模拟电子线路习题习题答案Word文档下载推荐.docx

资源描述

模拟电子线路习题习题答案Word文档下载推荐.docx

《模拟电子线路习题习题答案Word文档下载推荐.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电子线路习题习题答案Word文档下载推荐.docx（82页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

模拟电子线路习题习题答案Word文档下载推荐.docx

试冋流过负载的电流是多少?

（4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少?

（5）

增加电源电压E,其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化?

10VD

题图1.4

（1）I

100mA

（2）I

UD（on）

94mA

（3）I

78.3mA

（4）IIs或10

（5）E增加，直流电流Id增加，交流电阻Ut下降。

1.6在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。

试判断各二极管是否导通，并求U。

的值。

□）（fr）[cl

题图1.6

⑴在图（a）中，V2导通，Vi截止，Uo=5V。

⑵在图（b）中，Vi导通，V2截止，Uo=0V。

⑶在图（c）中，Vi、V2均导通，此时有

ER4

Ri（R2//R3）R4

4（1//0.051）2

1.984V

1.7二极管限幅电路如图1.7（a）、（b）所示。

将二极管等效为恒压降模型，且UD（on）=0.7V。

若Ui=5sin3t（V），试画出U0的波形。

题图1.7

（1）在图（a）中：

当Ui>

—2.7V时，V管截止，閃=一2V;

当ui<

一2.7V时，V管导

通，U0=ui。

当ui=5sin®

t（V）时，对应的U0波形如图答图1.7（a）所示。

⑵在图（b）中：

当u>

1.3V时，V管截止，u0=ui；

1.3V时，V管导通，u°

=2V。

其相应波形如答图1.7（b）所示。

答图1.7

1.9在题图1.9（a）所示电路中，二极管等效为恒压降模型。

已知输入电压ui、U2的波形如

题图1.9（b）所示，试画出uo的波形。

题图1.9

该电路为高电平选择电路，即山、U2中至少有一个为3V，则uo=3一0.7=2.3V。

U1、U2均为0时，uo=—0.7V。

其波形答图1.9（c）所示。

1.10在题图1.10所示电路中，设稳压管的Uz=5V,正向导通压降为

t（V），试画出U0的波形。

0.7V。

若Ui=10sin

题图1.10

当Ui>

5V时，Vz击穿，u0=5V。

当ui<

一0.7V时，Vz正向导通，uo=—0.7V。

当一0.7VVUi<

5V时，Vz截止，uo=Ui。

由此画出的U0波形如答图1.10所示。

1.11稳压管电路如题图1.11所示。

（1）设Ui20（110%）V,稳压管Dz的稳定电压Uz=10V,允许最大稳定电流

Izmax=30mA,Izmin=5mA,Rlmin=800,Rlmax=。

试选择限流电阻R的值。

（2）稳压管的参数如

（1）中所示，R=100,Rl=250，试求Ui允许的变化范围。

（3）稳压管的参数如

（1）中所示，当Uz=10V时，其工作电流lZ=20mA,々=12

如Ui=20V不变，试求Rl从无穷大到1k时，输出电压变化的值U。

为多少?

Uimax

Rmin

（2210）V

400

Zmax

1,.

1Lmin

30mA

式中，因RLmax

所以1Lmin=0，U

imax

20200.122V

imin

max

（1810）V457

―|

Zmin

Lmax

（512.5）mA

式中iLmax

12.5mA,Uimin

（20

200.1）V=18V

800

（1）因为

选择R应满足：

400<

457

⑵当Rl250时，Il40mA。

250

当1z达到最大时，Uimax（|Zmax

Il）RUz（3040）0.11017（V）

当Iz为IZmin时，Uimin（IZminIl）RUz（540）0.11014.5（V）

即Vj的变化范围是14.5~17V。

（3）当Rl时，Uo=10V。

当Rl1k时，Uo=10V

Rl1000/、

L109.8814（V）

rzRl121000

9.8814

10118.6（mV）

或

UzrZ

10118.69（mV）

rZ100012

第二章

2.1已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图2.1所示。

试画出各晶体

管的电路符号，确定每管的b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。

0V0V

3.7V

4.3V

（b）

（c）

（d）

题图2.1

题图（a）：

0.7V■:

L硅NPN

题图（b）：

-0.7V

a-8V

硅PNP

题图（d）：

锗NPN

91V

题图（c）:

3.7VQ一L锗PNP

6.6

o12V

*3DG8

d0V

（a）

题图2.3

（c）（d）

2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放

大、饱和、截止或损坏）

O8V

2.5V

3BX1

63V

4.7V（反偏），放大状

2.4所示，其中nbo表示平

题图（a）3AX为PNP锗管，Ube0.3v（正偏），Uce态

题图（b）:

e结反偏，c结反偏，截止状态题图（c）：

e结正偏，c结正偏，饱和状态题图（d）：

e结开路，晶体管损坏

2.4NPN型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图

衡时自由电子的浓度。

（1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。

np（x）

兔0

■

（2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。

题图2.4

（1）对于NPN晶体管,

当发射结（集电结）

正偏时，由于从发射区（集电区）向基

区注入了非平衡少子电子，所以

x0（xxj处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电

子浓度n®

，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。

据此,

可以判别：

（1）图（a）：

发射结反偏，集电结反偏。

图（b）:

