模拟电子线路习题习题答案Word文档下载推荐.docx

1、试冋流过负载的电流是多少?（4） 将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少?（5） Rl增加电源电压 E,其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化?10V D题图1.4（1） I100 mA（2） IEU D（on ）94 mA（3） I78.3 mARd（4） I Is或 10（5） E增加，直流电流I d增加，交流电阻 Ut下降。I D1.6在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求 U。的值。 2.7V时，V管截止，閃=一 2V;当ui 1.3V时，V管截止，u0 = ui；1.3V时，V管导通，u=2V。其相应波形如答图1.7 （b）所示。答图1.7

2、1.9在题图1.9 （a）所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压 ui、U2的波形如题图1.9（b）所示，试画出 uo的波形。题图1.9该电路为高电平选择电路，即 山、U2中至少有一个为 3V，则uo = 3 一 0.7= 2.3V。U1、U2均为0时，uo= 0.7V。其波形答图1.9（c）所示。1.10在题图1.10所示电路中，设稳压管的 Uz= 5V,正向导通压降为t（V），试画出U0的波形。0.7V。若 Ui= 10 sin题图1.10当 Ui5V 时，Vz击穿，u0= 5V。当 ui一 0.7V 时，Vz正向导通，uo= 0.7V。 当一 0.7VV Ui5V时，Vz截止，

3、uo= Ui。由此画出的U0波形如答图1.10所示。1.11稳压管电路如题图 1.11所示。（1 ）设Ui 20（1 10%）V ,稳压管Dz的稳定电压Uz=10 V,允许最大稳定电流Izmax=30mA , I zmin =5mA, Rl min =800 , Rl max=。试选择限流电阻 R 的值。（2） 稳压管的参数如（1）中所示，R=100 , Rl =250 ，试求U i允许的变化范围。（3） 稳压管的参数如（1）中所示，当Uz=10V时，其工作电流lZ=20mA, =12如Ui=20V不变，试求Rl从无穷大到1k 时，输出电压变化的值 U。为多少?+UoU i maxRminUz

4、（22 10）V400| |Z max1,.1 L min30mA式中，因RLmax所以 1 L min =0， Ui max20 20 0.1 22 VUiminmax（18 10）V 457 |Z minL max（5 12.5）mA式中 iLmax1012.5 mA, Uimin（2020 0.1） V=18V800（1）因为选择R应满足：400 R457 当 Rl 250 时，Il 40mA。250当1 z达到最大时，Uimax （| Z maxI l）R Uz （30 40） 0.1 10 17（V）当 I z 为 I Z min 时，U i min （ I Z min Il）R U

5、z （5 40） 0.1 10 14.5（V）即Vj的变化范围是14.517V。（3） 当 Rl 时，Uo =10V。当 Rl 1k 时，Uo=10VRl 1000 / 、L 10 9.8814（V）rz Rl 12 10009.881410 118.6 （ mV）或Uz rZ1210 118.69（mV）rrZ 1000 12第二章2.1已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图 2.1所示。试画出各晶体管的电路符号，确定每管的 b、e、c极，并说明是锗管还是硅管。0V 0VCc 4V3.7Vz9V4.3V（b）（c）（d）题图2.1题图（a）：0.7V : L 硅 NPN0V题

6、图（b）：-0.7Va -8V硅PNP题图（d）：锗NPN4V9 1V题图（c）:3.7V Q一L 锗 PNP6.667Vo 12V3V:* 3DG8d 0V（a）题图2.3（c） （d）2.3已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图 2.3所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）O8V2.5V3BX16 3V4.7 V （反偏），放大状2.4所示，其中nbo表示平题图（a）3AX为PNP锗管，Ube 0.3v （正偏），Uce 态题图（b）: e结反偏，c结反偏，截止状态 题图（c）： e结正偏，c结正偏，饱和状态 题图（d）： e结开路，晶体管损坏2.4 N PN型晶体管基区

7、的少数载流子的浓度分布曲线如题图衡时自由电子的浓度。（1） 说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。np（x）NP N兔01OX（2） 说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。题图2.4（1）对于N PN晶体管,当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以x 0（ x xj处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度n，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。 据此,可以判别：（1） 图（a）：发射结反偏，集电结反偏。图（b）:发射结正偏，集电结反偏。图（c）: 发射结正偏，集电结正偏。图 （d）：发射结反偏，集电

