计算机组成原理作业练习题.docx

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计算机组成原理作业练习题

第四章作业

1填空题

1.计算机中的存储器是用来存放数据和程序的，随机访问存储器的访问速度与储存单元的物理位置无关。

2.对存储器的访问包括_直接访问_和_串行访问_两类。

3.2计算机系统中的存储器分为内存_和_外存_。

在CPU执行程序时，必须将指令存在_内存③____中。

4.主存储器的性能指标主要是储存容量、存取速度②、存储周期和存储器带宽。

5.存储器中用单元地址号来区分不同的存储单元，1GB=②KB。

6.半导体存储器分为①、②、只读存储器（ROM）和相联存储器等。

7.RAM的访问时间与存储单元的物理位置①，任何存储单元的内容都能被②

8.存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。

9.地址译码分为①方式和②方式。

10．双译码方式采用①个地址译码器，分别产生②和③信号。

11．若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有①条输出线；用双译码方式，地址译码器有②条输出线。

12．静态存储单元是由晶体管构成的①，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要②。

存储器芯片并联的目的是为了①，串联的目的是为了②。

14．计算机的主存容量与①有关，其容量为②。

1.要组成容量为4MX8位的存储器，需要①片4MXl位的存储器芯片并联，或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。

16．内存储器容量为256K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是

17．主存储器一般采用①存储器件，它与外存比较存取速度②、成本③。

18．三级存储器系统是指______这三级：

19．表示存储器容量时KB=_①_，MB=_②_；表示硬盘容量时，KB=③，MB=④。

20．只读存储器ROM可分为①、②、③和④四种。

21．SRAM是①；DRAM是②；ROM是③；EPROM是④。

22．半导体SRAM靠①存储信息，半导体DRAM则是靠②存储信息。

23．广泛使用的①和②都是半导体③存储器。

前者的速度比后者快，但④不如后者高，它们的共同缺点是断电后⑤保存信息。

24．CPU是按____访问存储器中的数据。

24．EPROM属于①的可编程ROM，擦除时一般使用②，写入时使用高压脉冲。

25．对存储器的要求是①，②，③。

为了解决这三个方面的矛盾，计算机采用多级存储器体系结构。

26．动态MOS型半导体存储单元是由一个①和一个②构成的。

27．动态半导体存储器的刷新一般有①、②和③三种方式。

28．动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在①，因此，需要不断地进行②。

2 选择题

1．计算机的存储器系统是指________。

A．RAM   B．ROM

C主存储器 D．cache，主存储器和外存储器

2．存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来_______。

A．存放数据              B．存放程序

C．存放数据和程序  D．存放微程序

3．内存若为16兆（MB），则表示其容量为_____KB。

A．16              B．16384

 C．1024           D．16000

4．下列说法正确的是_______。

A．半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆

B．半导体RAM属挥发性存储器，而静态的RAM存储信息是非挥发性的

C．静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器，断电后存储的信息将消失

D．ROM不用刷新，且集成度比动态RAM高，断电后存储的信息将消失

5．可编程的只读存储器_______。

  A．不一定可以改写       B．一定可以改写

 C．一定不可以改写       D．以上都不对

6．组成2MX8bit的内存，可以使用_____。

 A．1MX8bit进行并联 B．1MX4bit进行串联

 C．2MX4bit进行并联 D．2MX4bit进行串联

7．若RAM芯片的容量是2MX8bit，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是______。

