模电13章课后习题Word文档格式.docx

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10.某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100倍，上限频率fH＝2×

106Hz，下限频率fL＝20Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为37dB。

11.在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

12.放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。

13.在三极管多级放大电路中，已知AV1＝20，AV2＝-10，AV3＝1，AV1是共基放大器，AV2是共射放大器，AV3是共集放大器。

14.射极输出器的主要特点是：

电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小。

15.半导体中有自由电子和空穴两种载流子。

本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。

16．温度升高，本征载流子浓度增加；

杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度基本不变。

17.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质。

18.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

19.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动。

21.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

22.BJT所代表的电气元件是双极结型晶体管。

23.三极管的三个工作区域分别是饱和区、线性放大区和截止区。

24.静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央。

25.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和金属－氧化物－半导体场效应管两类。

26.MOSFET所代表的电气元件是金属－氧化物－半导体场效应管。

27.共集电极电路又被称为电压跟随器；

共基极电路又被称为电流跟随器。

28.静态工作点Q点选得过低会导致截止失真；

Q点选得过高会导致饱和失真。

29.三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；

另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

30.对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。

31.在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是共射极放大电路；

仅具有电压放大作用的电路是共集电极电路；

仅具有电流放大作用的电路是共基极电路。

32.场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

33.稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；

反向截止；

反向击穿）。

34.半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件。

35.射极输出器的主要特点是：

电压放大倍数近似为1；

输入电阻很大；

输出电阻很小。

36.多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的之积。

37.将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变窄了。

38.半功率点指的是在输入信号幅值不变的的条件下，增益下降3dB的频率点，即与中频段相比输出电压下降0.707倍。

39.JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；

而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

40.对于下图所示电路，设VCC=12V，Rb=510kΩ，Rc=8kΩ，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当β=50，静态电流IBQ=22μA，ICQ=1.1mA，管压降VCEQ=3.2V；

若换上一个当β=80，静态电流IBQ=22μA，ICQ=1.46mA，管压降VCEQ=0.3V，三级管工作在饱和状态。

41.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管β=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb=282.5kΩ，RC=4kΩ。

42.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27kΩ，Rc=2kΩ,Re=1kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2=12kΩ。

43.已知图示的放大电路中的三级管β=40，VBE=0.7V，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ=0.275mA，ICQ=11mA，管压降VCEQ=3V。

44.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出钵形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的ICBO、VBE和β三个参数的变化，引起工作点上移；

输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

25.在下图所示的电路中，采用稳压管进行温度补偿，那么对稳压管的电压温度系数的要求是正温度系数。

26.对于共射、共集和共基三种基本阻态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用共射、共基；

若希望带负载能力强，应选用共集阻态；

若希望从信号源索取的电流小，应选用共集阻态；

若希望高频性能好，应选用共基阻态。

27.电路如下图（每空1分）。

（a）.指出各基本电路环节的组成元件：

调压环节（），比较放大环节（），基准电压环节（），采样环节（）。

（b）.电容C1的端电压约为（）V。

（c）.若电位器R2滑动端置于最下端时Vo=15V，则R2=（）Ω。

二、选择

1.由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（B）。

A、UAB＝－12VB、UAB＝－6VC、UAB＝＋6VD、UAB＝＋12V

2.由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（C）。

A、I＝2mAB、I＝0mAC、I＝1.5mAD、I＝－1.5mA

3.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（A）。

A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

4.测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC＝12V，UB＝1.8V和UE＝0V，则该管是处于（D）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、已损坏

5.有人选用最大允许集电极电流ICM＝20mA，最大允许电压UCEO＝20V，集电极最大允许耗散功率PCM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC＝15mA，UCE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（D）。

A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏

6.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（C）。

A、10kΩB、2kΩC、1kΩD、0.5kΩ

7.放大电路如图所示，如UCC>

>

UBE，且ICEO≈0，则在静态时，该三极管工作的状态是（B）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不定

8.放大电路如图所示，三极管β＝50，电压增益为A1，如果用β＝100的管子替换β＝50的管子，这时电压增益为A2，则满足（C）。

A、A2=A1B、A2=2A1C、|A1|<

|A2|<

|2A1|D、|A2|<

|A1|

9.电路如图所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（C）。

A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。

B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。

C、不影响静态工作点，只影响电压增益。

D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。

10．两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（D）。

A、A1+A2B、A1×

A2C、>

|A1×

A2|D、<

A2|

11.场效应管本质上是一个（C）。

A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件

C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件

12．N沟道JFET的跨导gm是（C）。

A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大

C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小

13．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（）。

A、P沟道增强型MOSFETB、P沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET

14．已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（D）。

A、P沟道增强型MOSFETB、N沟道JFET

C、P沟道耗尽型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET

15．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（B）。

A、0.6V；

0.6VB、0.6V；

0.1VC、0.1V；

0.6VD、0.1V；

0.1V

16．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（A）。

A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

17．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（D）。

A、自由电子B、空穴C、硼元素D、磷元素

18.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（D）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、倒置状态

