完整word版集成电路制造相关术语Word格式.docx

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一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。

41.Computer—aideddesign（CAD）:

计算机辅助设计. 

42。

Conductivitytype：

传导类型,由多数载流子决定。

在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。

43.Contact:

孔。

在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。

44。

Controlchart：

控制图。

一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。

45。

Correlation:

相关性。

46。

Cp:

工艺能力，详见processcapability.

47.Cpk：

工艺能力指数，详见processcapabilityindex。

48。

Cycletime：

圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。

49.Damage：

损伤。

50。

Defectdensity：

缺陷密度。

单位面积内的缺陷数。

51。

Depletionimplant：

耗尽注入。

一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。

（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。

） 

52.Depletionlayer：

耗尽层.可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域. 

”53。

Depletionwidth:

耗尽宽度。

55.Depthoffocus（DOF）：

焦深。

56.designofexperiments（DOE）:

为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验计划。

58。

developer：

Ⅰ）显影设备;

Ⅱ）显影液 

59。

diborane（B2H6）:

乙硼烷，

60。

dichloromethane（CH2CL2）：

二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。

61。

dichlorosilane（DSC）：

二氯甲硅烷，一种可燃,有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中. 

062。

die:

硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域. 

63。

dielectric:

Ⅰ）介质，一种绝缘材料；

64.diffusedlayer：

扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。

65.disilane（Si2H6）：

乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。

在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。

66。

drive—in 

68。

effectivelayerthickness：

有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度. 

69。

EM:

electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程. 

70。

epitaxiallayer：

外延层。

75。

featuresize：

特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。

76。

field-effecttransistor（FET）：

场效应管。

包含源、漏、栅、衬四端. 

78。

flat：

平边 

79.flatbandcapacitanse：

平带电容 

80.flatbandvoltage：

平带电压 

81。

flowcoefficicent：

流动系数 

82.flowvelocity：

流速计 

83.flowvolume:

流量计 

，

84.flux：

单位时间内流过给定面积的颗粒数 

85.forbiddenenergygap：

禁带 

86。

four-pointprobe:

四点探针台 

87。

functionalarea：

功能区 

89。

glasstransitiontemperature：

玻璃态转换温度

90。

gowning：

净化服 

91。

grayarea:

灰区 

92.grazingincidenceinterferometer：

切线入射干涉仪 

93.hardbake：

后烘 

94。

heteroepitaxy：

单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 

95.high—currentimplanter：

束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产 

96。

hign-efficiencyparticulateair（HEPA）filter：

高效率空气颗粒过滤器，去掉99。

97%的大于0.3um的颗粒 

!

97.host:

主机 

98。

hotcarriers：

热载流子 

99.hydrophilic:

亲水性 

100。

hydrophobic：

疏水性 

101.impurity：

杂质 

.掺杂

102。

inductivecoupledplasma（ICP）：

感应等离子体 

103.inertgas:

惰性气体 

104。

initialoxide：

一氧 

105.insulator：

绝缘 

106.isolatedline:

隔离线 

109.junction:

结 

110。

junctionspikingn:

铝穿刺 

111.kerf：

划片槽 

113。

lithographyn制版 

114。

maintainability,equipment：

设备产能

116.majoritycarriern：

多数载流子 

117。

masks,deviceseriesofn:

一成套光刻版 

118.materialn:

原料 

119.matrixn1：

矩阵 

120.meann：

平均值 

122.mediann：

中间值 

123。

memoryn:

记忆体

125。

nanometer（nm）n：

纳米 

126.nanosecond（ns）n：

纳秒 

127。

nitrideetchn：

氮化物刻蚀 

130。

ohmspersquaren:

欧姆每平方:

方块电阻 

131.orientationn：

晶向，一组晶列所指的方向 

132.overlapn：

交迭区 

134。

phosphorus（P）n：

磷,一种有毒的非金属元素 

135.photomaskn：

光刻版，用于光刻的版 

136。

photomask,negativen:

反刻 

137。

images：

去掉图形区域的版 

138.photomask,positiven：

正刻 

139.pilotn：

先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 

142。

plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：

TEOS淀积,淀积TEOS的一种工艺 

143.pnjunctionn:

pn结 

144。

pockedbeadn：

麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠 

145.polarizationn：

偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语 

146。

polyciden：

多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构 

147.polycrystallinesilicon（poly）n：

多晶硅，高浓度掺杂（〉5E19）的硅，能导电.

148.polymorphismn:

多态现象,多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象 

149.probern：

探针。

在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备. 

150。

processcontroln：

过程控制.半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。

’

151。

proximityX—rayn:

近X射线:

一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。

152.purewatern:

纯水.半导体生产中所用之水。

153。

quantumdevicen:

量子设备。

一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。

154.quartzcarriern：

石英舟。

155.randomaccessmemory（RAM）n：

随机存储器.

156.randomlogicdevicen:

随机逻辑器件.

157.rapidthermalprocessing（RTP）n:

快速热处理（RTP）。

159.reactorn：

反应腔.反应进行的密封隔离腔。

[

162。

scanningelectronmicroscope（SEM）n:

电子显微镜（SEM）。

163.scheduleddowntimen：

（设备）预定停工时间. 

