直流电机斩波调速控制系统设计任务书文档格式.docx
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1）检测电路设计
2）功能单元电路设计
3）触发电路设计
4）控制电路参数确定
二．设计要求：
1．设计思路清晰，给出整体设计框图；
2．用（UCX637、TL598、TD340、SG3525、TDA1085C）产生脉冲。
3．单元电路设计，给出具体设计思路和电路；
4．分析所有单元电路与总电路的工作原理，并给出必要的波形分析。
5．绘制总电路图
6．写出设计报告；
主要设计条件
1．设计依据主要参数
1）输入输出电压：
（AC）220（1+15%）、
2）最大输出电压、电流根据电机功率予以选择
3）要求电机能实现单向无级调速
4）电机型号布置任务时给定
2.可提供实验与仿真条件
说明书格式
1．课程设计封面；
2．任务书；
3．说明书目录；
4．设计总体思路，基本原理和框图（总电路图）；
5．单元电路设计（各单元电路图）；
6．故障分析与电路改进、实验及仿真等。
7．总结与体会；
8．附录（完整的总电路图）；
9．参考文献；
10.课程设计成绩评分表
进度安排
第一周星期一:
课题内容介绍和查找资料；
星期二:
总体电路方案确定
星期三:
主电路设计
星期四:
控制电路设计
星期五:
控制电路设计；
第二周星期一:
控制电路设计
星期二：
电路原理及波形分析、实验调试及仿真等
星期四~五:
写设计报告，打印相关图纸；
星期五下午:
答辩及资料整理
参考文献
1．石玉栗书贤．电力电子技术题例与电路设计指导．机械工业出版社，1998
2．王兆安黄俊．电力电子技术（第4版）．机械工业出版社，2000
3．浣喜明姚为正．电力电子技术．高等教育出版社，2000
4．莫正康．电力电子技术应用（第3版）．机械工业出版社，2000
5．郑琼林．耿学文．电力电子电路精选．机械工业出版社，1996
6．刘定建朱丹霞．实用晶闸管电路大全．机械工业出版社，1996
7．刘祖润胡俊达．毕业设计指导．机械工业出版社，1995
8．刘星平．电力电子技术及电力拖动自动控制系统．校内，1999
9.刘星平.一种新型双闭环直流脉宽调速系统的设计与应用。
电气自动化。
2003.4
目录
第一章.概述6
第二章.设计总体思路7
2.1主电路设计思路：
7
2.2控制电路设计思路9
2.3结构框图10
第三章.各单元思路11
3.1主电路的设计11
3.1.1主电路11
3.1.2电路分析11
3.1.3主电路参数计算和元器件的选择12
3.1.4H型桥式斩波电路的设计14
3.2.1控制电路框图14
3.2.2控制电路原理简要：
15
3.2.3SG3525的结构图和工作原理15
3.2.4各引脚具体功能：
17
3.2.5SG3525的工作原理：
18
3.2.6SG3525主要电路及其功能20
第四章.保护电路及设计22
4.1主回路输出端过电流保护22
4.2电源欠压报警22
4.3MOSFET的保护设计23
4.3.1MOSFET的过电流保护23
4.3.2MOSFET开关过程中的过电压保护24
第五章．总结与体会25
附录26
参考文献28
第一章.概述
长期以来，直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。
特别随着计算机在控制领域，高开关频率、全控型第二代电力半导体器件（GTR、GTO、MOSFET、IGBT等）的发展，以及脉宽调制（PWM）直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。
直流斩波电路采用了具有开关频率高、通断电流大、电压耐量高的MOSFET这一新型优良品质的电力电子器件作为开关管。
直流斩波器广泛应用于生产、生活等实际情况当中，从中国大面积，多人口，低技术，少能源等国情出发，大力发展直流电技术，结合电力电子技术，这对改善我国科技现状水平，提高经济效益将起着重要作用。
目前,市场上用的最多的MOSFET直流斩波器,它是属于全控型斩波器，它的主导器件采用国际上先进的电力电子器件MOSFET，由门极电压控制，从根本上克服了晶闸管斩波器及GTR斩波器的缺点。
该斩波器既能为煤矿窄轨电机车配套的调速装置，针对不同的负载对象，做一些少量的改动又可用于其它要求供电ja电压可调的直流负载上。
与可控硅脉冲调速方式和电阻调速方式相比，具有明显的优点。
第二章.设计总体思路
