各厂磁芯材质对照表Word文件下载.docx

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FERROXCUBE

3C85/3C90

3F3

3E28

3B7

3R1

3E4/3C11

3E25/3E27

3E5

3E6

3E7

DMEGC（东磁）

DMR40

R5K

R7K

R10K

TDG（天通）

TP4

TL5

TL7

TL10

TOKIN

B25/BH2

B40

4000H

5000H/5000B

7000H

12001H

FDK（FUJI）

6H20

7H10

2H04/H24B

2H06

2H07

2H10

2H15B

2H15

MAGNETICS

R

K

N

J

W

H

THOMSON

F1

T6/T6A

T4A/T4

MMG-NEOSID

F5A

F9C

FT7/F57

F39

TOMITA

2F8/2G8

2H8

2H5

2F1

2E1/2G1

2E2/2E2B

2H2

2H1

KAWATETSU

MB3

MC1

MA-055

MA-07A

MA-100

MA120

MA150

SAMWHA

PL-7

PL-F1

SM43T

SM-23T

HS1

SM-50

SM-70S

SM-100

SM-150

STEWARD

36

35

37

40

KRYSTINEL

K82

K86

K87

HITACHI

SB-9M

SB-1M

MQ40D

GP-5

GP-9

GP-11/MQ10T

MP10T

MT10T

MP15T

FAIR-RITE

78

83

75

76

FERRITEINT’

TSF-15

FERRONICS

B

T

Powermaterial对照表

Epcos

Ferroxcube

FDK

Hitachi

Tokin

Nicera

川铁

100~300KHz

N87

3C90

ML26D

BH2

NC2H

100KHz更低损

PC44

N97

3C94/96

6H40

BH1

MB4

300~700KHz

3F3/3F35

~1MHz

N59

3F4

7H20

MC2

MinimumPcvat80℃

PC45

6H41

ML25D

MinimumPcvat50℃

PC46

6H42

ML32D

MBT1

HighBs

MB1

100KHz超低损

PC47

Lowlossmaterial（主要应用在100KHz）

3C94

μi

2500±

25﹪

2300±

2400±

2200±

2000±

20﹪

Bs（mT）25℃

100℃

测试条件

480

380

（1KHz,1000A/m）

510

390

（1194A/m）

490

（10Khz,1200A/m）

410

≧450（3000A/m）

≧340（250A/m）

（10Khz）

500

370

（10Khz,800A/m）

Br（mT）

100

95

110

140

Hc（A/m）

8

14.3

13

16

21

15.9

Pc（kw/m3）

25KHz200mT25℃

60℃

100℃

120℃

100KHz200mT25℃

102

55

700

450

120

80

70

85

600

400

300

57

375

45

60

350

65

430

Tc（℃）

220

215

210

230

ρ（Ωm）

5.5

6.5

5

d（g/cm3）

4.8

Lowlossmaterial（主要用在500Khz以上）

N92

3F35

1400±

1500±

900±

470

440

≧330（250A/m）

≧500（3000A/m）

≧450（3000A/m）

≧300（250A/m）

130

18

36.5

38

24

500KHz50mT25℃

80℃

1MHz50mT25℃

250

475

150

200

240

280

6.4

17

2

10

4.7

4.85

4.75

Highμ材质对照表

Tomita

5000μi

5000μi，频宽佳

A05F

5000μi，感值高

A05H

7000μi

H5B2

T35

10000μi

H5C2

NC10H

2E2

10000μi，THD佳

A101

T66

3E55

10TB

10000μi，频宽佳

A102

12000μi

12000μi，改善Tc

A121

15000μi

A15（开发中）

18000μi

3E8

18000H

20000μi

T56

30000μi

H5C5

低温,高μ

2H2A

Highμmaterial（μi10000以下）

3C11

3E4

5000±

7000±

7500±

4300±

6000±

4700±

290

420

（10KHz,1200A/m）

270

340（3000A/m）

180（250A/m）

（10KHz）

400（3000A/m）

210（250A/m）

112

73

7.2

5.6

12

tanδ/μi（*10-6）10KHz

100KHz

＜4

＜15

＜8

＜30

＜3.5

＜6.5

＜2

＜60

＜20

αF（*10-6）0~20℃

20~70℃

0~2

-1~1

0~1.8

125

0.2

0.35

0.15

0.1

0.5

1

4.9

Highμmaterial（μi10000以上）

10000±

12000±

320

260

380（3000A/m）

210（250A/m）

146

109

90

4.4

7

＜10

＜90

＜7

＜25

＜75

-0.5~1.5

-0.5~3

4.95

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资料仅供参考！