 A．21       B．29    C．18           D．不可估计

8．若RAM中每个存储单元为16位，则下面所述正确的是_______。

 A．地址线也是16位      B．地址线与16无关

 C．地址线与16有关      D．地址线不得少于16位

9．若存储器中有IK个存储单元，采用双译码方式时要求译码输出线为______。

 A．1024           B．10

 C．32              D．64

10．RAM芯片串联时可以_______。

 A．增加存储器字长       B．增加存储单元数量

 C．提高存储器的速度    D．降低存储器的平均价格

11．RAM芯片并联时可以________。

A．增加存储器字长           B．增加存储单元数量

C．提高存储器的速度       D．降低存储器的平均价格

12．存储周期是指________。

A．存储器的读出时间

B．存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔

C．存储器的写入时间

D．存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔

13．某微型计算机系统，若操作系统保存在软盘上，其内存储器应该采用_______。

A．RAM                B．ROM

C．RAM和ROM        D．CCP

14．下面所述不正确的是________。

A．随机存储器可随时存取信息，掉电后信息丢失

B．在访问随机存储器时；访问时间与单元的物理位置无关

C．内存储器中存储的信息均是不可改变的

D．随机存储器和只读存储器可以统一编址

15．和外存储器相比，内存储器的特点是________。

 A．容量大，速度快，成本低         B．容量大，速度慢，成本高

 C．容量小，速度快，成本高              D．容量小，速度快，成本低

16640KB的内存容量为_______。

 A．640000字节                           B．64000字节

 C．655360字节                     D．32000字节

17若一台计算机的字长为4个字节，则表明该机器_______。

∙能处理的数值最大为4位十进制数

∙能处理的数值最多为4位二进制数组成

∙在CPU中能够作为一个整体加以处理的二进制代码为32位

∙在CPU中运算的结果最大为2的32次方

18．下列元件中存取速度最快的是_______。

A．Cache                    B．寄存器

C．内存                     D．外存

19．与动态MOS存储器相比，双极型半导体存储器的特点是________。

 A．速度快              B．集成度高

 C．功耗大              D．容量大

20．ROM与RAM的主要区别是______。

 A．断电后，ROM内保存的信息会丢失，RAM则可长期保存而不会丢失

 B．断电后，RAM内保存的信息会丢失，ROM则可长期保存而不会丢失

 C．ROM是外存储器，RAM是内存储器

 D．ROM是内存储器，RAM是外存储器

21．机器字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是_______。

   A．0-1MW                 B．0—1MB

   C．0-4MW                D．0--4MB

22．某一SRAM芯片，其容量为512x8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的最小数目应为________。

   A．23                     B．25

   C．50                         D．19

23．某一动态RAM芯片其容量为16KXl，除电源线、接地线和刷新线外，该芯片的

 最小引脚数目应为_______。

 A．16   B．12   C．18

24．某计算机字长32位，存储容量为1MB，若按字编址，它的寻址范围是________。

   A．0-1MW      B．0-512KB

   C．0-256KW    D．0-256KB

25．某RAM芯片，其存储容量为1024x16位，该芯片的地址线和数据线数目分别为______。

A．20，16                  B．20，4

C．1024，4                D．1024，16

26．某计算机字长16位，其存储容量为2MB，若按半字编址，它的寻址范围是______。

A．0-8M                   B．0-4M

C．0-2M                   D．0—1M

27．某计算机字长32位，存储容量为8MB，若按双字编址，它的寻址范围是_______。

A．0-256K               B．0-512K

C．0-1M                     D．0～2M

28．以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是______。

 A．DRAM   B．SRAM

 C．闪速存储器   D．EPROM

29．对于没有外存储器的计算机来说，监控程序可以存放在_______。

 A．RAM   B．ROM

 C．RAM和ROM   D．CPU

30。

在某CPU中，设立了一条等待（WAIT）信号线，CPU在存储器周期中T的下降沿采样WAIT线，则下面的叙述中正确的是_______。

 A．如WAIT线为高电平，则在T2周期后不进入T3周期，而插入一个Tw周期

B．Tw周期结束后，不管WAIT线状态如何，一定转入T3周期

C．Tw周期结束后，只要WAIT线为低，则继续插入一个Tw周期，直到WAIT线变高，才转入T3周期

D．有了WAIT线，就可使CPU与任何速度的存储器相连接，保证CPU与存储器连接时的时序配合

3．没有一个IMB容量的存储器，字长为32位，问：

（1）按字节编址，地址寄存器、数据寄存器各为几位?

编址范围为多大?

（2）按半字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几位?

编址范围为多大?

   （3）按字编址，地址寄存器、数据寄存器各为几位?

编址范围为多大?

4用8K*8的RAM芯片和2K*8的ROM芯片设计一个10K*8的存储器，ROM和RAM的容量分别为2K和8K，ROM的首地址为0000H，RAM的末地址为3FFFH

。

（1）ROM存储器区域和RAM存储器区域的地址范围分别为多少?

（2）画出存储器控制图及与CPU的连接图。

第六章作业

1填空题

1补码加减法中，__①__作为数的一部分参加运算，__②_要丢掉。

2为判断溢出，可采用双符号位补码，此时正数的符号用_①_表示，负数的符号用_②_表示。

3．采用双符号位的方法进行溢出检测时，若运算结果中两个符号位—①—，则表明发生了溢出。

若结果的符号位为—②—，表示发生