内层制程试车作业管理规范Word格式.docx
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備註
内層前處理
機械傳動是否正常,有無跳輪、卡板、傳送偏移現象
噴嘴是否有堵塞、歪斜
溫度顯示與實際溫度是否相符
各段之間信號傳輸、配合以及感應、添加、警報是否正常
設備有無漏液現象
設備各表頭顯示是否符合實際
壓膜
機台各部分是否運轉正常、符合規格要求
曝光
DES
四測試項目
制程
站別
項目
測試標準
測試結果
内層
裁板
尺寸精确度
與設定值相差2mm内
板边無BURR
无BURR
一次裁切厚度
30mm
水破實驗
>
=30s
微蚀測試
40±
10μ〞
烘干測試
無水痕殘留
传動測試
無卡板、無刮傷
板面清洁度
无异物
內層壓膜線
設備傳送
無卡板、氣泡、膜皺
幹膜對準度
幹膜距板邊2±
1mm
板出溫度
60±
5℃
溫度均勻性
左中右溫差小於7℃
內層曝光線
無卡板
曝光能量
6.0±
0.5格
曝光均勻性
自動85%↑
CCD對位精准度
偏差1mil内
真空度
22inHg↑
DES線
無卡板,無刮傷
顯影PH值
10.6↑
顯影點
50%±
5%
解析度/附著力
55μm/55μm
氯化銅測試
無亮點銅面存在
蝕刻點
70%±
蝕刻均勻性
10%↓
蝕刻因數
3↑
去膜點
40%±
量测尺寸符合机台设定
40μ〞±
自動85%↑,手動80%↑
1mil
測試方法
1.內層前處理
1.1水破實驗的測試方法:
取39mil1/120"
×
24"
基板走過前處理線後,浸入水中然後拿起,將板子傾斜45ﾟ,讓水沿著板子流下,觀察水膜破裂時間,並記錄數據.
前處理水破測試
線別
化驗項目
標準值
實測值
線速（m/min）
微蝕溫度（℃）
烘乾溫度（℃）
標準
水破時間
判定
A
H2O2
2.0~4.0%
H2SO4
10~14%
Cu2+
30~50g/L
B
1.2前處理微蝕量測試方法:
1將板厚39mil15cm×
15cm裸銅基板作為測試板,將其用水洗淨,置於烤箱內以120℃烘烤15分鐘.
2烘烤後取出基板並冷卻3分鐘,稱重至小數點以下四位,記錄為W1.
3將測試板與生產板一起走完微蝕槽,注意不可與量產板重疊.
4微蝕完畢後將基板取出水洗,然後置於烤箱內以120℃烘烤15分鐘,並冷卻3分鐘,稱重至小數點以下四位,記錄為W2..
5Etchcount=（W1－W2）×
92900/（2×
2.1×
A）單位:
u"
W1、W2單位:
克A:
測試板面積A的計算:
當規格為10cm×
10cm時,A為100
2.內層壓膜制程
2.1幹膜對準度
測試目的:
測試壓膜機壓膜對準能力
測試材料:
39mil1/120”×
24”裸銅基板
檢驗工具:
量尺
檢驗標準:
幹膜距板邊2±
測試方法:
取測試用基板走過壓膜線後,測試幹膜與板邊間距
2.2板出溫度
測試壓膜機壓膜的溫度控制能力
紅外線測溫器
60±
測試方法:
取測試用基板走過壓膜線時過壓膜線15cm處量測基板表面左中右三點溫度
3.內層曝光制程
3.1曝光能量
測試目的:
測試燈管的能量是否達到要求及幹膜的最佳曝光能量範圍
24”測試板
21格曝表,測試底片
6.0±
1準備好測試板,進行內層前處理作業
2準備23.75"
內層幹膜,並架到壓膜機上,確認壓膜機的條件無誤後將前處理完畢後的測試板進行壓膜作業
3準備一0.7mil的透明底片,以遮光膠帶固定於曝光臺面上,再將曝光格數底片固定於透明底片上,固定時須注意曝光格數底片的藥液面必須接觸測試板的幹膜。
4將壓膜完畢的測試板放於架好的曝格表的曝光機中,確認曝光機條件無誤,曝光完畢後將測試板靜置15分鐘以上
5確認內層顯影段操作條件及顯影液是否正常後將曝光並靜置完畢的測試板進行顯影作業,在水洗後將測試板取出
6觀察顯影後的測試板,其顯示格數即為受測曝光機於製作測試板的實際曝光格數
3.3CCD對位精准度
測試曝光機對位能力
金相顯微鏡
檢驗標準:
偏差在1mil以内
將測試板依內層流程走完DES線後,選取一面含有PAD,另一面有對應的空心圓的區域切下做成切片,把PAD恰好磨去一半時量測其圓心與其對應空心圓圓心的距離,即為測出的CCD對準度
4.內層DES制程
4.1顯影點