发射结正偏，集电结反偏。

图（c）:

发射结正偏，集电结正偏。

图（d）：

发射结反偏，集电结正偏。

（2）图（a）：

截止。

放大。

饱和。

图（d）:

反向放大。

（1）

（2）

解:

求lBQ=0.3mA时，Qi、Q2点的卩值。

2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示

2.7硅晶体管电路如题图2.7所示。

设晶体管的UBE（on）0.7V,

作状态。

100。

判别电路的工

rhRB

470k

J-iRc

J2k

15V

题图2.7

在题图a

中，由于Ube

0,因而管子处于截止状态。

题图

（b）:

IBQ

1CQ1BQ

Uceq15

处于放大状态

匚25

（1）Re

2.5mA

2.537.5（V）

题图（c）：

Ibq71A，

Icq7.1mA

Uceq157.1（21）

6.3（V）

I^Rb」100k

（C）

Ucc12V。

不可能，表明晶体管处于饱和状态。

2.8题图2.8（a）、（b）所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。

两个电路中的晶体管相同，UBE（on）=0.6V。

在20°

C时晶体管的B=50,55°

C时，B=70。

试分别求两种电路在20oC时的静态工作点，以及温度升高到55oC时由于B的变化引起Icq的改变程度。

246k

——OUcc（12V）

七Rc

{2.8k

Ucc（12V）

题图2.8

题图2.8（a）为固定偏流电路。

（1）20。

C时

1BQ

UCCUBEon

120.6

246

0.046mA

IcqIbq500.0462.32mA

UCEQ

Ucc

IcqRc122.322.85.5（V）

（2）55OC时

50501%（5520）67.5

IcqIbq67.50.0463.105mA

UCC

IcqRc12V3.1052.8V3.306V

Icq的变化为

3.1052.32

2.32

图2.8（b）为分压式电流负反馈偏置电路。

（1）20oC时

UBB

Rb2

—Ucc

123（V）

RB1R

RB1〃RB2

30//10

7.5（k

）

UbbU

BE（on）

0.6

2.09（mA）

1CQ

RB/3

7.5/

501

Ucc1

CQRC

2.09（1.81）6.15（V）

55oC时

30.6

2.16mA

QRb/3

7.5/67.5

UCEQUCC1

1CQRC

Re12

2.16181

5.95V

CQ的变化为

△Iq2.162.09

3.3（%）

2.09

2.9晶体管电路如题图2.9所示。

已知3=100,Ube=0.3V

（1）估算直流工作点Icq、Uceq。

（2）若偏置电阻Rbi、Rb2分别开路，试分别估算集电极电位Uc值，并说明各自的工作状

^态。

⑶若Rb2开路时要求Icq=2mA，试确定Rbi应取多大值。

1）URB2

RB2

URB2

RB1

0.3

UECQ

2.90.3

1.3

2mA

UCC1CQ（Re&

当RB2开路时，则有

IB（sat）

因为IB

Ucc0.3

Rb1（1~~）rE

UccUCE（sat）

（ReRc）

1B（sat），

120.3

471011.3

（1.32）100

所以晶体管处于饱和

UCCUCB（sat）

RcRe

⑶当Rb2开路时，由于

UCCUBE

Rb1（1~~）R

ICQ

21.3

0.066mA

0.035mA

状态。

此时

7.1V

RB11011.3

2mA

由此解得RB1=454K

2.10设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。

技术要求是：

温度在

-55~125

c范围内变

化时，要求1mAlc1.15mA和5VUCE

6V，Rc1.5k

，Ucc

12V。

BJT

的参数是：

T55oC时，

60，

UBE

0.88V；

T125C时，

150，

UBE0.48V。

（1）Re的估算。

根据题意，当

T55

C时,

电流Ic应是最低值1mA，Uce应是最大

值，因为Rc已给出，故可写出:

UCEQUCCICQ

解得

6V12V1mA

1.5k

Re4.5k

如果Rc未知，可以根据Ucc的数值假设uEIcqRe某一数值，本题设

ICQRE3Ucc4V，则Re

414（k）。

（2）Rb的估算。

因为

RbBRe

BBUBE（on）

所以将T55C和T125C时各参数值代入可得:

1mA

Ubb0.88V

Rb604.5k

（T55C时）

1.15mA

Ubb0.48V

Rb_15。

—4.5k

（T125C时）

联立求解上述两式，可得:

