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1、圖三、全球DRAM廠商將8吋廠轉去生產NAND Flash表一 全球約當256Mb DRAM產出統計 公司全年約當256Mb出貨數（百萬顆）出貨年增率（YoY）2002年2003年2004年2005年Samsung6398531280192333.5%50.1%50.2%Micron493784866117559.0%10.5%35.7%Infineon287552830120092.3%50.4%44.6%Hynix331540767101563.1%42.0%32.3%Elpida9612833552333.3%161.7%56.1%Powerchip61151330485147.5%11

2、8.5%47.0%Nanya13619229048041.2%51.0%65.5%ProMos21830038070.3%37.6%26.7%Others216167250455-22.7%49.7%82.0%Total219832164618677146.3%43.6%46.6%圖二、全球約當512Mb Nand Flash產出統計全年約當512Mb出貨數（百萬）出貨YoY2075551153168%108%Toshiba94221413135%87%Sandisk2264126191%97%Renesas194176116%85%33113NA242%1774335%837363%STMi

3、cro1044340%1181700%3429502054178%參、下一波Nand Flash將由百萬畫素級照相手機帶動需求，2006年將呈現爆發性成長Nand Flash目前50%以上應用在DSC相關各式記憶卡，然2004年DSC成長率大幅下滑，NAND Flash價格全年跌幅超過60%，即使如此，以韓國Samsung第三季財報來看，生產Nand Flash毛利率仍大於50%，較DRAM的45%仍佳，因此預估 DRAM廠商將8吋廠轉去生產NAND Flash策略不會改變。由於DSC普及率已高，未來成長率明顯趨緩，研究員預估下一波NAND Flash需求成長動力將來自百萬畫素照相手機市場興起

4、，缘故在於百萬畫素照相手機必須內建記憶卡插槽，因此可望複製DSC記憶卡對NAND Flash快速需求之經驗。根據元富投顧推估，2005年百萬畫素照相手機恐仍無法順利消化快速開出的NAND Flash產能，但2006年因百萬畫素照相手機普及率提昇，NAND Flash市場將再出現一翻榮景可期。表三 百萬畫素照相手機對Nand Flash需求推估CIFVGASVGAQVGA畫素352*288640*4801280*10242048*1536影像感測CMOSCMOS/CCDCCDFlash8Mb16Mb32Mb128MbDRAM（SDRAM/Pseudo RAM）2Mb4Mb使用Flash Card

5、插槽比例0%30%100%Card Memory64Mb256Mb可存照片張數80235110平均使用Nand Flash40Mb160Mb384Mb單位：百萬2006年全球手機出貨520625660690彩色手機比重35%65%75%單色手機338218.75165103.5彩色手機182406.25495586.5Camera Phone比重10%37%55%Camera Phone出貨52231.25363448.580%20%90%Camera Phone使用量20801480049368162177.6約當512Mb顆數4.06 28.91 96.42 316.75 全球產出512M

6、b顆數3355佔全球能比重1.19%3.04%4.69%9.44%肆、DDRII因前段製程及後段封測面臨挑戰，進度略落後預期DRAM目前正進行DDRII取代DDR世代交替，由於DDRII前段製程須在12吋廠採0.11微米製程生產，且後段封裝採BGA封裝及T5593測試機台測試，在整體成本居高不下，因此世代交替速度看起来不如原先預期樂觀。然對生產者而言，由於DDRII毛利率高於DDR，再度吸引韓國Samsung對此一市場興趣，預計於2004年第四季拉高DDRII投片量佔所有DRAM產能3成。由於DDRII初期生產仍須面臨良率較低問題，因此Samsung拉高DDRII投片對DRAM供給將因此受到抑

7、制，對PC出貨旺季過後之DRAM報價為相當正面訊息。表四 兩次DRAM世代交替比較規格轉換2001年2002年H12004年H2SDRAM轉DDRDDR轉DDRII晶圓尺寸8吋8吋/12吋12吋微縮製程（um）0.180.13/0.110.11Density（Mb）256512傳輸速率MHz133266400533封裝方式TSOPFBGAPin腳數168184240測試機台T5581T5585T5593工作電壓3.3V2.5V1.8V資料來源：元富投顧Prefetch（bit）24表五、DDRII生產成本與DDR比較分析DDR 400MHz 256MbDDR 400MHz 512MbDDRII

8、 533MHz 512Mb差異前段製程（um）0.13晶圓成本（Wafer cost）16001760Gross Die/wafer1000500600YieldGood Die/wafer800 cost/die2.00 4.00 5.33 封裝0.30.6測試0.40.71.2後段成本/顆1.8總成本/顆2.70 5.00 7.13 43%ASP4.570%毛利率40.0%50.0%58.0%伍、2005年第三季DRAM產業景氣進入好轉期就2005年DRAM供給面推估，雖然12吋廠能持續開出，但8吋廠在0.11微米製程不順加上部分產能轉去生產Nand Flash、CIS等產品，因此2005年全球DRAM供給增幅約46%。然由於12吋廠成本效益，將讓DRAM生產成本得以緩步下滑，更有能力對抗DRAM價格下滑衝擊。統計國內三家DRAM廠商營收年成長率狀況，2004年第二季達到高峰期，預估2005年第二季落底，第三季可望進入好轉期。圖四、12吋廠產能與8吋廠產能開出預估圖五、12吋廠有效降低DRAM生產成本 圖六：DRAM景氣定位