測試顯影線顯影效果是否正常
測試材料:
量尺,秒錶
50%±
5%,測試速度5.0M/MIN
1準備基板10PNL,做前處理、壓膜後待用
2將測試板放入顯影段,測試板放置時須緊密連靠,此時記錄第一片板子經過顯影槽的時間,以米尺量測顯影槽的長度,推算出實際速度與設定速度是否符合
3第一片板子出顯影段時,立即將顯影液噴壓關閉,待走完顯影段的水洗後,將板子取出並按放板的順序依序排列在顯影槽出板處
4依測試板的顯影程度,於開始有顯影不淨處做記錄,以米尺量測並除以顯影槽的全長,計算出顯影點。
5顯影點計算方式:
[1-（顯影乾淨的有效長度/顯影槽有效長度）]×
100%
6顯影點未達標準時,檢視顯影槽的噴嘴、噴壓及速度,若有異常則調整至標準值。
4.2氯化銅測試
測試目的:
測試DES線顯影、去膜是否乾淨
氯化銅,秒錶
無亮點銅面存在
1準備欲確認的測試板,將其浸泡於氯化銅溶液槽中,浸泡5sec後取出,並立即以水洗將板面殘留氯化銅溶液沖淨
2觀察測試板的板面情形,是否氧化的亮點殘筒存在,此即為觀察有無scum殘留的氯化銅測試
4.3解析度/附著力
測試內層曝光顯影能達到的解析與附著能力
檢驗工具:
測試底片,50倍高腳目鏡
75μm/75μm
1確認制程參數條件無誤後再進行測試
2線距判斷方式:
測試板製作完成後進行量測,將有短路的區塊標出,找出短路之處後以100倍高腳鏡判斷其短路原因
3線寬的判斷方式:
線路不變形的最小線寬
4.4蝕刻點
測試蝕刻段蝕刻效果是否正常
70%±
1準備基板、依現場條件做至前處理完畢後待用
2將測試板依次放入蝕刻段,並記錄第一PNL從進入到出來的時間,算出實際的速度以便與設定速度作比較
3當第一PNL測試板出蝕刻段時立即關閉噴壓,待走完水洗後,將板子取出並按放板的順序依序排列在蝕刻段出板處
4依測試板的蝕刻程式,觀察開始有蝕刻不淨處,並量出長度,再除以蝕刻段的全長,計算出蝕刻點。
5蝕刻點計算方式:
[1-（蝕刻乾淨的有效長度/蝕刻段的有效長度）]×
6蝕刻點未達標準時,檢視蝕刻槽的噴嘴、噴壓、速度與藥液,若有異常則調整至標準值。
4.5蝕刻均勻性
測試蝕刻段蝕刻是否均勻
測試材料:
39mil2/220”×
MRX量測儀,PP紙
10%↓,測試速度5.0M/MIN
測試方法:
1依內層板流程至前處理（微蝕槽不開）,把基板表面均分成25個區域,以MRX量測儀量測每一區域的銅厚,並計算其平均值為A
3內層後處理蝕刻段共有3槽,測試其蝕刻均勻性時需分3次
1）測試第一槽時,將2、3槽關閉
2）測試2、3槽時方式同上,須關閉其餘2槽
4蝕刻完畢後（水洗完畢）把PP墊蓋上,以MRX量測每PP上每一空格處蝕刻後的殘銅厚度,並計算其平均值為B
5計算其蝕刻均勻性U%,計算公式如下:
U%=[R/2（A-B）]×
100%其中R值為同一面咬蝕量的最大值與最小值的差異
6未達標準,在準備新的測試板上重複上述步驟,直至均勻性達到13%以下為止
4.6蝕刻因數
測試蝕刻段蝕刻的側蝕情況
檢驗工具:
測試底片
3↑
1確認制程參數條件無誤後再進行測試
2把板子走完DES線後做切片,量測線路上下線寬,厚度,並量測底片設計之線寬計算蝕刻因數,上噴下噴都需量測EF=H/[（A-B）/2]
3若有未達標,則進行分析（可能原因:
噴嘴,噴壓,角度,藥液等）並進行調整
4.7去膜點
測試顯影線去膜效果是否正常
檢驗工具:
量尺,秒錶
40%±
5%,測試速度5.2M/MIN
1準備基板10PNL,做前處理、壓膜,用透明底片對其進行曝光靜置15分鐘後待用
2將測試板放入去膜段,測試板放置時須緊密連靠,此時記錄第一片板子經過去膜槽的時間,以米尺量測去膜槽的長度,推算出實際速度與設定速度是否符合
3第一片板子出去膜段時,立即將去膜液噴壓,傳動關閉,打開去膜槽的上蓋板,觀察去膜情況
4依測試板的去膜程度,於開始有去膜不淨處做記錄,以米尺量測並除以去膜槽的全長,計算出去膜點。
測試完畢後,打開噴壓,傳動,將測試板取出
5去膜點計算方式:
[1-（去膜乾淨的有效長度/去膜槽有效長度）]×
6去膜點未達標準時,檢視去膜槽的噴嘴、噴壓及速度,若有異常則調整至標準值。
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