DS18B20单总线多点式测温系统教学文案Word格式.docx
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write_data（0x80）;
init（0x85）;
write_data（0x74）;
//temperature
init（0x86）;
write_data（0x65）;
init（0x87）;
write_data（0x6d）;
init（0x88）;
write_data（0x70）;
init（0x89）;
init（0x8a）;
write_data（0x72）;
init（0x8b）;
write_data（0x61）;
init（0x8c）;
init（0x8d）;
write_data（0x75）;
init（0x8e）;
init（0x8f）;
init（0xc0）;
init（0xc1）;
init（0xc2）;
write_data（0x69）;
//is:
init（0xc3）;
write_data（0x73）;
init（0xc4）;
write_data（0x3a）;
if（（t/1000）!
=0）
{init（0xc5）;
write_data（0x2d）;
init（0xc6）;
write_data（shu[t/1000]）;
init（0xc7）;
write_data（shu[t/100]）;
}
else
write_data（0xfe）;
init（0xc8）;
write_data（0x2e）;
init（0xc9）;
write_data（shu[（t0）/10]）;
init（0xca）;
write_data（shu[t]）;
init（0xcb）;
write_data（0x27）;
init（0xcc）;
write_data（0x43）;
init（0xcd）;
init（0xce）;
init（0xcf）;
voidlcd_1602（）
//当为正温度时，液晶显示可以高位为0屏蔽.
init（0x84）;
//temperature
if（t/10000!
write_data（shu[t/10000]）;
}
{if（（t/1000）!
{init（0xc5）;
else
init（0xc8）;
init（0xc9）;
voidjiance（）
//初始化，即检测是否存在DS18B20.
{unsignedchark=0;
loop:
DS=1;
DS=0;
//主机将总线从高电平拉到低电平
del（100）;
//持续400us~960us
DS=1;
//然后释放总线
del（10）;
//DS18B20检测到总线上升沿后，等待15us~60u后发低电平。
k=DS;
del（20）;
//低电平至少要持续60~240us
if（k==1）
//60~240us内若为高电平则要重新检测。
gotoloop;
read（）
//从DS18B20中读出数据
{unsignedchari;
unsignedlongdate=0;
for（i=0;
i<
16;
i++）
{DS=0;
//主机在某一时刻将总线从高电平拉到低电平.
date>
>
=1;
del（3）;
//保持15us将总线拉到高电平,产生读时间隙
if（DS）
date|=0x8000;
del（8）;
//读数据需要持续35us~60us.
return（date）;
void
main（）
{unsignedlong
flag=0;
EA=0;
SP=0X60;
init（0x01）;
//对液晶屏初始化
init（0x38）;
init（0x0c）;
init（0x06）;
while
（1）
{
jiance（）;
//对DS18B20初始化
matchrom（）;
write（0x44）;
//启动温度变换
del（100）;
jiance（）;
if（f==1）
{f=0;
{
write（0xbe）;
//读暂存存储器
t=read（）;
flag=t&
0x8000;
//对读取的数据进行处理
if（flag==0x8000）
{t=~t;
t=t+1;
t=t*25;
t>
=2;
flcd_1602（）;
lcd_1602（）;
头文件：
#ifndef__XUANZE_H__
#define__XUANZE_H__
unsignedchark,f=0;
sbitRS=P2^0;
sbitRW=P2^1;
sbitE=P2^2;
sbitDS=P1^1;
voiddel（intcount）
//延时程序
{while（count--）
;
voiddelay（unsignedintcount）//延时程序
{intp;
while（count--）
for（p=0;
p<
125;
p++）;
voidwrite（unsignedchardate）//向DS18B20中写入数据
{inti;
8;
i++）
//由于是单总线每次只能写一位，一个字节需循环8次
{DS=0;
//主机在某一时刻将总线从高电平拉到低电平，产生写时间隙
DS=date&
0x01;
//写入数据。
del（15）;
//写如数据要15us,ds18b20对数据采样需要15us~60us，共需35us~70us.
voidinit（unsignedintn）//
RW=0,RS=0;
向指令寄存器中写入命令，即对1602初始化。
{delay（10）;
E=0;
RS=0;
RW=0;
E=1;
P0=n;
voidwrite_data（unsignedcharn）//RS=1,RW=0;
向数据寄存器中写入数据，即显示的数符。
{delay（10）;
E=0;
RS=1;
RW=0;
E=1;
P0=n;
voidmatchrom（）
//匹配ROM
{
k=P3;
switch（k）
{case0:
f=1;
write_data（0x57）;
//which
write_data（0x68）;
init（0x83）;
write_data（0x63）;
write_data（0x79）;
//you
write_data（0x6f）;
//want
write_data（0x6e）;
//press
init（0xc5）;
init（0xca）;
init（0xcb）;
init（0xcc）;
write_data（0x6b）;
//key
init（0xcd）;
init（0xce）;
init（0xcf）;
}break;
case1:
write_data（0x31）;
//NO1
write（0x55）;
write（0x28）;
write（0x30）;
write（0xc5）;
write（0xb8）;
write（0x00）;
write（0x8e）;
case2:
write_data（0x32）;
//NO2
write（0x31）;
write（0xb9）;
case4:
write_data（0x33）;
//NO3
write（0x32）;
write（0xe0）;
case8:
write_data（0x34）;
//NO4
write（0x33）;
write（0xd7）;
}
break;
case16:
write_data（0x35）;
//NO5
write（0x34）;
write（0x52）;
case32:
write_data（0x36）;
//NO6
write（0x35）;
write（0x65）;
case64:
write_data（0x37）;
//NO7
write（0x36）;
write（0x3c）;
}break;
case128:
write_data（0x38）;
//NO8
write（0x37）;
write（0x0b）;
default:
write_data（0x50）;
//please
write_data（0x6c）;
//one
//key
write_data（
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