STM32在SRAMFLASH中调试代码的配置方法文档格式.docx

STM32在SRAMFLASH中调试代码的配置方法文档格式.docx

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FLASH基地址为0x08000000，SRAM基地址为0x20000000。

在STM32F10XXX里，可以通过BOOT1、BOOT0引脚来选择三种不同的模式：

我们要在FLASH中进行硬件仿真调试还是在RAM中进行硬件仿真调试需要对这两个boot脚进行对应的设置以及程序下载的地址进行设置。

在FLASH中进行硬件仿真调试

1、硬件设置

BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。

2、keil设置

本文以keil5为例。

步骤如下：

（1）点击如下按钮，修改target的名称：

target的名称是可以随意更改的，这里我们改为FLASH。

（2）点击Project->

OptionsforTargetFlash...（也可以点击魔术棒那个图标）进行配置。

首先对Target选项卡设置：

设置IROM1的起始地址为0x8000000，大小为0x80000，即FLASH的基地址与大小。

设置IRAM1为0x20000000，大小为0x10000，即SRAM的基地址与大小。

（3）Debug选项设置：

调试器根据实际进行选择，我们这里使用的调试器是ULINK2。

其它的按默认设置即可，然后点击Settings:

（4）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面：

然后点击全速运行：

在Disassembly窗口中可看到地址为0x0800xxxx，说明代码烧进了FLASH中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。

在SRAM中进行硬件仿真调试

在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点~

BOOT0配置为1，BOOT1配置为1。

（1）新建一个target，并修改名称为SRAM：

（2）切换至SRAMTarget：

（3）点击Project->

OptionsforTargetSRAM...（也可以点击魔术棒那个图标）Target选项卡设置：

设置IROM1的起始地址为0x2000000，大小为0x8000（32KB）；

设置IRAM1的起始地址为0x2008000，大小为0x8000（32KB）。

即把64KB的SRAM分为32KB的FLASH（当然这是SRAM虚拟出来的FLASH，掉电易失）和32KB的RAM。

（4）C/C++选项设置：

为什么在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不需要？

这是因为我们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时我们要在RAM中进行调试，所以需要把中断向量表拷贝到RAM中，相关代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：

其实system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相关的代码：

把这行代码打开即可把中断向量表拷贝到RAM中。

但是这里选择在C/C++选项选项里添加宏，因为这样可以保证SRAM版本与FLASH版本代码的一致性。

（5）Debug设置：

与在FLASH中调试不同的是，这里需要加入.ini文件：

这个.ini可以自己创建（也可以在芯片支持包里找到），这里我们建为Dbg_RAM.ini。

文件里的内容如下：

其中这里的第11行是需要根据实际进行修改的，需要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。

这里因为我们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：

所以此处以./Objects来表示。

如果觉得麻烦的话，可以把.axf文件与.ini放在同一个目录下。

其它的按默认设置即可，然后点击Settings，并进行如下设置:

图中我们需要勾选VerifyCodeDownload及DownloadtoFLASH选项，也就是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部SRAM中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真。

（至于为什么FLASH版本的程序不需要勾选，不太清楚）。

DownloadFunction中的擦除选项配置为DonotErase。

这是因为数据写入到内部SRAM中不需要像FLASH那样先擦除后写入。

ProgrammingAlgorithm 

的地址要与我们Target选项卡里设置的地址一致，否则可能会出现如下错误：

（6）编译，然后按Ctrl+F5进入调试界面，然后点击全速运行：

在Disassembly窗口中可看到地址为0x2000xxxx，说明代码烧进了SRAM中，这时候就可以像使用其他C语言IDE调试C语言程序一样打断点、单步运行我们的STM32程序啦。

以上就是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时可以选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。

切换方法：

在RAM中调试的优缺点

优点：

1、载程序非常快。

RAM存储器的写入速度比在内部FLASH中要快得多，且没有擦除过程，因此在RAM上调试程序时程序几乎是秒下的，对于需要频繁改动代码的调试过程，能节约很多时间，省去了烦人的擦除与写入FLASH过程。

另外，STM32的内部FLASH可擦除次数为1万次，虽然一般的调试过程都不会擦除这么多次导致FLASH失效，但这确实也是一个考虑使用RAM的因素。

2、不改写内部FLASH的原有程序。

3、对于内部FLASH被锁定的芯片，可以把解锁程序下载到RAM上，进行解锁。

缺点：

1、存储在RAM上的程序掉电后会丢失，不能像FLASH那样保存。

2、SRAM空间较小。