先利用星-三角形变压器将380伏变为60伏电压的交流电，通过不控整流二极管变为直流电，而所得的直流电经过滤波电容后接入由MOSFET组成的控制组来控制正反向的门控电路导通角而电压输出的占空比，从而达到直流调压的目的，为达到较好的输出波形，在输出端接一电感，而在每个MOSFET的两端都加一个续流二极管，当正组MOSFET导通时，反组关断，电流从正组流过,导通完成后，关断正组经过一个死区时间再导通反组，而在这个死区时间内，由于有电感和续流二极管的作用，电流不会一下子断掉，而是经过电感和反组续流二极管向电网反馈电能，当反组导通时，电流经过反组MOSFET流过，而此时正组为关断状态，经过一个死区时间之后再导通正组，但是由于反组导通的时间比正组导通的时间要短，在整个波形当中又有一两个对称的死区时间，故主电路所形成的又极性电经过电感的平波作用和续流二极管的回路使得整个输出电压波形为正，但电压值却比输出波的电压要低，这就是降压斩波主电路的工作原理。
主电路（降压斩波电路（BuckChopper））
降压斩波电路（BuckChopper）的原理图及工作波形如图2-1所示，图中V为全控型器件，选用MOSFET.D为续流二极管，由图1-1中V的栅极电压波形Uge可知，当V处于通态时，电源Ui向负载供电，Ud=Ui。
当V处于断态时，负载电流经二极管D续流，电压Ud近似为零，至一个周期T结束，再驱动V导通，重复上一个周期的过程，负载电压的平均值为：
Ud=Ton/（Ton+Toff）*Ui=Ton/T*Ui=aUi
式中Ton为V处于通态的时间，Toff为V处于断态的时间，T为开关周期，a为导通占空比，简称占空比或导通比（a=Ton/T）。
由此可知，输出到负载的电压平均值Uo最大为Ui，若减小占空比a，则Uo随之减小，由于输出电压低于输入电压，故称该电路为降压斩波电路。
图2-1（a）电路图
图2-1（b）波形图
2.2控制电路设计思路：
控制电路由一个PWM波形产生器和一个光电隔离器为主要部件的驱动逻辑部分组成，SG3525是一种输入不同电平就能控制输出不同占空比的PWM波形来，这样，只要我们调节给定电压就能控制主电路直流电压的值，考虑到正反组不能同时导通，而且要做到逻辑无环流的目的，在SG3525输出PWM波后经过一组逻辑电路将正反组的导通时间正好错开，并且在其间插入一段死区时间，这样就做到了对主电路的控制。
又考虑到过电压过电流的问题，故在主电路中又增加了电流电压检测装置，在输出主电路上并联两个口串在一起的电阻，电阻值较大，不会对电路产生影响，同时又能起到检测电压的作用，通过反馈积分放大电路回到3525PWM波控制的输入端与给定作比较，这样就跟作双闭环调速电路一样起到了控制过电压的跟踪电压无静差的作用了，过电流保护则在主电路输出端串联一小电阻，在其两端加一迟滞比较器，当两端电压达到一定的值时，滞比较器的输出电压会反向，反向电压送到PWM波控制的输入端与给定比较，立即调节控制波形的占空比，减小输出，这样就达到了过电压过电流的保护作用，
最后，由于主电路的高电压，如果控制电路直接与MOSFET的门极相接，可能会造成事故，而且这也是电力电子不允许的，因此我们在PWM控制波与MOSFET门极间增加了光电隔离器，这样就解决了这个问题，于是整个思路就此完成。
2.3结构框图
图2-2整体电路框图
第三章.各单元思路
3.1主电路的设计
3.1.1主电路
图3-1主电路电路图
3.1.2电路分析
如图3-1为根据上面的思路设计出来的电路图，其中S1为总开关，为了方便电路的维护和检修，KM是继电器开关，当电压或电流过大时使电路有自保的功能。
变压器S选择“△---Y”，这样连接可以避免3此谐波流入电网。
经过3对二极管整流后，三相交流电变为带有波头的直流电，使用电容C来滤波和稳压，得到完美的直流电。
为了防止开关动作起始，电流过大对电网造成破坏，在整流电路后加一个电阻R1，但考虑到此电阻在电路运行的过程中会消耗电路的电能，为了使电路的设计更完美，在R1上并联一个开关，在运行一段时间后，合上开关，将电阻R1短路。
后接降压斩波电路。
3.1.3主电路参数计算和元器件的选择
（1）Ud=50v
考虑占空比为90%
则Us=Ud/0.9=55.5v
取Us=1.2U2
U2=Us/1.2=46.3v
考虑到10%的裕量+
U2=1.1*46.3=50.93v
一、二次线圈电流
I2=Id=25A
变比K=U1/U2=220/306=0.72
I1=I2/K=200/0.72=278A
考虑空载电流取I1=1.05*278=292A
变压器容量计算
S1=U1*I1=220*292=64240VA
S2=U2*I2=306*200=61200VA
S=（S1+S2）/2=62720VA
整流元件选择
二极管承受反向最大电压UDM=1.414U=288V，考虑3倍裕量，则
