专业技术职务任职资格评审表教师 工程 实验系列文档格式.docx

1、专业技术10级参加工作时间身体状况良好最高学历毕业时间学 校专 业/学科学 制学 位博士研究生2008.12西安电子科技大学微电子学与固体电子学三年博士现从事专业（二级学科及研究方向）二级学科：微电子学与固体电子学；研究方向：高速/高性能半导体材料与器件业绩简况教学工作每年主讲 1 门本科生课程。年均教学工作量187.1学时。论文与论著第1作者：发表学术论文16篇（其中核心期刊10篇，会议论文 6 篇），SCI检索 7 篇，EI检索 6 篇。出版专著（教材）_部，个人编写_万字。科研项目主持科研 项（其中纵向 项），到校经费 万元（其中纵向 万元），不含校内科研项目。作为主要成员（排名前3）参

2、加6项，个人可支配到校经费107万元。获奖与专利获国家 奖 等 项；获省部级 奖 等 项。（如获奖1项以上，可按此格式续添）申请国家专利（排名前3） 3 项，其中授权专利（排名前3） 项。二、个人经历2.1 工作经历工作起止时间工作单位从事何种专业技术工作职务2009.04-至今西安电子科技大学微电子学院2.2 教育经历（从大学填起）学习起止时间毕业院校专业学历学位1997.092001.07太原理工大学材料学本科学士2002.072005.03研究生硕士2005.092008.122.3 国内培训及进修经历培训起止时间参加何种培训（进修）取得何种证书证明人2.4 国（境）外研修经历研修起止时

3、间国家（地区）研修单位研修身份派出方式2.5国内外学术团体任职及社会兼职经历（填写主要任职及兼职）起止时间学术团体名称、社会兼职单位名称三、个人总结（请填写任现职以来德、能、勤、绩等方面的情况，限800字）本人坚持四项基本原则，拥护改革开放，要求自己严格，团结同志，关心集体，积极参加校、院、系等各级组织的各项公益活动（如冬季长跑比赛、唱红歌比赛、学院组织的本科生创新实践等），积极上进，工作认真负责，任劳任怨，重视专业理论知识学习，业务熟练，圆满地完成了本人所承担的各项教学、科研等工作任务。1、教学任务：主讲本科生“量子力学”课程，计193.7学时工作量。该课程内容抽象、理论性强，学生不易理解。

4、为此，我做了充分的准备，不仅备课认真细致，还抽出时间加强对学生的辅导，帮助他们消化吸收课堂内容。2、指导毕业设计：2010年和2011年共指导本科生毕业设计10人，计180.5学时。在指导本科生毕业设计过程中，严格要求自己，也严格要求学生，认真负责，圆满完成了设定课题。3、协助指导硕士生、博士生的科研课题，协助筹建学科专业实验室，积极参与筹备电力电子硕士点专业实验室的建设工作。4、参与纵向科研项目6项：（1）硅基应变集成器件应力引入方法及机理（本人排名2）；（2）硅基应变集成器件性能增强机理（本人排名2）；（3）应变Si CMOS关键技术研究（本人排名3）；（4）硅基应变器件模型与参数提取（本

5、人排名3）；（5）高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（本人排名2）；（6）基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（本人排名2）。5、论文情况：任职以来，共发表第一作者论文16篇，其中7篇被SCI检索，6篇被EI检索。以第一发明人身份，申请国家发明专利3项。获国家发明专利5项（排名：第四，3项；第五、第六，各1项）。四、任现职以来教学工作情况4.1 本科生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次者在班级/班次中注明次数）讲授课程名称课程性质（必、限、任）班级（班次）主讲/辅导学时备注2010.032010.06量子力学必140811主讲462010.092011.01140

6、911/140912140991审核意见审核人签名： 年 月 日4.2 本科生实践教学（指导毕业设计等）实践教学内容班级人数教学工作量（学时）2010.012010.06本科生毕业设计140622347.52011.012011.06140710/140721/14072271334.3 研究生课堂教学（同一课程填写一行，主讲/辅导超过一次在班级/班次中注明次数）（学位、选修）班级/班次4.4 指导研究生情况指导研究生类型及班级指导人数4.5 任现职以来年均教学工作量总教学工作量374.2任职年限2年均教学工作量187.1核算人签名：4.6 公开出版教材情况教材名称出版单位时间性质（统编、出版

7、、讲义）本人编写字数总字数印数4.7 公开发表教学改革论文情况题 目发表刊物（或会议交流）发表时间获奖情况4.8 教学获奖情况获奖项目获奖级别与等级获奖时间本人作用、排名4.9 指导青年教师及进修人员情况（限200字）4.10 对教研室、实验室建设的贡献（限200字）本人积极参与筹备专业实验室的建设工作，协助制定了电力电子硕士研究生的专业实验计划、实验内容及实验方案。协助指导课题组硕士生、博士生的课题，为教研室、实验室的建设作出了贡献。4.11 教学情况审核意见学院签名：_ 教务处研究生院五、任现职以来承担科研任务情况5.1 纵向科研任务5.1.1 主持纵向科研项目序号项目名称及校内编号项 目

8、来 源起止经费到校完 成 情 况总人数经 费 小 计-5.1.2 参加纵向科研项目个人支配经费完成情况排名/总人数课题组长签名1硅基应变集成器件应力引入方法及机理（Z010*）国家部委2009.012012.12178.5万149万40万在研2/8硅基应变集成器件性能增强机理（Z010*）110.5万98.25万30万应变Si CMOS关键技术研究（Y157*）2006.12010.12300万结题3/64硅基应变器件模型与参数提取（Z010*）76.5万20.5万4.0万3/85高效非晶Si/SiGe薄膜太阳能关键技术研究（F010*）陕西省自然科学基础研究计划资助项目2010.12012.

