专业技术职务任职资格评审表教师 工程 实验系列文档格式.docx
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专业技术10级
参加工作时间
身体状况
良好
最高学历
毕业时间
学校
专业/学科
学制
学位
博士研究生
2008.12
西安电子科技大学
微电子学与固体电子学
三年
博士
现从事专业（二级学科及研究方向）
二级学科：
微电子学与固体电子学；
研究方向：
高速/高性能半导体材料与器件
业绩简况
教学
工作
每年主讲1门本科生课程。
年均教学工作量187.1学时。
论文
与论著
第1作者：
发表学术论文16篇（其中核心期刊10篇，会议论文6篇），SCI检索7篇，EI检索6篇。
出版专著（教材）__部，个人编写___万字。
科研
项目
主持科研项（其中纵向项），到校经费万元（其中纵向万元），不含校内科研项目。
作为主要成员（排名前3）参加6项，个人可支配到校经费107万元。
获奖
与专利
获国家奖等项；
获省部级奖等项。
（如获奖1项以上，可按此格式续添）
申请国家专利（排名前3）3项，其中授权专利（排名前3）项。
二、个人经历
2.1工作经历
工作起止时间
工作单位
从事何种专业技术工作
职务
2009.04-至今
西安电子科技大学微电子学院
2.2教育经历（从大学填起）
学习起止时间
毕业院校
专业
学历
学位
1997.09~2001.07
太原理工大学
材料学
本科
学士
2002.07~2005.03
研究生
硕士
2005.09~2008.12
2.3国内培训及进修经历
培训起止时间
参加何种培训（进修）
取得何种证书
证明人
2.4国（境）外研修经历
研修起止时间
国家（地区）
研修单位
研修身份
派出方式
2.5国内外学术团体任职及社会兼职经历（填写主要任职及兼职）
起止时间
学术团体名称、社会兼职单位名称
三、个人总结（请填写任现职以来德、能、勤、绩等方面的情况，限800字）
本人坚持四项基本原则，拥护改革开放，要求自己严格，团结同志，关心集体，积极参加校、院、系等各级组织的各项公益活动（如冬季长跑比赛、唱红歌比赛、学院组织的本科生创新实践等），积极上进，工作认真负责，任劳任怨，重视专业理论知识学习，业务熟练，圆满地完成了本人所承担的各项教学、科研等工作任务。
1、教学任务：
主讲本科生“量子力学”课程，计193.7学时工作量。
该课程内容抽象、理论性强，学生不易理解。
为此，我做了充分的准备，不仅备课认真细致，还抽出时间加强对学生的辅导，帮助他们消化吸收课堂内容。
2、指导毕业设计：
2010年和2011年共指导本科生毕业设计10人，计180.5学时。
在指导本科生毕业设计过程中，严格要求自己，也严格要求学生，认真负责，圆满完成了设定课题。
3、协助指导硕士生、博士生的科研课题，协助筹建学科专业实验室，积极参与筹备电力电子硕士点专业实验室的建设工作。
4、参与纵向科研项目6项：
（1）硅基应变集成器件应力引入方法及机理（本人排名2）；
（2）硅基应变集成器件性能增强机理（本人排名2）；
（3）应变SiCMOS关键技术研究（本人排名3）；
（4）硅基应变器件模型与参数提取（本人排名3）；
（5）高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（本人排名2）；
（6）基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（本人排名2）。
5、论文情况：
任职以来，共发表第一作者论文16篇，其中7篇被SCI检索，6篇被EI检索。
以第一发明人身份，申请国家发明专利3项。
获国家发明专利5项（排名：
第四，3项；
第五、第六，各1项）。
四、任现职以来教学工作情况
4.1本科生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次者在班级/班次中注明次数）
讲授课程名称
课程性质
（必、限、任）
班级（班次）
主讲/
辅导
学时
备注
2010.03~2010.06
量子力学
必
140811
主讲
46
2010.09~2011.01
140911/140912
140991
审核意见
审核人签名：
年月日
4.2本科生实践教学（指导毕业设计等）
实践教学内容
班级
人数
教学工作量（学时）
2010.01~2010.06
本科生毕业设计
140622
3
47.5
2011.01~2011.06
140710/140721/140722
7
133
4.3研究生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次在班级/班次中注明次数）
（学位、选修）
班级/班次
4.4指导研究生情况
指导研究生类型及班级
指导人数
4.5任现职以来年均教学工作量
总教学工作量
374.2
任职年限
2
年均教学工作量
187.1
核算人签名：
4.6公开出版教材情况
教材名称
出版
单位
时间
性质
（统编、出版、讲义）
本人编写字数
总
字数
印数
4.7公开发表教学改革论文情况
题目
发表刊物（或会议交流）
发表时间
获奖情况
4.8教学获奖情况
获奖项目
获奖级别与等级
获奖时间
本人作用、排名
4.9指导青年教师及进修人员情况（限200字）
4.10对教研室、实验室建设的贡献（限200字）
本人积极参与筹备专业实验室的建设工作，协助制定了电力电子硕士研究生的专业实验计划、实验内容及实验方案。
协助指导课题组硕士生、博士生的课题，为教研室、实验室的建设作出了贡献。
4.11教学情况审核意见
学院
签名：
_________
教务处
研究生院
五、任现职以来承担科研任务情况
5.1纵向科研任务
5.1.1主持纵向科研项目
序号
项目名称及校内编号
项目
来源
起止
经费
到校
完成情况
总人数
经费小计
----
5.1.2参加纵向科研项目
个人支
配经费
完成情况
排名/总人数
课题组长
签名
1
硅基应变集成器件应力引入方法及机理（Z010*******）
国家部委
2009.01~2012.12
178.5万
149万
40万
在研
2/8
硅基应变集成器件性能增强机理（Z010*******）
110.5万
98.25万
30万
应变SiCMOS关键技术研究（Y157********）
2006.1~2010.12
300万
结题
3/6
4
硅基应变器件模型与参数提取（Z010*******）
76.5万
20.5万
4.0万
3/8
5
高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（F010*******）
陕西省自然科学基础研究计划资助项目
2010.1~2012.12
2.0万
2/6
6
基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（ZZ0303072517）
2007.05~2010.04
5.32万
4.32万
1.0万
2/5
674.82万
576.07万
107万
5.2横向科研任务
5.2.1主持横向科研项目
委托方
5.2.2参加横向科研项目
5.3校内科研项目（包括校基本业务科研经费、各类校内基金项目等）