8、结正偏。（2） 图（a）：截止。放大。饱和。图（d）:反向放大。（1）（2）解:求lBQ=0.3mA时，Qi、Q2点的卩值。2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图 2.6所示2.7硅晶体管电路如题图 2.7所示。设晶体管的U BE（on） 0.7 V ,作状态。100。判别电路的工rhRB470kJ-i RcJ 2kRe1k15V题图2.7在题图a中，由于Ube0,因而管子处于截止状态 。Uc题图（b）:I BQ15Rb1CQ 1 BQUceq 15处于放大状态匚25（1 ）Re2.5mA2.5 3 7.5（V ）题图（c）： Ibq 71 A，Icq 7.1 mAUceq 15 7.1（2

9、1）6.3 （V）IRb 100kRc2k（C）Ucc 12V。不可能，表明晶体管处于饱和状态。2.8题图2.8（a）、（b）所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的 晶体管相同，UBE（on）=0.6V。在20C时晶体管的B =50, 55C时，B =70。试分别求两种电 路在20oC时的静态工作点，以及温度升高到 55oC时由于B的变化引起Icq的改变程度。246kO Ucc（12V）七Rc 2.8kUcc（12V）题图2.8题图2.8 （a）为固定偏流电路。（1） 20。C 时1 BQU CC U BE onRB12 0.62460.046mAIcq Ibq 50

10、0.046 2.32mAU CEQUccIcqRc 12 2.32 2.8 5.5（ V）（2） 55OC 时50 50 1% （55 20） 67.5Icq Ibq 67.5 0.046 3.105mAU CCIcqRc 12V 3.105 2.8V 3.306VIcq的变化为CQ3.105 2.322.32图2.8 （ b）为分压式电流负反馈偏置电路。（1） 20oC 时U BBRb2 Ucc12 3（V）RB1 R30B2RB1 RB230/ 107.5（k）Ubb UBE（o n）0.62.09（ mA ）1 CQRB / 37.5/50 1Ucc 1CQ RC2.09（1.8 1）

11、6.15（V）55 o C 时3 0.62.16mAQ Rb/37.5/67.5U CEQ U CC 11 CQ RCRe 122.16 18 15.95VCQ的变化为 Iq 2.16 2.093.3（%）2.092.9晶体管电路如题图 2.9所示。已知3= 100 , Ube = 0.3V（1） 估算直流工作点Icq、Uceq。（2） 若偏置电阻Rbi、Rb2分别开路，试分别估算集电极电位 Uc值，并说明各自的工作状态。若Rb2开路时要求Icq = 2mA，试确定Rbi应取多大值。1）U RB2RB2U RB2RB10.3U ECQu2.9 0.31.32 mAU CC 1 CQ （Re &

12、当RB2开路时，则有I B（sat）因为I BUcc 0.3Rb1 （1 ）rEU cc U CE（sat）（Re Rc）1 B（sat），12 0.347 101 1.3（1.3 2） 100所以晶体管处于饱和U CC U CB（sat）U cRc Re当Rb2开路时，由于U CC U BERb1 （1 ）RI CQ2 1.30.066mA0.035mA状态。此时7.1VRB1 101 1.32mA由此解得RB1=454K2.10设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55125c范围内变化时，要求 1mA lc 1.15mA 和 5V UCE6V，Rc 1.5k，U cc

13、12V。BJT的参数是：T 55oC时，60，U BE0.88V ； T 125 C 时，150，U BE 0.48V。（1）Re的估算。根据题意，当T 55C时,电流Ic应是最低值1mA，Uce应是最大值，因为Rc已给出，故可写出:U CEQ U CC I CQ解得6V 12V 1mA1.5kRe 4.5k如果Rc未知，可以根据Ucc的数值假设u E IcqRe某一数值，本题设I CQ R E 3 U cc 4V，则 R e41 4（k ）。（2） Rb的估算。因为Rb B ReBB U BE（on）所以将T 55 C和T 125 C时各参数值代入可得:1 mAUbb 0.88 VRb 60

14、 4.5k（T 55 C 时）1.15mAU bb 0.48VRb_15。4.5k（T 125 C 时）联立求解上述两式，可得:Ubb 59V, Rb 32k如果不利用上述关系式运算， 也可以利用经验公式，比如选取Rb （510）Re去求解。例如设 Rb 10Re 45k ，则 Ubb0.88 1 4.5 6.13（V），当 T=125oC 时的606.13 0.4845 150 4.51.177（mA）,此时 Icq1.15mA的技术要求，因此还需要重新选取Rb值，直至满足要求为止。（3） Rb1和Rb2的计算。cRbUbb br Rb1RB 2RB1 Rb5.932k65k653232k

