可稳幅的热敏电阻，问R1应有怎样的温度系数
利用相位平衡条件判断图（b）电路能否产生振荡（标出瞬时极性），如能，求振荡频率（其中C1=C2=47pF，L=）。
5．（12分）
一正弦波振荡电路如下图所示，已知Vcc=15v,R=Ω,C=μ
求：
（1）该电路的振荡频率fo=
（2）Rt应该具有正的温度系数还是负的温度系数
（3）理想情况下，电路的最大输出功率Pomax是多少
（4）晶体管最大允许功耗是多少
填空、选择试题
一、二极管、BJT、FET、基本放大电路
1、选择正确答案填入空内
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽
（2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是。
A.ISeUB.C.
（3）稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
（6）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，其中多少载流子是，少数载流子是；加入元素可形成P型半导体，其中多少载流子是，少数载流子是。
A.五价B.四价C.三价D.自由电子E.空穴
（7）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
（8）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A.83B.91C.100
（9）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小
（10）已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R，其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
①该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈；
②当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将；
A.减小B.不变C.增大
③在＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将；
A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波
④若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
减小减小减小
2、写出图2所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压VD＝。
图2
3．已知稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。
求图3所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
图3
4．电路如图4所示，VCC＝15V，β＝100，VBE＝。
试问：
（1）Rb＝50kΩ时，vO＝
（2）若T临界饱和，则Rb≈
图4
5．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。
表
管号
VGS（th）/V
VS/V
VG/V
VD/V
工作状态
T1
4
－5
1
3
T2
－4
3
3
10
T3
－4
6
0
5
6．电路如图6所示，已知vi＝5sinωt（V），二极管导通电压VD＝。
试画出vi与vO的波形，并标出幅值。
图6
7．电路如图7（a）所示，其输入电压vI1和vI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压VD＝。
试画出输出电压vO的波形，并标出幅值。
图7
8．现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为。
试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值各为多少
（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少
9．已知稳压管的稳定电压VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
图9
10．已知图10所示电路中稳压管的稳定电压VZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算VI为10V、15V、35V三种情况下输出电压VO的值；
（2）若VI＝35V时负载开路，则会出现什么现象为什么
Vo
图10
11．电路如图11（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压VZ＝3V，R的取值合适，vI的波形如图（c）所示。
试分别画出vO1和vO2的波形。
vI
vovI
vo
图11
12．有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子为什么
13．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图13所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图13
14．测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图14
15．电路如图15所示，晶体管导通时VBE＝，β=50。
试分析VBB为0V、1V、三种情况下T的工作状态及输出电压vO的值。
16．电路如图所示，晶体管的β＝50，|VBE|＝，饱和管压降|VCES|＝；稳压管的稳定电压VZ＝5V，正向导通电压VD＝。
试问：
当vI＝0V时vO＝当vI＝－5V时vO＝
vo
vI
图15图16
17．已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。
图17
18．分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图18
二、功率放大电路
1、选择合适的答案，填入空内。
（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。
A．交流功率B．直流功率C．平均功率
（2）功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
（3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为。
A．1WB．C．
（4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有。
A．βB．ICMC．ICBO
D．BUCEOE．PCMF．fT
（5）若下图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│UCES│，则最大输出功率POM＝。
A．B．C．
三、集成运算放大器
1、集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数B.可使温漂小
C．集成工艺难于制造大容量电容
2、通用型集成运放适用于放大。
A．高频信号B.低频信号
C.任何频率信号
3、集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响
C．参数一致性好
4、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂B.增大放大倍数
C.提高输入电阻
5、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路B.共集放大电路
C．共基放大电路
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