19.电路如图所示，若更换晶体管，使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（C）。

A、约为原来的一半B、基本不变

C、约为原来的2倍D、约为原来的4倍

20.当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（B）。

A、增大集电极电阻RCB、改换β大的晶体管

C、减小基极偏置电阻RBD、增大基极偏置电阻RB

21.温度上升时，半导体三极管的（A）。

A、β和ICBO增大，uBE减小B、β和uBE增大，ICBO减小

C、uBE和ICBO增大，β减小D、β、uBE和ICBO均增大

22.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>

1的只可能是（D）。

A、共集电极放大电路B、共基极放大电路

C、共漏极放大电路D、共射极放大电路

23.在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别是（C）时，该电路的静态工作点处在放大区。

设三极管的β=100。

A．5.6kΩ、10kΩB.5.6kΩ、510Ω

C．5.6kΩ、1MΩD.100kΩ、1MΩ

1.2.3.4.5.6.7.8题的图

24.已知下图所示放大电路中的Rb=100kΩ，Rc=1.5kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于（b）。

A．放大状态B.饱和状态

C．截止状态D.状态不定

25.在下图所示放大电路中，集电极电阻Rc的作用是（c）。

A．放大电流B.调节IBQ

C．防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节ICQ

26.对于下图所示的放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为（a）；

当测得UCE≈0时，有可能是因为（d）。

A．Rb开路B.RＬ短路

C．Rc开路D.Rb过小

27．对于图示放大电路，若VCC＝12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA,今用直流电压表测得UCE＝8V，这说明（d）。

A．工作正常B.三极管c-e极间开路

C．三极管b-e极间短路D.电容C2短路

28.对于图示电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；

仅当Rc减小时，UCEQ将（a）；

仅当RL增加时，UCEQ将（c）；

仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（a）。

A．增大B.减小

C．不变D.不定

29.在图示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是（b）；

若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb后，失真消失了，这失真必是（a）。

A．截止失真B.饱和失真

C．双重失真D.交越失真

30.对于图示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管IBQ（a），ICQ（a），UCEQ（b）。

C．不变（或基本不变）D.不定

31.在图示射极偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于（b）。

　　9.10.11.12图

32.对于图示放大电路，若仅当Rb增加时，UCEQ将（a）；

仅当β减小（换三极管）时，UCEQ将（c）。

33.在图示射极偏置电路中，其静态工作点靠近截止区，当除去旁路电容Ce后，该电路的最大不失真输出电压幅值

（c），放大倍数

（b）。

输入电阻

（a），输出电阻

（c）；

若仅是

增大，则

（a），

（c），

（c）。

34.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（c），而少数载流子的浓度则与（a）有很大关系。

A．温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

35.当PN结外加正向电压时，扩散电流（a）漂移电流，耗尽层（e），当PN结外加反向电压时，扩散电流（b）漂移电流，耗尽层（d）。

A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变

36.为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低输入电阻的放大电路）很好地配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入（b）；

为了把一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电压源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路后面接入（c）。

A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.任何一种组态的电路

37.在单极放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共射电路时，则vo和vi的相位（b），当为共集电路时，则vo和vi的相位（a），当为共基电路时，则vo和vi的相位（a）。

A.相同B.相反C.相差90°

D.不定

38.既能放大电压，也能放大电流的是（a）组态放大电路；

可以放大电压，但不能放大电流的是（c）组态放大电路；

只能放大电流，但不能放大电压的是（b）组态放大电路。

A.共射B.共集C.共基D.不定

39.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（b）组态；

输入电阻最大的是（b）组态，最小的是（c）组态；

输出电阻最大的是（c）组态，最小的是（a）组态。

40.某共射放大电路如图所示，其中Rb=470KΩ，Rc=2KΩ，若已知IC=1mA，VCE=7V，VBE=0.7V，rbe=1.6KΩ，β=50，则说明（d）。

A.

B.

C.

D.