Ubb5・9V,Rb32k

如果不利用上述关系式运算，也可以利用经验公式，比如选取Rb（5〜10）Re去求解。

例如设Rb10Re45k，则Ubb

0.8814.56.13（V），当T=125oC时的

6.130.48

451504.5

1.177（mA）,此时Icq

1.15mA的技术要求，因此还需要重新选取

Rb值，直至满足要求为止。

（3）Rb1和Rb2的计算。

cRb

Ubbb

rRb1

RB2

RB1Rb

5.9

32k

65k

32k63k

（4）核算T=125oC时的UCE值。

UceUcc

12V-1.151.5

4.5V5.1V

可见，上述结果在允许的范围内，表明设计有效。

2.13电路如题图2.13所示。

设ui是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视作短路。

（1）试画出与Ui相对应的UBE、iB、iC和UCE的波形。

（2）将图中的晶体管改成PNP管，Ucc改成负电源，重复

（1）。

题图2.13

（1）波形如图2.13（b）所示。

（2）晶体管改成PNP,Ucc改成负电源后，波形如图2.13（C）所示。

2.17放大电路如图2.17（a）所示，正常工作时静态工作点为Q。

（1）如工作点变为图

2.17（b）中的Q'

和Q"

，试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？

（2）如工作点变为图2.17（c）中Q和Q的，又是电路中哪一元件参数改变而引起的?

Ucc

RlUo

⑻

UCE

题图2.17

（1）UCC不变，Rb不变，Ibq不变，而Rc变化，工作点的变化可见图2.13（b）。

若原工作点为Q,Rc减小时，移至Q'

Rc增加时，移至Q'

。

（2）Rc不变，负载线斜率不变，和同时变化，工作点的变化如图2.13（c）所示。

如原

工作点为Q，Ucc增加，Rb也增加，工作点可移至Q'

，反之，Ucc下降，Rb也下降，工

作点可移至Qo

2.23试计算题图2.23所示共射放大电路的静态工作点

UCEQ，源电压放大倍数Aus

输入电阻Ri和输出电阻R。

设基极静态电流Ibq20A，Rc2k，Rl2k

Ucc9V，Rs150，%0,厄尔利电压Ua100V，100,C为隔直、耦

合电容。

题图2.23

（1）计算工作点和rbe、rce。

已知

则Icq

1BQ1000.022（mA）

UiruiUceq

CCCCCCQ

RlRc

2-2（V）

由以上关系式可以看出，因电路输出端没有隔直电容,

负载电阻

R与工作点有关。

由上式

UCEQ2・5V

rb'

1EQ

100—

1.3（k）

50（k

（2）计算源电压放大倍数

Aus。

先画出图2.13电路的小信号等效电路如下图所示。

AusUt?

U；

rce//Rc//Rl

rce//Rc//Rl?

RSrbe;

…50〃2〃2“

10069

0.151.3

（3）计算输入电阻

Ri、输出电阻

Ro。

%1.3k

Rc//rceRc

UZ6V，此时晶体管的Icq5.5mA。

试问：

（1）将Dz反接，电路的工作状态有何变化？

Icq又为多少？

（2）定性分析由于Dz反接，对放大电路电压增益、输入电阻的影响。

题图2.24

（1）Dz反接，Icq

102°

7A14.3mA，艰5V，

24//24

电路仍工作在放大区

（2）Dz反接，Icq增加Icq21cq，

gm增加，rbe下降，Ri下降,

Av增大

即使考虑正向二极管的

一，结论亦同上

2.25测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为：

2mA、2.02mA、0.02mA。

己知

该管的厄尔利电压|Ua|=120V,Cbe60pF,Cbc5pF,rbb200。

（1）试画出该晶体管的H参数交流等效电路，确定等效电路中各参数值。

（2）画出高频混合n型交流等效电路，确定等效电路中各参数值。

⑴

IC2

IB0.02

26“

——13

hie

rbb

（1）re200101131500

hoe

20.017mS

120

H参数等效电路如图P223（a）所示。

⑵

200,Cbe6pF

rce

160k

hce

0.017

rbc

rce

100606M,Cbc

5pF

80ms

rbe

（1

）re

（1）出101

互1300

Icq

咼频混合

n型等效电路如下图所示

►C

气

lr-,

2.28在题图2.28（a）所示的共集放大电路（为基极自举电路），已知晶体管的rbb'

300

ek，rce，gm100mS；

RB1Rb220k，RB3100k

ReRl1k，电容C1、C2、C3对信号可视为短路。

试画出该电路的交流通路，求

输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。

其交流通路如图2.28（b）所示。

gmrbe1001100

RB3rbb'

rbe

所以

Rirbbrbe

（1）（Rb1〃Rb2〃Re〃Rl）

0.31（1100）（20〃20〃1〃1）

49.4（k）

rbb'

Ro上匹〃Rb1〃Rb2〃Re

//20//20//11.27（）

101

2.30在题图2.30所示的共基放大电路中，晶体管的3=50,

50.RB1=30kQ,Ucc=12V,Ro=3kQ,RB2=15kQ,Re=2kQ,Rl=3kQ

题图2.30

心斤丄3H54V

0.7

1.65mA

1CQ（RC

Re）

121.65

（23）3.75V

c26

⑵「be

50-

838

1.65

（3〃3）-89.5

展开阅读全文