半导体研究之内存产业文档格式.docx
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圖三、全球DRAM廠商將8吋廠轉去生產NANDFlash
表一全球約當256MbDRAM產出統計
公司
全年約當256Mb出貨數(百萬顆)
出貨年增率(YoY)
2002年
2003年
2004年
2005年
Samsung
639
853
1280
1923
33.5%
50.1%
50.2%
Micron
493
784
866
1175
59.0%
10.5%
35.7%
Infineon
287
552
830
1200
92.3%
50.4%
44.6%
Hynix
331
540
767
1015
63.1%
42.0%
32.3%
Elpida
96
128
335
523
33.3%
161.7%
56.1%
Powerchip
61
151
330
485
147.5%
118.5%
47.0%
Nanya
136
192
290
480
41.2%
51.0%
65.5%
ProMos
218
300
380
70.3%
37.6%
26.7%
Others
216
167
250
455
-22.7%
49.7%
82.0%
Total
2198
3216
4618
6771
46.3%
43.6%
46.6%
圖二、全球約當512MbNandFlash產出統計
全年約當512Mb出貨數(百萬)
出貨YoY
207
555
1153
168%
108%
Toshiba
94
221
413
135%
87%
Sandisk
22
64
126
191%
97%
Renesas
19
41
76
116%
85%
33
113
NA
242%
17
74
335%
8
37
363%
STMicro
10
44
340%
1
18
1700%
342
950
2054
178%
參、下一波NandFlash將由百萬畫素級照相手機帶動需求,2006年將呈現爆發性成長
NandFlash目前50%以上應用在DSC相關各式記憶卡,然2004年DSC成長率大幅下滑,NANDFlash價格全年跌幅超過60%,即使如此,以韓國Samsung第三季財報來看,生產NandFlash毛利率仍大於50%,較DRAM的45%仍佳,因此預估DRAM廠商將8吋廠轉去生產NANDFlash策略不會改變。
由於DSC普及率已高,未來成長率明顯趨緩,研究員預估下一波NANDFlash需求成長動力將來自百萬畫素照相手機市場興起,缘故在於百萬畫素照相手機必須內建記憶卡插槽,因此可望複製DSC記憶卡對NANDFlash快速需求之經驗。
根據元富投顧推估,2005年百萬畫素照相手機恐仍無法順利消化快速開出的NANDFlash產能,但2006年因百萬畫素照相手機普及率提昇,NANDFlash市場將再出現一翻榮景可期。
表三百萬畫素照相手機對NandFlash需求推估
CIF
VGA
SVGA
QVGA
畫素
352*288
640*480
1280*1024
2048*1536
影像感測
CMOS
CMOS/CCD
CCD
Flash
8Mb
16Mb
32Mb
128Mb
DRAM(SDRAM/PseudoRAM)
2Mb
4Mb
使用FlashCard插槽比例
0%
30%
100%
CardMemory
64Mb
256Mb
可存照片張數
80
235
110
平均使用NandFlash
40Mb
160Mb
384Mb
單位:
百萬
2006年
全球手機出貨
520
625
660
690
彩色手機比重
35%
65%
75%
單色手機
338
218.75
165
103.5
彩色手機
182
406.25
495
586.5
CameraPhone比重
10%
37%
55%
CameraPhone出貨
52
231.25
363
448.5
80%
20%
90%
CameraPhone使用量
2080
14800
49368
162177.6
約當512Mb顆數
4.06
28.91
96.42
316.75
全球產出512Mb顆數
3355
佔全球能比重
1.19%
3.04%
4.69%
9.44%
肆、DDRII因前段製程及後段封測面臨挑戰,進度略落後預期
DRAM目前正進行DDRII取代DDR世代交替,由於DDRII前段製程須在12吋廠採0.11微米製程生產,且後段封裝採BGA封裝及T5593測試機台測試,在整體成本居高不下,因此世代交替速度看起来不如原先預期樂觀。
然對生產者而言,由於DDRII毛利率高於DDR,再度吸引韓國Samsung對此一市場興趣,預計於2004年第四季拉高DDRII投片量佔所有DRAM產能3成。
由於DDRII初期生產仍須面臨良率較低問題,因此Samsung拉高DDRII投片對DRAM供給將因此受到抑制,對PC出貨旺季過後之DRAM報價為相當正面訊息。
表四兩次DRAM世代交替比較
規格轉換
2001年
2002年H1
2004年H2
SDRAM轉DDR
DDR轉DDRII
晶圓尺寸
8吋
8吋/12吋
12吋
微縮製程(um)
0.18
0.13/0.11
0.11
Density(Mb)
256
512
傳輸速率MHz
133
266
400
533
封裝方式
TSOP
FBGA
Pin腳數
168
184
240
測試機台
T5581
T5585
T5593
工作電壓
3.3V
2.5V
1.8V
資料來源:
元富投顧
Prefetch(bit)
2
4
表五、DDRII生產成本與DDR比較分析
DDR400MHz256Mb
DDR400MHz512Mb
DDRII533MHz512Mb
差異
前段製程(um)
0.13
晶圓成本(Wafercost)
1600
1760
GrossDie/wafer
1000
500
600
Yield
GoodDie/wafer
800
cost/die
2.00
4.00
5.33
封裝
0.3
0.6
測試
0.4
0.7
1.2
後段成本/顆
1.8
總成本/顆
2.70
5.00
7.13
43%
ASP
4.5
70%
毛利率
40.0%
50.0%
58.0%
伍、2005年第三季DRAM產業景氣進入好轉期
就2005年DRAM供給面推估,雖然12吋廠能持續開出,但8吋廠在0.11微米製程不順加上部分產能轉去生產NandFlash、CIS等產品,因此2005年全球DRAM供給增幅約46%。
然由於12吋廠成本效益,將讓DRAM生產成本得以緩步下滑,更有能力對抗DRAM價格下滑衝擊。
統計國內三家DRAM廠商營收年成長率狀況,2004年第二季達到高峰期,預估2005年第二季落底,第三季可望進入好轉期。
圖四、12吋廠產能與8吋廠產能開出預估
圖五、12吋廠有效降低DRAM生產成本
圖六:
DRAM景氣定位