UTN=3*288=864V取900v
该电路整流输出接有大电容，而且负载也不是纯电感负载，但为了简化计算，仍可按电感计算，只是电流裕量要可适当取大些即可。
IdD=0.5Id=100A
ID=1/1.414*Id=141A
ID（AV）=2*141/1.57=180A
滤波电容选择
一般根据放电的时间常数计算，负载越大，要求纹波系数越小，一般不做严格计算，多取2000
以上。
因该系统负载不大，故取
=2200
耐压1.5UDM=1.5*288=432v,取450v
即选用2200
450v电容器
MOSFET的选择
因为
=220V，取3倍裕量，选耐压为660v以上的MOSFET。
由于MOSFET是以最大标注且稳定电流与峰值电流间大致为四倍关系，故应选用大于4倍额定负载电流的MOSFET为宜，因此选用2000A,额定电压700V左右的MOSFET
续流二极管的选择
根据
得知续流二极管应选1000A、额定电压为600v的二极管。
3.1.4H型桥式斩波电路的设计
图3-2H桥式斩波电路原理图
3.2控制电路的设计
3.2.1控制电路框图
根据MOSFET的特点，本设计用脉宽调制（PWM）控制方式对开关管的占空比进行控制。
采用的芯片是用集成了PWM控制电路的SG3525芯片。
控制电路的框图如图3-4：
图3-4控制电路框图
本控制电路是以SG3525为核心构成,SG3525为美国SiliconGeneral公司生产的专用，它集成了PWM控制电路,其内部电路结构及各引脚功能将在下一节中介绍。
它采用恒频脉宽调制控制方案,内部包含有精密基准源,锯齿波振荡器,误差放大器,比较器,分频器和保护电路等.调节Ur的大小,在11,14两端可输出两个幅度相等,频率相等,相位相差,占空比可调的矩形波（即PWM信号）。
然后，将脉冲信号驱动电路，对微信号进行升压处理，再把经过处理的电平信号送往MOSFET，对其触发，以满足主电路的要求。
图3－5光电隔离器驱动
3.2.3SG3525的结构图和工作原理
SG3525是电流控制型PWM控制器，所谓电流控制型脉宽调制器是按照接反馈电流来调节脉宽的。
在脉宽比较器的输入端直接用流过输出电感线圈的信号与误差放大器输出信号进行比较，从而调节占空比使输出的电感峰值电流跟随误差电压变化而变化。
由于结构上有电压环和电流环双环系统，因此，无论开关电源的电压调整率、负载调整率和瞬态响应特性都有提高，是目前比较理想的新型控制器。
SG3525是定频PWM电路，采用16引脚标准DIP封装。
其各引脚功能如图3-6（a）所示，内部框图如图3-62.3（b）所示。
脚8为软起动端。
（a）SG3525的引脚图
（b）SG3525G内部框图
图3-6SG3525G管脚框图
Inv.input（引脚1）：
误差放大器反向输入端。
在闭环系统中，该引脚接反馈信号。
在开环系统中，该端与补偿信号输入端（引脚9）相连，可构成跟随器。
●Noninv.input（引脚2）：
误差放大器同向输入端。
在闭环系统和开环系统中，该端接给定信号。
根据需要，在该端与补偿信号输入端（引脚9）之间接入不同类型的反馈网络，可以构成比例、比例积分和积分等类型的调节器。
●Sync（引脚3）：
振荡器外接同步信号输入端。
该端接外部同步脉冲信号可实现与外电路同步。
●OSC.Output（引脚4）：
振荡器输出端。
●CT（引脚5）：
振荡器定时电容接入端。
●RT（引脚6）：
振荡器定时电阻接入端。
●Discharge（引脚7）：
振荡器放电端。
该端与引脚5之间外接一只放电电阻，构成放电回路。
●Soft-Start（引脚8）：
软启动电容接入端。
该端通常接一只5的软启动电容。
●Compensation（引脚9）：
PWM比较器补偿信号输入端。
在该端与引脚2之间接入不同类型的反馈网络，可以构成比例、比例积分和积分等类型调节器。
●Shutdown（引脚10）：
外部关断信号输入端。
该端接高电平时控制器输出被禁止。
该端可与保护电路相连，以实现故障保护。
●OutputA（引脚11）：
输出端A。
引脚11和引脚14是两路互补输出端。
●Ground（引脚12）：
信号地。
●Vc（引脚13）：
输出级偏置电压接入端。
●OutputB（引脚14）：
输出端B。
引脚14和引脚11是两路互补输出端。
●Vcc（引脚15）：
偏置电源接入端。
●Vref（引脚16）：
基准电源输出端。
该端可输出一温度稳定性极好的基准电压。
特点如下：
1.工作电压范围宽：
8—35V。
2.5.1（11.0%）V微调基准电源。
3.振荡器工作频率范围宽：
100Hz¬
—400KHz.