5.3.1主持校内科研项目
单轴应变Si能带结构及载流子迁移率研究（72105499）
教育部中央高校基本科研业务费
2009.9~2011.8
6.0万
5.3.2参加校内科研项目
应变MOS器件可靠性研究（72104089）
2009.9~2011.8
3.0万
2/4
5.4发表学术论文情况（按国际刊物、国内刊物、会议论文依次填写）
5.4.1国际刊物
论文题目
发表刊物或
收入会议录名称
发表年月
及卷期号
排名/
作者人数
SCI/EI/ISTP
检索号码
IntrinsiccarrierconcentrationinstrainedSi1-xGex/（101）SiMaterials
ModelofDOSneartheTopofValenceBandinStrainedSi1-xGex/（001）Si
ElectronMobilityModelforStrained-Si/（001）Si1-xGex
MaterialsScienceForum
AppliedMechanicsandMaterials
2011,Vols.663-665pp470-472
2011,Vols.55-57pp979-982
2011,Vols.663-665pp477-480
1/5
3/5
EI:
20105013481108
EI检索源期刊
20105013481110
5.4.2国内刊物
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Calculationofbandstructurein（101）biaxiallystrainedSi
ValencebandstructureofstrainedSi/（111）Si1-xGex
应变Si/（001）Si1-xGex空穴有效质量各向异性
应变Si1-xGex能带结构研究
应变Si/（001）Si1-xGex本征载流子浓度模型
应变Si1-xGex/（111）Si空穴有效质量模型
不同晶系应变Si状态密度研究
CalculationofbandedgelevelsofstrainedSi/（111）Si1-xGex
应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型
含有本征SiGe层的SiGeHBT集电结耗尽层宽度模型
HoleeffectivemassinstrainedSi（111）
漏致势垒降低效应对短沟道应变硅MOSFET阈值电压的影响
（001）面任意方向单轴应变硅材料能带结构
Impactof[110]/（001）uniaxialstressonthevalencebandstructureandeffectivemassofsilicon
应变SiPMOSFET电流特性研究
GaN基MFS结构C-V特性研究
ScienceInChina（G）
物理学报
ChineseJournalofSemiconductors
电子器件
2009,52（4）:
546~550
2010,53（3）:
454~457
2009年58卷第7期
2009年58卷第11期
2010年59卷第3期
2010年59卷第1期
2011年60卷第4期
2010,31
（1）:
012001-3
2011年60卷第1期
2011,54
（2）:
450~452
2011年60卷第2期
2011年32卷第2期
2010,33（4）:
438~441
2010,33（6）:
684~686
5/5
4/7
4/5
4/6
SCI:
000264844400008;
20091612032639
000276661700015;
20102312992005
000268263700091
000271835200087
000276004500100
000274219100093
000289863100092
20100612693529
000268263700089
000287419100092
000289006600012
20100123456789
000287947000082
000287947000081
20110813679115
5.4.3国际会议
20
21
22
23
24
25
StudyonHoleEffectiveMassofStrainedSi1-xGex/（101）Si
ModelofholescatteringofstrainedSi（101）
ModelofelectronscatteringofstrainedSi/Si1-xGex（100）
ExperimentalstudyonpenetrationdepthofRamanspectroscopyinstrainedSi
ThecalculationofElectronMobilityforStrained-Si（101）
AnalyticalModelforHoleMobilityin（001）-biaxiallyStrainedSi
IEEEInternationalConferenceonElectronDevicesandSolidState
IEEEICISE
IEEEICPST
IEEEInternationalAsiaConferenceonOpticalInstrumentandMeasurement
IEEEICCCI
IEEEICEICE
2009年12月25
2010年12月
2010年11月
2011年4月
1/4
1/7
20101212789814
20110913705660
EI检索源会议
5.5出版学术著作情况（不含教材）
书名
出版单位
出版时间
总字数
情况
5.6科研获奖情况
项目名称
获奖名称
及等级
本人排名/
证书编号
5.7专利情况
专利名称
类型（发明/实用新型/外观设计）
授权/申请
专利授权/
申请号
所有发明人姓名
（按排序）
一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构
多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOInMOSFET器件结构
异质金属堆叠栅SSGOIpMOSFET器件结构
SiN掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法
一种SiO2掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法
基于SiN/SiO2掩蔽技术的纳米级CMOS集成电路制备方法
三维量子阱CMOS集成集成器件及其制作方法
基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法
发明
2011年
2009年
专利申请号：
201110126735.5
201110134448.9
201110141775.7
专利授权号：
ZL2008101509367
ZL2008101509348
ZL2008101509329
ZL2008102324476
ZL2
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