9、122.0万2/66基于MEMS弱电压信号的拾取电路设计技术研究（ZZ0303072517）2007.052010.045.32万4.32万1.0万2/5674.82万576.07万107万5.2 横向科研任务5.2.1 主持横向科研项目委托方5.2.2 参加横向科研项目5.3 校内科研项目（包括校基本业务科研经费、各类校内基金项目等）5.3.1 主持校内科研项目单轴应变Si能带结构及载流子迁移率研究（72105499）教育部中央高校基本科研业务费2009.92011.86.0万5.3.2 参加校内科研项目应变MOS器件可靠性研究（72104089）2009.92011. 83.0万2/45.

10、4 发表学术论文情况（按国际刊物、国内刊物、会议论文依次填写）5.4.1 国际刊物论文题目发表刊物或收入会议录名称发表年月及卷期号排名/作者人数SCI/EI/ISTP检索号码Intrinsic carrier concentration in strained Si1-xGex/（101）Si MaterialsModel of DOS near the Top of Valence Band in Strained Si1-xGex/（001）SiElectron Mobility Model for Strained-Si/（001）Si1-xGexMaterials Science Fo

11、rumApplied Mechanics and Materials2011, Vols. 663-665 pp 470-4722011, Vols. 55-57 pp 979-9822011, Vols. 663-665 pp 477-4801/53/5EI:20105013481108EI检索源期刊201050134811105.4.2 国内刊物8910111213141516171819Calculation of band structure in （101） biaxially strained SiValence band structure of strained Si/（111

12、） Si1-xGex应变Si/（001）Si1-xGex空穴有效质量各向异性应变Si1-xGex能带结构研究应变Si/（001）Si1-xGex本征载流子浓度模型应变Si1-xGex/（111）Si空穴有效质量模型不同晶系应变Si状态密度研究Calculation of band edge levels of strained Si/（111）Si1-xGex应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型含有本征SiGe层的SiGe HBT集电结耗尽层宽度模型Hole effective mass in strained Si （111）漏致势垒降低效应对短沟道应变硅MOSFET阈值电压的影响（001

13、）面任意方向单轴应变硅材料能带结构Impact of 110/（001） uniaxial stress on the valence band structure and effective mass of silicon应变Si PMOSFET电流特性研究GaN基MFS结构C-V特性研究Science In China（G）物理学报Chinese Journal of Semiconductors电子器件2009,52（4）: 5465502010,53（3）: 4544572009年58卷第7期2009年58卷第11期2010年59卷第3期2010年59卷第1期2011年60卷第4期20

14、10, 31（1）: 012001-32011年60卷第1期2011, 54（2）: 4504522011年60卷第2期2011年32卷第2期2010,33（4）:4384412010, 33（6）: 6846865/54/74/54/6SCI:000264844400008;20091612032639000276661700015;20102312992005000268263700091000271835200087000276004500100000274219100093000289863100092201006126935290002682637000890002874191000

15、9200028900660001220100123456789000287947000082000287947000081201108136791155.4.3 国际会议202122232425Study on Hole Effective Mass of Strained Si1-xGex/（101） SiModel of hole scattering of strained Si （101）Model of electron scattering of strained Si/Si1-xGex（100）Experimental study on penetration depth of

16、Raman spectroscopy in strained SiThe calculation of Electron Mobility for Strained-Si （101）Analytical Model for Hole Mobility in （001）-biaxially Strained SiIEEE International Conference on Electron Devices and Solid StateIEEE ICISEIEEE ICPSTIEEE International Asia Conference on Optical Instrument an

17、d MeasurementIEEE ICCCIIEEE ICEICE2009年12月252010年12月2010年11月2011年4月1/41/72010121278981420110913705660EI检索源会议5.5 出版学术著作情况（不含教材）书 名出版单位出版时间总字数情况5.6 科研获奖情况项目名称获奖名称及等级本人排名/证书编号5.7 专利情况专利名称类型（发明/实用新型/外观设计）授权/申请专利授权/申请号所有发明人姓名（按排序）一种垂直交叉堆叠栅应变SiGeC量子阱沟道CMOS器件结构多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOI nMOSFET器件结构异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构SiN掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法一种SiO2掩蔽技术制备纳米级CMOS集成电路的方法基于SiN/ SiO2掩蔽技术的纳米级CMOS集成电路制备方法三维量子阱CMOS集成集成器件及其制作方法基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法发明2011年2009年专利申请号：201110126735.5201110134448.9201110141775.7专利授权号：ZL2008101509367ZL2008101509348ZL2008101509329ZL2008102324476ZL2