4.具有振荡器外部同步功能。
5.死区时间可调。
6.内置软启动电路。
7.具有输入欠电压锁定功能。
8.具有PWM锁存功能，禁止多脉冲。
9.逐个脉冲关断。
10.双路输出（灌电流/拉电流）：
mA（峰值）。
SG3525内置了5.1V精密基准电源，微调至1.0%，在误差放大器共模输入电压范围内，无须外接分压电组。
SG3525还增加了同步功能，可以工作在主从模式，也可以与外部系统时钟信号同步，为设计提供了极大的灵活性。
在CT引脚和Discharge引脚之间加入一个电阻就可以实现对死区时间的调节功能。
由于SG3525内部集成了软启动电路，因此只需要一个外接定时电容。
SG3525的软启动接入端（引脚8）上通常接一个5的软启动电容。
通电过程中，由于电容两端的电压不能突变，因此与软启动电容接入端相连的PWM比较器反向输入端处于低电平，PWM比较器输出高电平。
此时，PWM锁存器的输出也为高电平，该高电平通过两个或非门加到输出晶体管上，使之无法导通。
只有软启动电容充电至其上的电压使引脚8处于高电平时，SG3525才开始工作。
由于实际中，基准电压通常是接在误差放大器的同相输入端上，而输出电压的采样电压则加在误差放大器的反相输入端上。
当输出电压因输入电压的升高或负载的变化而升高时，误差放大器的输出将减小，这将导致PWM比较器输出为正的时间变长，PWM锁存器输出高电平的时间也变长，因此输出晶体管的导通时间将最终变短，从而使输出电压回落到额定值，实现了稳态。
反之亦然。
外接关断信号对输出级和软启动电路都起作用。
当Shutdown（引脚10）上的信号为高电平时，PWM锁存器将立即动作，禁止SG3525的输出，同时，软启动电容将开始放电。
如果该高电平持续，软启动电容将充分放电，直到关断信号结束，才重新进入软启动过程。
注意，Shutdown引脚不能悬空，应通过接地电阻可靠接地，以防止外部干扰信号耦合而影响SG3525的正常工作。
欠电压锁定功能同样作用于输出级和软启动电路。
如果输入电压过低，在SG3525的输出被关断同时，软启动电容将开始放电。
此外，SG3525还具有以下功能，即无论因为什么原因造成PWM脉冲中止，输出都将被中止，直到下一个时钟信号到来，PWM锁存器才被复位。
3.2.6SG3525主要电路及其功能
1）欠电压锁定电路
当SG3525输入电压低于8V时，控制器内部电路锁定，除基准电源和一些必要电路之外的所有电路停止工作，此时控制器消耗的电流极小。
2）软启动电路
引脚8为软启动控制端，该端可外接软启动电容。
软启动电容由SG3525内部50的恒流源进行充电。
3）限流方式
SG3525无限流比较器，改由外部关断信号输入端（引脚10）来实现限流功能，同时还具有逐个脉冲关断和直流输出电流限幅功能。
实际使用中，一般在引脚10上接电流检测信号，如果过电流检测信号维持时间较长，软启动电容将被放电。
4）PWM比较器的两个反向输入端
在SG3525中，误差放大器输出端和外部关断信号输入电路分别送至PWM比较器的一个反向输入端。
这样做的好处在于，避免了误差放大器和外部关断信号输入电路之间相互影响，有利于误差放大器和补偿网络工作精度提高。
5）PWM锁存器
为了使关断电路更可靠的工作，SG3525在其内部增加了PWM锁存器。
PWM比较器输出信号首先送至PWM锁存器，锁存器由关断电路置位，由振荡器输出时间脉冲复位。
当关断电路工作时，即使过电流信号立即消失，锁存器也可以维持一个周期的关断控制，直到下一周期时钟信号使锁存器复位为止。
同时，由于PWM锁存器对PWM比较器的置位信号进行锁存，误差放大器上的噪声信号、振铃及其他信号在此过程中都被消除了。
只有在下一个时钟周期才能重新复位，可靠性大大提高。