15、63k（4）核算T=125oC时的UCE值。U ce U cc12V-1.15 1.54.5 V 5.1V可见，上述结果在允许的范围内，表明设计有效。2.13 电路如题图2.13所示。设ui是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可 视作短路。（1 ）试画出与Ui相对应的UBE 、i B、i C和UCE的波形。（2）将图中的晶体管改成 PNP管，Ucc改成负电源，重复（1 ）。UiClC2题图2.13（1 ）波形如图2.13 （ b）所示。Vi（2）晶体管改成PNP, Ucc改成负电源后，波形如图 2.13 （ C）所示。2.17 放大电路如图 2.17 （a）所示，正常工作时静态工作点为

16、 Q。（1）如工作点变为图2.17 （ b）中的Q和Q，试分析是由电路中哪一元件参数改变而引起的？ （2）如工作点 变为图2.17 （ c）中Q和Q的，又是电路中哪一元件参数改变而引起的?Cir I7KtU ccRl UoUCE题图2.17（1） U CC不变，Rb不变，I bq不变，而Rc变化，工作点的变化可见图 2.13 （b）。若 原工作点为Q , Rc减小时，移至Q , Rc增加时，移至Q。（2） Rc不变，负载线斜率不变，和同时变化，工作点的变化如图 2.13（ c）所示。如原工作点为Q，Ucc增加，Rb也增加，工作点可移至 Q，反之，Ucc下降，Rb也下降，工作点可移至Qo2.23

17、试计算题图2.23所示共射放大电路的静态工作点UCEQ，源电压放大倍数 Aus输入电阻Ri和输出电阻R。设基极静态电流Ibq 20 A，Rc 2k ，Rl 2kUcc 9V，Rs 150 ，% 0,厄尔利电压 Ua 100V， 100, C 为隔直、耦合电容。题图2.23（1）计算工作点和rbe、rce。已知则Icq1 BQ 100 0.02 2（ mA）U ir u i U ceqCC C CC CQRl Rc2- 2（V）由以上关系式可以看出，因电路输出端没有隔直电容,负载电阻R与工作点有关。由上式U CEQ 25 VrbeUt1 EQ26100 1.3（ k ）ua50 （ k（2）计算

18、源电压放大倍数Aus。先画出图2.13电路的小信号等效电路如下图所示。Aus Ut?U；rce / Rc / RlRsrce / Rc / Rl ?e RS rbe;50 2 2 “100 690.15 1.3（3）计算输入电阻Ri、输出电阻Ro。Ri% 1.3 kRoRc / rce RcU Z 6 V，此时晶体管的I cq 5.5 mA。试问：（1 ）将Dz反接，电路的工作状态有何变化？ Icq又为多少？（2）定性分析由于 Dz反接，对放大电路电压增益、输入电阻的影响。题图2.24（1）Dz 反接，Icq10 2 7 A 14.3mA，艰 5V，24/24电路仍工作在放大区（2） Dz 反

19、接，I cq 增加 I cq 21 cq，gm增加，rbe下降，Ri下降,Av增大即使考虑正向二极管的一，结论亦同上2.25 测得放大电路中某晶体管三个电极上的电流分别为： 2mA、2.02mA、0.02mA。己知该管的厄尔利电压 |Ua| =120 V, Cbe 60pF,Cbc 5pF,rbb 200 。（1） 试画出该晶体管的 H参数交流等效电路，确定等效电路中各参数值。（2） 画出高频混合n型交流等效电路，确定等效电路中各参数值。IC 2I B 0.0226“13rehierbb（1 ）re 200 101 13 1500hoe2 0.017mSUa120H参数等效电路如图P2 23（

20、 a）所示。200 ,Cbe 6 pFrce1 60 khce0.017rbcr ce100 60 6M ,Cbc5pFg m80msrb e（1）re （1 ）出 101互 1300Icq咼频混合n型等效电路如下图所示b*4- H C4% X气1 Hlr -,2.28在题图2.28（a）所示的共集放大电路（为基极自举电路），已知晶体管的rbb 300e k ， rce ， g m 100 mS ； RB1 Rb2 20 k ， RB3 100 kRe Rl 1k ，电容C1、C2、C3对信号可视为短路。试画出该电路的交流通路，求输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。其交流通路如图 2.28 （b）

21、所示。gmrbe 100 1 100RB 3 rbb rbe所以Ri rbb rbe （1 ）（Rb1Rb2ReRl）0.3 1 （1 100）（20 20 11）49.4（k ）rbbRo 上 匹 Rb1Rb2Re1 3/20/20/1 1.27（）1012.30在题图2.30所示的共基放大电路中，晶体管的 3 = 50 , 50 .RB1=30k Q,Ucc=12V,Ro=3 k Q, RB2=15k Q,Re=2 k Q,Rl=3 k Q题图2.30心斤丄3H54VUb0.71.65mA1 CQ （ RCRe）12 1.65（2 3） 3.75Vc 26be5050 -8381.65AuR（33）-89.5