41.为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，可以在信号源于低内阻负载间接入（c）。

A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共集-共基串联电路

4.在考虑放大电路的频率失真时，若vi为正弦波，则vo（d）。

A.有可能产生相位失真B.有可能产生幅度失真和相位失真

C.一定会产生非线性失真D.不会产生线性失真

42.某电路有用信号频率为2kHz，可选用（c）。

A.低通滤波器B.高通滤波器C.带通滤波器D.带阻滤波器

43.下图示电路出现故障，经测量得知VE=0，VC=VCC，故障的可能原因是（d）。

A.RC开路B.RC短路C.Re短路D.Rb1开路

44.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（d）。

A.处于放大区域B.处于饱和区域

C.处于截止区域D.已损坏

45.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ负载后，其输出电压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（c）。

A.10kΩB.2kΩC.1kΩD.0.5kΩ

46.某放大电路如图所示，设VCC>

VBE，ICEO近似为0，则在静态时该三极管处于（b）。

A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域D.不定

简答题：

1.请写出BJT和FET组成的放大电路的六种组态，并将该六种组态与反相电压放大器、电压跟随器以及电流跟随器三种组态相对应。

BJT放大电路的组态：

共射极（CE）、共集电极（CC）和共基极（CB）

FET放大电路的组态：

共源极（CS）、共漏极（CD）和共栅极（CG）

反相电压放大器：

CE和CS；

电压跟随器：

CC和CD；

电流跟随器：

CB和CG

2.写出下面电路的名称并以VI恒定而RL减小情况为例叙述其工作原理。

该电路是并联式稳压电路。

电路中DZ为稳压管，R为限流电阻，它的作用是使电路有个合适的工作状态，并限定电路的工作电流。

负载RL与稳压管并联，因而称为并联式稳压管电路。

这种稳压管之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流IZ有较大幅度的变化

△IZ时，而稳定电压的变化△VZ却很小。

这样，当VI或RL变化时，电路能自动的调整IZ的大小，以改变R上的压降IRR，达到维持输出电压VO（VZ）基本恒定的目的。

例如：

当RL不变，VI变化时，VI↑→VO↑→IZ↑→IR↑→VR↑→VO↓。

当VI不变，RL变小时，RL↓→IO↑→IR↑→VO↓→IZ↓→IR↓→VO↑。

3.下图所示的为MOSFET的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。

如果是增强型，说明它的开启电压VT＝？

如果是耗尽型，说明它的夹断电压VP＝？

（图中iD的假定正向为流进漏极）

该FET为N沟道耗尽型MOSFET，其VP＝—3V；

该FET为P沟道增强型MOSFET，其VT＝－4V。

4.解释名词零点漂移并叙述差分式电路抑制零点漂移的工作原理。

零点漂移：

就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离原来的起始点而上下浮动。

在差分式电路中，无论是温度变化，还是电源电压的波动都会引起两管集电极电流以及相应的集电极电压的相同变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号，由于电路的对称性和恒流源偏置，在理想的情况下，可使输出电压不变，从而抑制了零点漂移。

5.简述BJT内部载流子电流分配及放大作用。

以NPN型BJT为例，为使发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是：

发射结加正向电压，集电结加反向电压，在这些外加电压的条件下，管内载流子的传输将发生下列过程：

（1）发射区向基区注入电子

6.简述PN结的形成过程及其单向导电性原理。

7.写出下面电路的名称并叙述其稳定静态工作点的物理过程。

该电路的名称是分压式偏置电路或射极偏置电路，该电路具有稳定静态工作点的作用，其稳定静态工作点的物理过程为T↑→IC↑→IE↑→IERe↑→VBE↓

IC↓←---------------------IB↓

8、简述PN结的单向导电性原理。

9、.说明BJT放大电路的三种基本组态，并任选其一画出电路图和小信号模型等效电路图。

10、简述BJT内部载流子电流分配及放大作用

二、判断

1.判断图中理想二极管的工作状态，并求出AO两端的电压。

D1处于导通状态、D2处于截止状态VAO＝0V。

D1处于截止状态、D2处于导通状态VAO＝－6V。

2.试判断图中的二极管是导通还是截止，为什么？

（假设二极管是理想的）

VA＝1VVB＝1+2.5＝3.5VD处于反向截止状态。

VA＝1VVB＝2.5－1＝1.5VD处于反向截止状态。

VA＝1VVB＝2.5－2＝0.5VD处于正向导通状态。

3.如图ui=2Esinωt，D1、D2为理想二极管，试求D1、D2的工作状态及uo波形。

4.电路如图所示稳压管DZ的稳定电压VZ＝8V，限流电阻R＝3K，设vi=15sinωt，试画出vo的波形。

三、电路分析与计算

1.已知射极偏置电路的元件参数如下图所示且β＝60，求：

（1）用估算公式法求解Q点并画出直流通路图；

（2）用小信号模型分析法求解该放大电路的动态性能指标。

2.电路如图所示，晶体管的β＝100，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5kΩ，RE1＝300Ω，RE2＝1kΩ，RL＝5kΩ。

求：

3.电路如图，设β＝100，试求：

（1）画出直流通路图求Q点；

（2）画出交流小信号模型图求电压增益AV1＝VO1／VS和AV2＝VO2／VS；

（3）输入电阻Ri；

（4）输出电阻Ro1和Ro2。

4.测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA＝-9V，VB＝-6V，VC＝-6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射级e、集电极c、并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

5.某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的电流如图，用万用表直