以上为对此次实验的各个部分的设计，其中主电路采用MOSFET，适用于电压较低，电流较小的小功率电源，但是MOSFET所承受的响应频率较就，故在选择50V、25A的--限压限流电源，选用MOSFET不仅对主电路的性能有较好的控制，也不会太耗费元件，另外在主电路整流过后加上一个电容对电源的滤波故然较好，但是由于滤波电容较大，电路启动的一瞬间，对整流管会有一个很大的冲击作用，所以在电路中加入一个过压启动，当电压过一定值时才会将电容两端接入电网，防止过流冲击。
第四章.保护电路及设计
4.1主回路输出端过电流保护
电力电子器件在使用过程中出现的过电流可分为过载和短路两种情况，器件允许的过载时间较长，而允许的短路时间极短，一般在若干微秒之内。
对于负载过大产生的过载电流一般可用反馈控制的方法进行调整和保护。
在这里采用了两中过电流保护措施，一是加限流电阻，主要对电流过载起保护作用，其二是在电路中串熔断器，对短路起保护作用。
接线图在主电路图中可见到。
4.2电源欠压报警
在斩波器中开关器件MOSFET的驱动电路电源设置电源电压保护电路。
当驱动电源欠压时，立即发出封锁信号，封锁MOSFET的驱动。
＆
驱动电源
电压信号
图4－1电源欠压保护电路
4.3MOSFET的保护设计
4.3.1MOSFET的过电流保护
在斩波电路中对斩波器的保护，实际上就是对MOSFET的保护。
所以重要的是怎么设计好对开关管MOSFET的保护方案。
在设计对MOSFET的保护系统中，主要是针对过电流保护和开关过程中的过电压保护。
MOSFET的过流保护电路可分为2类：
一类是低倍数的（1.2～1.5倍）的过载保护；
一类是高倍数（可达8～10倍）的短路保护。
对于过载保护不必快速响应，可采用集中式保护，即检测输入端或直流环节的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，封锁所有MOSFET驱动器的输入脉冲，使输出电流降为零。
这种过载电流保护，一旦动作后，要通过复位才能恢复正常工作。
MOSFET能承受很短时间的短路电流，能承受短路电流的时间与该MOSFET的导通饱和压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。
如饱和压降小于2V的MOSFET允许承受的短路时间小于5μs，而饱和压降3V的MOSFET允许承受的短路时间可达15μs，4～5V时可达30μs以上。
存在以上关系是由于随着饱和导通压降的降低，MOSFET的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方加大，造成承受短路的时间迅速减小。
通常采取的保护措施有软关断和降栅压2种。
软关断指在过流和短路时，直接关断MOSFET。
但是，软关断抗骚扰能力差，一旦检测到过流信号就关断，很容易发生误动作。
为增加保护电路的抗骚扰能力，可在故障信号与启动保护电路之间加一延时，不过故障电流会在这个延时内急剧上升，大大增加了功率损耗，同时还会导致器件的di/dt增大。
所以往往是保护电路启动了，器件仍然坏了。
降栅压旨在检测到器件过流时，马上降低栅压，但器件仍维持导通。
降栅压后设有固定延时，故障电流在这一延时期内被限制在一较小值，则降低了故障时器件的功耗，延长了器件抗短路的时间，而且能够降低器件关断时的di/dt，对器件保护十分有利。
若延时后故障信号依然存在，则关断器件，若故障信号消失，驱动电路可自动恢复正常的工作状态，因而大大增强了抗骚扰能力。
4.3.2MOSFET开关过程中的过电压保护
关断MOSFET时，它的集电极电流的下降率较高，尤其是在短路故障的情况下，如不采取软关断措施，它的临界电流下降率将达到数kA/μs。
极高的电流下降率将会在主电路的分布电感上感应出较高的过电压，导致MOSFET关断时将会使其电流电压的运行轨迹超出它的安全工作区而损坏。
所以从关断的角度考虑，希望主电路的电感和电流下降率越小越好。
但对于MOSFET的开通来说，集电极电路的电感有利于抑制续流二极管的反向恢复电流和电容器充放电造成的峰值电流，能减小开
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