极管三极管部分习题.docx

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极管三极管部分习题

模拟电子技术部分习题及答案

——直流稳压电源项目

一、二极管与三极管的基础知识

二极管习题

一、熟悉概念与规律

1．半导体

2．P型半导体

3．N型半导体

4．PN结

5．单向导电性

6．整流二极管

7．稳压二极管

8．发光二极管

9．开关特性

10．三极管

11．三极管的饱合特性

12．三极管的截止特性

13．三极管的放大特性

二、理解与计算题

1．当温度升高时，二极管的正向压降_变小，反向击穿电压变小。

2．硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C——调压限流）。

A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用

3.有两个2CW15稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B——）。

8V；B、；C、

4．稳压管DW稳压值为，二极管VD正向压降，当VI为12V时，DW和VD是否导通，V0为多少？

R电阻的作用。

答：

DW和VD不导通，V0为，R电阻的作用是分压限流。

5．下图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？

（）

6．在图所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将_____。

=2mA<2mA>2mA

7．图所示电路，设Ui=sinωt（V），V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。

8．图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为6V和7V，且具有理想的特性。

由此可知输出电压Uo为_______。

9．二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的

____________和反映反向特性的____________。

10．图所示是一个输出6V正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。

11．电路如图所示。

已知v2有效值足够大，合理连线，构成5V的直流电源。

12．桥式整流滤波电路，以知ｖ21=20×ωt（V）。

在下列情况时,说明Ｖo端对应的直流电压平均值Ｖo（av）应为多少。

（1）电容C因虚焊未接上。

（2）有电容但ＲL开路。

（3）整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容C，ＲL=∞。

13．设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示

电路的输出端电压：

（）

A、—3V；

B、—8V；

C、5V；

D、8V。

14．如果电阻R的阻值为1千欧，问：

二极管的电流正向电流为（）。

（填空）

15．PN结具有，偏置时导通，偏置时截止。

16．直流稳压电源的作用就是将转换为。

小功率直流稳压电源一般由、、和四部分组成。

17．常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后两端电压基本保持约______V不变；锗二极管的死区电压约______V，导通后两端电压基本保持约______V不变。

18．二极管2AP7是类型，2CZ56是类型，2CW56是类型，2CK70是类型，2CC122是类型，1N4007是类型，1N4148是类型，1N5401是类型。

正常情况下稳压管工作在区，具有稳压作用。

19．硅二极管两端加上正向电压时立即导通。

（）

20．当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。

（）

21．二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。

（）

22．用万用表欧姆挡粗测2AP9时用RX10档。

（）

23．在输出电压相同的情况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相同。

（）

24．同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。

（）

25．半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。

（）

26．稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流ZI。

（）

27．半导体二极管反向击穿后立即烧毁。

（）

28．用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时，测试方法和判别依据完全一样。

（）

29．2CZ型二极管，以下说法正确的是（）

A．适用于小信号检波B．适用于整流C．适用于开关电路

30．对于晶体二极管，下列说法正确的是（）

A.正向偏置导通,反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻

C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小

D.反向击穿后立即烧毁

31．题图1.5.1所示电路，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）

导通，UAO=6V导通，UAO=-6V

截止，UAO=9VD.VD导通，UAO=－9V

32．硅二极管正偏时，正偏电压和正偏电压时，二极管呈现的电阻值（）

A．相同B不相同C无法判断

33．用模拟万用表RX1K档测二极管，若红笔接阳极，黑笔接阴极，读数为50K，表笔对换测得电阻一样大，则该二极管（）

A．内部已断，不能使能B．内部已短路，不能使用

C．没有坏，但性能不好D．性能良好

34.如题图1.5.2所示电路：

1）该电路正常工作时，输出电压ou为多少？

2）若要电路正常工作，变压器次级电压2u的最小值是多少？

最大值是多少？

3）如果变压器次级电压2u的有效值为15V，则整流、滤波后电压3u的数值大略为多少？

若测得3u为左右，分析故障原因与部位，并列出检修的步骤。

36．硅稳压管稳压电路如题图1.5.3所示。

已知硅稳压管VD的稳定电压Uz＝10V、动态电阻和反向饱和电流均可以忽略，限流电阻R=RL＝1kΩ，未经稳压的直流输入电压Ui＝24V。

（1）试求Uo、Io、I及Iz；

（2）若负载电阻RL的阻值减小为，再求Uo、Io、I及Iz。

三极管习题

一、熟悉概念与规律

1．三极管

2．三极管的饱合特性

3．三极管的截止特性

4．三极管的放大特性

二、理解与计算题

1．三极管具有、和特性。

2．三极管的IE、IB、IC之间的关系是。

β=。

3．各三极管电极的实测对地电压数据如下：

图A是管，工作在状态；

图B是管，工作在状态。

4．放大电路要不失真地放大交流信号必须使放大器设置，以保证三极管

放大信号时，始终工作在区。

5．（）晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体N型或P型构成的所以e

极和c极可以互换使用。

6．三极管多级放大电路中，已知ÀV1=20、ÀV2=-10、ÀV3=1、总的电压增益ÀV=-；

ÀV1是放大器；ÀV2是放大器；ÀV3是放大器。

7．三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管所处的状态是（）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态

8．测得某NPN管得ＶBE＝，ＶCE＝，由此可判定它工作在_______区。

9．用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。

10．某晶体管的iB从20μA变到40μA时，对应的iC从变化到，则该管的β为（）。

A、β=75B、β=50C、β=100D、β=

11．测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（）。

二、基本放大电路基础知识习题作业

1.按要求填写下表。

电路名称

连接方式（e、c、b）

性能比较（大、中、小）

公共极

输入极

输出极

Ri

Ro

其它

共射电路

共集电路

共基电路

2.分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

图2

3.画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。

设所有电容对交流信号均可视为短路。

图3

4.电路如图4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝。

利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。

图4

5.电路如图5所示，已知晶体管＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？

设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝。

（1）正常情况

（2）Rb1短路（3）Rb1开路

（4）Rb2开路（5）RC短路

图5

6.电路如图6所示，晶体管的＝80，

=100Ω。

分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、

、Ri和Ro。

图6

7.在图6所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

图7

8.若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？

9.已知图9所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。

（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；

（2）若测得

和

的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？

图9

10.电路如图10所示，晶体管的＝100，

=100Ω。

（1）求电路的Q点、

、Ri和Ro；

（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？

如何变化？

图10

11.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。

试问：

图11

（1）

=

/

≈?

=

/

≈?

（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2的波形；

12.电路如图12所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。

（1）求出Q点；

（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的

和Ri；

（3）求出Ro。

图12

13.电路如图13所示，晶体管的＝60，

=100Ω。

（1）求解Q点、

、Ri和Ro；

（2）设

＝10mV（有效值），问

＝？

＝？

若C3开路，则

＝？

＝？

图13

14.图14所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，

=100Ω，UBEQ≈。

试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。

图14

15.如图15所示的差动放大电路中，设晶体管β1=β2=80，r`bb=200Ω，其他参数标在图上，试求：

（10分）

（1）画出直流通路，求静态时的ICQ1、ICQ2和UO

（2）画出差模输入时的微变等效电路，并求接入负载RL=24KΩ时的差模电压放大倍数Avd，差模输入电阻rid和输出电阻rod

图15

17.电路如图15所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出

、Ri和Ro的表达式。

图17