164.Schottkybarrierdiodesn：

肖特基二极管。

165.scribelinen:

划片槽。

166。

sacrificialetchbackn:

牺牲腐蚀.

168.sheetresistance（Rs）（orpersquare）n:

薄层电阻。

用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。

169.sideload:

边缘载荷，被弯曲后产生的应力. 

170.silicononsapphire（SOS）epitaxialwafer:

外延是蓝宝石衬底硅的原片 

171。

smallscaleintegration（SSI）:

小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。

172.sourcecode:

原代码

173。

spectralline：

光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。

174.spinwebbing:

旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物. 

（

176。

stackingfault:

堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。

177。

steambath:

蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光. 

178。

stepresponsetime：

瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。

179.stepper：

步进光刻机（按BLOCK来曝光） 

180。

stresstest:

应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。

181.surfaceprofile:

表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。

，^—182。

symptom：

征兆,人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识.

183。

tackweld:

间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。

184。

Taylortray:

泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。

185.temperaturecycling：

温度周期变化,测量出的重复出现相类似的高低温循环. 

186。

testability:

易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。

187。

thermaldeposition:

热沉积，在超过950度的高温下,硅片引入化学掺杂物的过程。

189。

titanium（Ti）：

钛。

190.toluene（C6H5CH3）:

甲苯。

有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。

191。

1,1，1-trichloroethane（TCA）（CL3CCH3）：

有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂.这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气. 

193.tungstenhexafluoride（WF6）:

氟化钨。

无色无味的气体或者是淡黄色液体。

在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。

194.tinning：

金属性表面覆盖焊点的薄层。

195。

totalfixedchargedensity（Nth）：

下列是硅表面不可动电荷密度的总和：

氧化层固定电荷密度（Nf）、氧化层俘获的电荷的密度（Not）、界面负获得电荷密度（Nit）。

196。

watt（W）：

瓦。

能量单位。

197。

waferflat：

从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片. 

203。

window：

在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。

205.vaporpressure：

当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力.蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。

207。

transitionmetals：

过渡金属 

PAC感光化合物 

ASIC特殊应用集成电路 

Solvent溶剂 

:

Carbide碳 

Refractive折射 

Expansion膨胀 

TM：

topmental顶层金属层 

WEE周边曝光 

POD装晶舟和晶片的盒子 

Reticle光罩 

Spin旋转 

A/D[军]Analog.Digital,模拟/数字 

ACMagnitude交流幅度 

ACPhase交流相位 

Accuracy精度 

”ActivityModel 

ActivityModel"

活动模型 

AdditiveProcess加成工艺 

Adhesion附着力 

Aggressor干扰源 

AnalogSource模拟源 

AOI，AutomatedOpticalInspection自动光学检查 

AssemblyVariant不同的装配版本输出 

Attributes属性 

AXI，AutomatedX—rayInspection自动X光检查 

BIST，Built—inSelfTest内建的自测试 

BusRoute总线布线 

Circuit电路基准 

.

circuitdiagram电路图 

Clementine专用共形开线设计 

ClusterPlacement簇布局 

CM合约制造商 

CommonImpedance共模阻抗 

Concurrent并行设计 

ConstantSource恒压源 

CooperPour智能覆铜 

Crosstalk串扰

CVT，ComponentVerificationandTracking元件确认与跟踪 

DCMagnitude直流幅度 

Delays延时 

DesignforTesting可测试性设计 

Designator标识 

DFC，DesignforCost面向成本的设计 

DFM，DesignforManufacturing面向制造过程的设计 

DFR，DesignforReliability面向可靠性的设计 

DFT，DesignforTest面向测试的设计 

DFX,DesignforX面向产品的整个生命周期或某个环节的设计 

DSM，DynamicSetupManagement动态设定管理 

DynamicRoute动态布线 

EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat电子设计交互格式 

EIA,ElectronicIndustriesAssociation电子工业协会 

ElectroDynamicCheck动态电性能分析 

ElectromagneticDisturbance电磁干扰 

ElectromagneticNoise电磁噪声

EMC，ElctromagneticCompatibilt电磁兼容 

EMI,ElectromagneticInterference电磁干扰 

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Ensemble多层平面电磁场仿真

ESD静电释放 

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FalseClocking假时钟 

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GaussianDistribution高斯分布 

Globalflducial板基准 

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ICAM，IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE项目里就是指制作PCB 

＄

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ImageFiducial电路基准

Impedance阻抗 

！

In-Circuit—Test在线测试 

InitialVoltage初始电压 

InputRiseTime输入跃升时间 

’

IPC，TheInstituteforPackagingandInterconnect封装与互连协会 

IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互过程优化 

*

ISO,TheInternationalStandardsOrganization国际标准化组织 

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LocalFiducial个别基准

manufacturing制造业 

MCMs,Multi-ChipModules多芯片组件 

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PulsedVoltage脉冲电压

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RiseTime上升时间 

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